一种基于无机半导体纳米线取向阵列有源层的单轴可拉伸薄膜晶体管的制备方法

    公开(公告)号:CN116169161A

    公开(公告)日:2023-05-26

    申请号:CN202310182914.3

    申请日:2023-03-01

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 一种基于无机半导体纳米线取向阵列有源层的单轴可拉伸薄膜晶体管的制备方法,属于可拉伸半导体和柔性可穿戴电子领域,该方法首先制备可拉伸基板,然后在可拉伸基板上组转取向纳米线阵列,并通过光刻、反应离子刻蚀对纳米线进行限域;利用喷涂沉积碳纳米管网络可拉伸电极,并采用可拉伸离子凝胶栅电解质完成可拉伸薄膜晶体管的制备。该方法与传统的微纳光刻工艺相兼容,工艺简单,成本低廉,可实现大面积薄膜晶体管制备和复杂功能集成。该制备方法能够制备出兼具较高电性能和拉伸性的可拉伸薄膜晶体管,为人体关节处等单轴形变量大的区域实现拉伸穿戴器件提供了基础。

    一种基于单层纳米线取向排列的光学偏振防伪方法

    公开(公告)号:CN118393808A

    公开(公告)日:2024-07-26

    申请号:CN202410256783.3

    申请日:2024-03-07

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于单层纳米线取向排列的光学偏振防伪方法,包括:(1)制备纳米线溶液;(2)将紫外光刻后的基板进行显影,去除参与光反应的光刻胶或未参与光反应的光刻胶,得到显影后的基板;(3)将显影后的基板以某个浸入角度浸入纳米线溶液中,使得纳米线溶液组装在显影后的基板上;再渍于丙酮中,去除与取向对应的光刻胶以及该光刻胶上组装的纳米线;(4)重复步骤(3),将基板以不同的浸入角度浸入步骤(1)的纳米线溶液中,得到包含多种纳米线取向的图案化的单层纳米线薄膜;(5)在包含多种纳米线取向的图案化的单层纳米线薄膜的正上方放置偏振片。本发明将纳米线取向排列与微纳光刻工艺相结合,实现光学偏振防伪。

    一种柔性纳米线取向阵列的大面积组装方法

    公开(公告)号:CN116143068A

    公开(公告)日:2023-05-23

    申请号:CN202310183150.X

    申请日:2023-03-01

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明公开了一种柔性纳米线取向阵列的大面积组装方法,属于纳米材料的组装技术领域,先通过液相合成制备一维纳米线,将纳米线进行尺寸筛分后分散在水中配置为特定浓度的溶液;将基板进行异电化处理;将基板缓慢浸入纳米线溶液中,由于静电力吸附和基板移动而水动力驱动纳米线取向,在基板上形成取向良好的纳米线阵列薄膜。本发明方法可以适用于多种超长一维纳米材料和任意基板,适用于阵列薄膜的大面积快速制备,并且可以控制一维纳米材料多角度多层取向网络,为制备基于纳米线(NW)的柔性电子器件(包括可穿戴储能设备、柔性显示器、电子传感器和健康监测器)领域提供了良好的工业化制备基础。

    一种基于碲纳米线原位转化构建金纳米线薄膜以制备柔性电极的方法

    公开(公告)号:CN119876925A

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202510073293.4

    申请日:2025-01-17

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于碲纳米线原位转化构建金纳米线薄膜以制备柔性电极的方法,先通过水热合成制备碲纳米线,在预处理后的基板上静电吸附碲纳米线薄膜,利用原位转化方法制备金纳米线薄膜,再将金纳米线薄膜转移至柔性衬底,制得柔性金纳米线电极。所述原位转化法制备步骤简单、生产成本低、材料利用率和转换效率高,同时能够保持碲纳米线薄膜的原有形貌结构。因此,所制备的金纳米线薄膜具有与碲纳米线高纵横比相似的特征。此外,原位转化过程中碲原子的积极参与加速了转化速度,使得金原子含量和导电性迅速提升。所述适用于薄膜的柔性衬底具有多样的选择性,能够根据不同的具体应用需求进行选择,从而拓宽了其在柔性电极领域的应用范围。

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