公开(公告)号：CN119876925A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510073293.4

申请日：2025-01-17

Applicant: 南开大学

Inventor： 朱剑 ,  党敏敏 ,  刘世宇 ,  张鑫 ,  张安妮

IPC: C23C18/44 ,  B82Y40/00 ,  H01B13/00 ,  H01B5/14 ,  C01B19/02

Abstract: 本发明公开了一种基于碲纳米线原位转化构建金纳米线薄膜以制备柔性电极的方法，先通过水热合成制备碲纳米线，在预处理后的基板上静电吸附碲纳米线薄膜，利用原位转化方法制备金纳米线薄膜，再将金纳米线薄膜转移至柔性衬底，制得柔性金纳米线电极。所述原位转化法制备步骤简单、生产成本低、材料利用率和转换效率高，同时能够保持碲纳米线薄膜的原有形貌结构。因此，所制备的金纳米线薄膜具有与碲纳米线高纵横比相似的特征。此外，原位转化过程中碲原子的积极参与加速了转化速度，使得金原子含量和导电性迅速提升。所述适用于薄膜的柔性衬底具有多样的选择性，能够根据不同的具体应用需求进行选择，从而拓宽了其在柔性电极领域的应用范围。

公开(公告)号：CN118393808A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410256783.3

申请日：2024-03-07

Applicant: 南开大学

Inventor： 朱剑 ,  张安妮 ,  赵颖涛 ,  党敏敏

IPC: G03F7/00 ,  G09F3/02 ,  G02B27/28 ,  B82Y20/00

Abstract: 本发明公开了一种基于单层纳米线取向排列的光学偏振防伪方法，包括：(1)制备纳米线溶液；(2)将紫外光刻后的基板进行显影，去除参与光反应的光刻胶或未参与光反应的光刻胶，得到显影后的基板；(3)将显影后的基板以某个浸入角度浸入纳米线溶液中，使得纳米线溶液组装在显影后的基板上；再渍于丙酮中，去除与取向对应的光刻胶以及该光刻胶上组装的纳米线；(4)重复步骤(3)，将基板以不同的浸入角度浸入步骤(1)的纳米线溶液中，得到包含多种纳米线取向的图案化的单层纳米线薄膜；(5)在包含多种纳米线取向的图案化的单层纳米线薄膜的正上方放置偏振片。本发明将纳米线取向排列与微纳光刻工艺相结合，实现光学偏振防伪。