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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116156975A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211283831.5
申请日：2023-02-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种利用聚酰亚胺(英文名称为：polyimide简称PIs)高分子聚合物分子结实现室温下产生阻变效应，从而实现忆阻器功能的方法，其通过利用电子束曝光系统EBL在旋涂了polyimide(PMDA‑ODA)高分子聚合物的硅片上制备一个纳米级间隙金电极对的方法，在PMDA‑ODA高分子聚合物基底上形成横向金‑空气‑金构型。在正向电压扫描的正偏压区域，由于在PMDA‑ODA高分子聚合物表层形成了金颗粒组成的导电通道使电流发生突变形成低阻态LRS。在反向电压扫描的负偏压区域，由于PMDA‑ODA高分子聚合物表层形成的导电通道破裂使电流发生剧烈的负微分电阻效应(NDR)形成高阻态HRS。这样的现象使得在PMDA‑ODA高分子聚合物基底上的纳米级间隙金电极对的构型可以作为一种新的制备忆阻器元件的构型，为未来的电子存储设备提供了新的方法和手段。
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公开(公告)号：CN113548642A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110822784.6
申请日：2021-07-21
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种片上连续可控间隙的石墨烯纳米电极对阵列的制备方法，涉及到的石墨烯芯片由压电片、聚酰亚胺和石墨烯电极组成，以压电片和聚酰亚胺作为基底，石墨烯电极通过吸附力固定在聚酰亚胺上方，所述石墨烯电极是通过镂空掩膜版和镀膜加工工艺将电极图形转移到石墨烯/PMMA上，利用反应离子刻蚀技术将石墨烯刻蚀成电极形状；通过调控施加在压电片上的电压使其沿水平方向膨胀伸长从而将石墨烯电极拉伸，同时利用电迁移法将石墨烯电极烧断形成间隙，通过压电片的膨胀和收缩来精密调节电极间的距离。该方法工艺简单、成本低廉，实现了可控间隙的石墨烯电极的片上大规模集成，为碳基分子电子器件的发展奠定了基础。
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公开(公告)号：CN116156975B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202211283831.5
申请日：2023-02-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种利用聚酰亚胺(英文名称为：polyimide简称PIs)高分子聚合物分子结实现室温下产生阻变效应，从而实现忆阻器功能的方法，其通过利用电子束曝光系统EBL在旋涂了polyimide(PMDA‑ODA)高分子聚合物的硅片上制备一个纳米级间隙金电极对的方法，在PMDA‑ODA高分子聚合物基底上形成横向金‑空气‑金构型。在正向电压扫描的正偏压区域，由于在PMDA‑ODA高分子聚合物表层形成了金颗粒组成的导电通道使电流发生突变形成低阻态LRS。在反向电压扫描的负偏压区域，由于PMDA‑ODA高分子聚合物表层形成的导电通道破裂使电流发生剧烈的负微分电阻效应(NDR)形成高阻态HRS。这样的现象使得在PMDA‑ODA高分子聚合物基底上的纳米级间隙金电极对的构型可以作为一种新的制备忆阻器元件的构型，为未来的电子存储设备提供了新的方法和手段。
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