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公开(公告)号：CN119876925A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510073293.4
申请日：2025-01-17
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种基于碲纳米线原位转化构建金纳米线薄膜以制备柔性电极的方法，先通过水热合成制备碲纳米线，在预处理后的基板上静电吸附碲纳米线薄膜，利用原位转化方法制备金纳米线薄膜，再将金纳米线薄膜转移至柔性衬底，制得柔性金纳米线电极。所述原位转化法制备步骤简单、生产成本低、材料利用率和转换效率高，同时能够保持碲纳米线薄膜的原有形貌结构。因此，所制备的金纳米线薄膜具有与碲纳米线高纵横比相似的特征。此外，原位转化过程中碲原子的积极参与加速了转化速度，使得金原子含量和导电性迅速提升。所述适用于薄膜的柔性衬底具有多样的选择性，能够根据不同的具体应用需求进行选择，从而拓宽了其在柔性电极领域的应用范围。
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公开(公告)号：CN118393808A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410256783.3
申请日：2024-03-07
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种基于单层纳米线取向排列的光学偏振防伪方法，包括：(1)制备纳米线溶液；(2)将紫外光刻后的基板进行显影，去除参与光反应的光刻胶或未参与光反应的光刻胶，得到显影后的基板；(3)将显影后的基板以某个浸入角度浸入纳米线溶液中，使得纳米线溶液组装在显影后的基板上；再渍于丙酮中，去除与取向对应的光刻胶以及该光刻胶上组装的纳米线；(4)重复步骤(3)，将基板以不同的浸入角度浸入步骤(1)的纳米线溶液中，得到包含多种纳米线取向的图案化的单层纳米线薄膜；(5)在包含多种纳米线取向的图案化的单层纳米线薄膜的正上方放置偏振片。本发明将纳米线取向排列与微纳光刻工艺相结合，实现光学偏振防伪。
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公开(公告)号：CN115747876A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211524446.5
申请日：2022-12-01
Applicant: 南开大学
IPC: C25B11/095 , H01M4/92 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C25B11/061 , C25B11/031 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开了一种负载Pt粒子的二维铁基金属有机框架纳米阵列的制备方法及其应用，涉及能源转化与存储技术领域。本发明首先采用简单的水热反应在导电基底上均匀生长Fe‑MOF纳米带阵列，进一步经过温和的原位还原法将超小Pt纳米粒子负载到Fe‑MOF表面，获得自支撑Fe‑MOF@Pt复合材料。与纯Pt粒子相比，高度分散状态的Pt纳米粒子避免了因团聚而导致的活性降低，提高了贵金属利用效率，降低了成本。此外，Fe‑MOF与Pt之间所形成的异质结面可以起到协同催化的效果。基于该自支撑阵列构筑的电极展现出优异的多功能催化活性和循环稳定性，对设计开发新型高效的MOF基催化材料具有指导意义。
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公开(公告)号：CN111863624B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202010537844.5
申请日：2020-06-12
Applicant: 南开大学
IPC: H01L21/368 , H01L29/24 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明属二维半导体薄膜制备技术领域，具体涉及一种二维材料半导体薄膜的大规模制备及图案化方法，包括如下步骤：基板预处理；在预处理后的基板上用负胶光刻目标图案；在带有光刻胶图案的基板上用溶液自组装技术制备二维半导体薄膜：基板首先浸泡在聚二烯丙基二甲基氯化铵水溶液，然后浸泡在MoS2水溶液中，这个过程可多次重复；将基板上得到的薄膜在丙酮中浸泡去除光刻胶，最终得到目标MoS2图案。本发明的有益效果在于制备方法简单，可以在任何基板上操作；薄膜厚度可控，而且可以实现图案化；反应条件温和，在高性能二维半导体薄膜电子器件领域具有广阔的应用空间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110358367A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910466897.X
申请日：2019-05-31
Applicant: 南开大学
IPC: C09D11/52 , C09D11/102 , C09D11/108 , C09D11/107 , B22F1/00 , B22F9/24 , B82Y30/00
Abstract: 本发明属纳米导电墨水弹性导体材料制备技术领域，尤其涉及一种用做可拉伸微电子电路导电油墨的弹性导体材料的合成方法，其特征在于，包括如下步骤：1，将配方量的还原剂与弹性体溶液混合，并分散均匀，制成反应基液；2，在搅拌条件下向所述反应基液中加入金属前驱体进行反应，形成反应混合液，搅拌条件下反应至反应完全；在反应过程中所述金属前驱体中的金属离子被还原，并在所述弹性体上原位生长成金属纳米粒子；3，将所述反应混合液离心，得到的滤渣即为弹性导体材料。有益效果在于，本发明所提供的可拉伸电路导电油墨的弹性导体材料，制备方法简单，操作方便快捷，对技术人员的要求低，易于商业化生产。
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公开(公告)号：CN116169161A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310182914.3
申请日：2023-03-01
Applicant: 南开大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种基于无机半导体纳米线取向阵列有源层的单轴可拉伸薄膜晶体管的制备方法，属于可拉伸半导体和柔性可穿戴电子领域，该方法首先制备可拉伸基板，然后在可拉伸基板上组转取向纳米线阵列，并通过光刻、反应离子刻蚀对纳米线进行限域；利用喷涂沉积碳纳米管网络可拉伸电极，并采用可拉伸离子凝胶栅电解质完成可拉伸薄膜晶体管的制备。该方法与传统的微纳光刻工艺相兼容，工艺简单，成本低廉，可实现大面积薄膜晶体管制备和复杂功能集成。该制备方法能够制备出兼具较高电性能和拉伸性的可拉伸薄膜晶体管，为人体关节处等单轴形变量大的区域实现拉伸穿戴器件提供了基础。
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公开(公告)号：CN111863624A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010537844.5
申请日：2020-06-12
Applicant: 南开大学
IPC: H01L21/368 , H01L29/24 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明属二维半导体薄膜制备技术领域，具体涉及一种二维材料半导体薄膜的大规模制备及图案化方法，包括如下步骤：基板预处理；在预处理后的基板上用负胶光刻目标图案；在带有光刻胶图案的基板上用溶液自组装技术制备二维半导体薄膜：基板首先浸泡在聚二烯丙基二甲基氯化铵水溶液，然后浸泡在MoS2水溶液中，这个过程可多次重复；将基板上得到的薄膜在丙酮中浸泡去除光刻胶，最终得到目标MoS2图案。本发明的有益效果在于制备方法简单，可以在任何基板上操作；薄膜厚度可控，而且可以实现图案化；反应条件温和，在高性能二维半导体薄膜电子器件领域具有广阔的应用空间。
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公开(公告)号：CN116143068A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310183150.X
申请日：2023-03-01
Applicant: 南开大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明公开了一种柔性纳米线取向阵列的大面积组装方法，属于纳米材料的组装技术领域，先通过液相合成制备一维纳米线，将纳米线进行尺寸筛分后分散在水中配置为特定浓度的溶液；将基板进行异电化处理；将基板缓慢浸入纳米线溶液中，由于静电力吸附和基板移动而水动力驱动纳米线取向，在基板上形成取向良好的纳米线阵列薄膜。本发明方法可以适用于多种超长一维纳米材料和任意基板，适用于阵列薄膜的大面积快速制备，并且可以控制一维纳米材料多角度多层取向网络，为制备基于纳米线(NW)的柔性电子器件(包括可穿戴储能设备、柔性显示器、电子传感器和健康监测器)领域提供了良好的工业化制备基础。
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公开(公告)号：CN110358368A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910467019.X
申请日：2019-05-31
Applicant: 南开大学
IPC: C09D11/52 , C09D11/03 , C09D11/102 , C09D11/108 , C09D11/107
Abstract: 本发明属可拉伸微电子电路导电油墨制备技术领域，尤其涉及一种可拉伸微电子电路导电油墨的合成方法，其特征在于，包括如下步骤：1，将配方量的还原剂与弹性体溶液混合，并分散均匀，制成反应基液；2，在搅拌条件下向所述反应基液中加入金属前驱体进行反应，形成反应混合液，搅拌条件下反应至反应完全；在反应过程中所述金属前驱体中的金属离子被还原，并在所述弹性体上原位生长成金属纳米粒子；3，将所述反应混合液离心，得到的滤渣即为弹性导体材料；4，将所述弹性导体材料与分散剂混合。有益效果在于，本发明所提供的可拉伸微电子电路导电油墨，制备方法简单，操作方便快捷，对技术人员的要求低，易于商业化生产，可用于高精度电子器件的打印。使用该油墨产生的薄膜导电性好，抗氧化性高，拉伸性能好、耐折叠。
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