公开(公告)号：CN115980131B

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202211311292.1

申请日：2022-10-25

Applicant: 南开大学

Inventor： 赵雪妍 ,  向东 ,  谭敏 ,  张素荣 ,  张旭斌 ,  许晓娜

IPC: G01N27/00

Abstract: 基于柔性薄膜材料制作的芯片，利用压电陶瓷产生的竖直方向的机械力，通过滑轨与压电陶瓷联用的方式，在水平方向上拉伸柔性基底，驱动该基底上的微结构拉伸或收缩，实现在水平方向上构建金属结的形成与断裂，该方法操作简单，成本低廉且克服了外加光场时光束聚焦的困难，利于获得单分子结，并对单分子特性特进行研究。

公开(公告)号：CN115636389A

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202211262272.X

申请日：2022-10-14

Applicant: 南开大学

Inventor： 向东 ,  尹凯凯 ,  赵雪妍 ,  张旭斌 ,  许晓娜 ,  王懋宁

IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于压电片可控纳米间隙的单分子结制备方法，包括：压电片、驱动电极、绝缘层、带有预环切的金线；压电片为基片/衬底；压电片的上下表面均设置有驱动电极；绝缘层位于驱动电极的上层；带有预环切的金线固定在绝缘层上；当驱动电压施加至驱动电极时，所述压电片将发生横向/水平变形，固定在绝缘层上的金线被相应拉伸，精确控制纳米间隙大小。本发明通过使用水平方向膨胀的压电片构建具有埃级调节精度的原位可调片上金属纳米间隙，进一步发展为平面内的可控裂结；为以单分子作为构建模块制造出具有集成潜力的片上器件提供技术支撑。

公开(公告)号：CN115636389B

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202211262272.X

申请日：2022-10-14

Applicant: 南开大学

Inventor： 向东 ,  尹凯凯 ,  赵雪妍 ,  张旭斌 ,  许晓娜 ,  王懋宁

IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于压电片可控纳米间隙的单分子结制备方法，包括：压电片、驱动电极、绝缘层、带有预环切的金线；压电片为基片/衬底；压电片的上下表面均设置有驱动电极；绝缘层位于驱动电极的上层；带有预环切的金线固定在绝缘层上；当驱动电压施加至驱动电极时，所述压电片将发生横向/水平变形，固定在绝缘层上的金线被相应拉伸，精确控制纳米间隙大小。本发明通过使用水平方向膨胀的压电片构建具有埃级调节精度的原位可调片上金属纳米间隙，进一步发展为平面内的可控裂结；为以单分子作为构建模块制造出具有集成潜力的片上器件提供技术支撑。

公开(公告)号：CN115980131A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202211311292.1

申请日：2022-10-25

Applicant: 南开大学

Inventor： 赵雪妍 ,  向东 ,  谭敏 ,  张素荣 ,  张旭斌 ,  许晓娜

IPC: G01N27/00

Abstract: 基于柔性薄膜材料制作的芯片，利用压电陶瓷产生的竖直方向的机械力，通过滑轨与压电陶瓷联用的方式，在水平方向上拉伸柔性基底，驱动该基底上的微结构拉伸或收缩，实现在水平方向上构建金属结的形成与断裂，该方法操作简单，成本低廉且克服了外加光场时光束聚焦的困难，利于获得单分子结，并对单分子特性特进行研究。