公开(公告)号：CN104078334B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201410300595.2

申请日：2014-06-27

Applicant: 南开大学

Inventor： 李娟 ,  景月月 ,  吕朋浩 ,  刘政鹏

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268

Abstract: 一种用氢等离子体预处理激光晶化制备多晶硅薄膜的方法，步骤如下：在石英玻璃衬底上沉积晶化前驱物后进行退火处理；采用等离子体增强化学气相沉积法进行氢等离子体预处理后进行二次退火处理；用激光器的激光照射上述二次退火处理后的晶化前驱物以使其晶化为多晶硅，即可制得多晶硅薄膜。本发明的优点是：该制备方法与普通的微电子工艺兼容且成本低廉；通过控制氢等离子体预处理达到提高薄膜性能的目的；所制备的多晶硅薄膜可广泛用于制备多晶硅薄膜晶体管和多晶硅晶体管电路、显示器象素电路和光电子器件、面阵敏感器，平板显示基板，多晶硅电路和象素电极制备的全集成显示系统，具有重要的实用价值。

公开(公告)号：CN104078334A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410300595.2

申请日：2014-06-27

Applicant: 南开大学

Inventor： 李娟 ,  景月月 ,  吕朋浩 ,  刘政鹏

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/02686

Abstract: 一种用氢等离子体预处理激光晶化制备多晶硅薄膜的方法，步骤如下：在石英玻璃衬底上沉积晶化前驱物后进行退火处理；采用等离子体增强化学气相沉积法进行氢等离子体预处理后进行二次退火处理；用激光器的激光照射上述二次退火处理后的晶化前驱物以使其晶化为多晶硅，即可制得多晶硅薄膜。本发明的优点是：该制备方法与普通的微电子工艺兼容且成本低廉；通过控制氢等离子体预处理达到提高薄膜性能的目的；所制备的多晶硅薄膜可广泛用于制备多晶硅薄膜晶体管和多晶硅晶体管电路、显示器象素电路和光电子器件、面阵敏感器，平板显示基板，多晶硅电路和象素电极制备的全集成显示系统，具有重要的实用价值。