-
公开(公告)号：CN116234423A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310160140.4
申请日：2023-02-24
Applicant: 南开大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本申请提供了一种垂直单分子集成忆阻器件及其制备方法，所述垂直单分子集成忆阻器件包含电致异构分子；所述电致异构分子为单侧末端有炔基修饰的降冰片二烯衍生物分子。本申请的垂直单分子集成忆阻器件能够达到原子级平整，且原子层厚度可控，所包含的电致异构分子在电场刺激下会发生异构转换，通过电场可稳定调节所述电致异构分子的异构转换，从而实现稳定的忆阻功能；所述垂直单分子集成忆阻器件具有器件尺寸小、稳定性好、能够大规模集成的优势。
-
公开(公告)号：CN112582542A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011410961.1
申请日：2020-12-06
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种基于二维范德华异质结构的单分子场效应晶体管及其制备方法,属于新材料以及分子场效应晶体管领域。由导电二维材料栅电极层、绝缘二维材料介质层、基于石墨烯点电极的单分子异质结以及保护层构成，制备方法包括1)二维叠层组装；2)作为器件各组成部分的二维材料具有原子级可控平整度和厚度；3)范德华异质结构的稳定性；4)与石墨烯基单分子异质结的结合。本发明通过不同二维材料的范德华堆叠组装，形成范德华异质结构。使得器件的介质层和栅极达到原子级平整并且原子层可控，实现单分子场效应晶体器件的精准控制制备，而使用六方氮化硼或氮化镓作为保护层对器件进行封装，大大减小了外界环境对器件的干扰，提高了器件的稳定性。
-
公开(公告)号：CN118973360B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411443451.2
申请日：2024-10-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及晶体管制备技术领域，提供一种分子膜光电晶体管及其制备方法，该方法包括：在衬底上旋涂光刻胶，对衬底依次进行曝光处理和蒸镀处理，获得包含金属电极的第一中间物；在第一中间物上自组装光敏分子膜，获得第二中间物；制备生长有单层石墨烯的第三中间物；制备包含石墨烯条带的第四中间物；制备包含石墨烯金属电极的第五中间物；在第五中间物上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，浸泡于三氯化铁盐酸溶液中，刻蚀去除铜箔，清洗，获得第六中间物；将第六中间物置于第二中间物上，获得分子膜光电晶体管。本发明实现快速制备成本低、环境稳定性高、制备工艺简单和良品率高的分子膜光电晶体管。
-
公开(公告)号：CN119306579A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411845810.7
申请日：2024-12-16
Applicant: 南开大学
IPC: C07C43/225 , C07D487/22 , C07D209/30 , C07D213/04 , C07D213/22 , C07D213/26 , H10N70/00 , H10N70/20
Abstract: 本发明涉及电子元件技术领域，尤其涉及一种用于忆阻器阵列的三元复合物及其制备方法。该三元复合物包括A、B和C：A为具有氨基末端的吡啶类衍生物的客体分子，B为桥连分子，C为具有葫芦脲结构的主体分子。A、B和C在水溶液中通过分子之间的范德华力和疏水作用自组装形成三元复合物；主体分子C具有桶状空腔结构，桶状空腔结构将客体分子A和桥连分子B包结于内。三元复合物在石墨烯电极的端部形成超分子链状结，能够适应不同间隙的石墨烯电极，大幅度提升阵列的分子连接成功率。该三元复合物的制备方法简便，易于操作，适用于规模化生产。
-
公开(公告)号：CN114213258B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202111521169.8
申请日：2021-12-13
Applicant: 北京未名元上分子技术有限公司 , 南开大学
IPC: C07C211/50 , C07C211/31 , C07D487/22 , C07D471/06 , H10K71/15 , H10K71/12 , H10K85/60 , H10K10/46
Abstract: 本申请提供了一种平面共轭分子化合物及包含其的单分子场效应晶体管，所述平面共轭分子化合物，共轭性好，平面性好，能够实现面对面堆积，有利于载流子的传输；所述单分子场效应晶体管中，所述平面共轭分子化合物能够通过酰胺共价键稳定连接于具有纳米间隙阵列的二维单层石墨烯的间隙形成分子异质结，并采用具有原子级平整且原子层厚度可控的新型二维材料，通过不同二维材料的范德华堆叠组装，形成范德华异质结构，能够实现单分子场效应晶体管器件制备的精准控制和测量的稳定性，使单分子场效应晶体管具有较强的栅电场调控能力、较好的稳定性和集成性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112582542B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202011410961.1
申请日：2020-12-06
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种基于二维范德华异质结构的单分子场效应晶体管及其制备方法,属于新材料以及分子场效应晶体管领域。由导电二维材料栅电极层、绝缘二维材料介质层、基于石墨烯点电极的单分子异质结以及保护层构成，制备方法包括1)二维叠层组装；2)作为器件各组成部分的二维材料具有原子级可控平整度和厚度；3)范德华异质结构的稳定性；4)与石墨烯基单分子异质结的结合。本发明通过不同二维材料的范德华堆叠组装，形成范德华异质结构。使得器件的介质层和栅极达到原子级平整并且原子层可控，实现单分子场效应晶体器件的精准控制制备，而使用六方氮化硼或氮化镓作为保护层对器件进行封装，大大减小了外界环境对器件的干扰，提高了器件的稳定性。
-
公开(公告)号：CN112582541A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011410952.2
申请日：2020-12-06
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种基于二维叠层异质结构的垂直单分子膜场效应晶体管及其制备方法，属于新材料以及分子场效应晶体管领域，由二维材料模板层、超平金属电极、二维材料绝缘支撑层、自组装单分子膜、二维材料漏端电极、绝缘二维材料介质层以及导电二维材料栅电极层构成。本发明采用新型二维材料替代传统场效应晶体管中的栅极和介电层材料，并引入二维材料绝缘层对电极间距进行原子级别厚度的精准控制，引入二维材料薄层对金属电极平整度进行改善，使得器件达到原子级平整并且原子层厚度可控，实现了具有室温稳定性的固态栅极调控的并且具有超平金属电极的垂直分子场效应晶体管，大大提高了器件的稳定性以及大规模集成的可能性。
-
公开(公告)号：CN119306579B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411845810.7
申请日：2024-12-16
Applicant: 南开大学
IPC: C07D209/30 , C07C43/225 , C07D487/22 , C07D213/04 , C07D213/22 , C07D213/26 , H10N70/00 , H10N70/20
Abstract: 本发明涉及电子元件技术领域，尤其涉及一种用于忆阻器阵列的三元复合物及其制备方法。该三元复合物包括A、B和C：A为具有氨基末端的吡啶类衍生物的客体分子，B为桥连分子，C为具有葫芦脲结构的主体分子。A、B和C在水溶液中通过分子之间的范德华力和疏水作用自组装形成三元复合物；主体分子C具有桶状空腔结构，桶状空腔结构将客体分子A和桥连分子B包结于内。三元复合物在石墨烯电极的端部形成超分子链状结，能够适应不同间隙的石墨烯电极，大幅度提升阵列的分子连接成功率。该三元复合物的制备方法简便，易于操作，适用于规模化生产。
-
公开(公告)号：CN118973360A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411443451.2
申请日：2024-10-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及晶体管制备技术领域，提供一种分子膜光电晶体管及其制备方法，该方法包括：在衬底上旋涂光刻胶，对衬底依次进行曝光处理和蒸镀处理，获得包含金属电极的第一中间物；在第一中间物上自组装光敏分子膜，获得第二中间物；制备生长有单层石墨烯的第三中间物；制备包含石墨烯条带的第四中间物；制备包含石墨烯金属电极的第五中间物；在第五中间物上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，浸泡于三氯化铁盐酸溶液中，刻蚀去除铜箔，清洗，获得第六中间物；将第六中间物置于第二中间物上，获得分子膜光电晶体管。本发明实现快速制备成本低、环境稳定性高、制备工艺简单和良品率高的分子膜光电晶体管。
-
公开(公告)号：CN114292201B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202111615533.7
申请日：2021-12-27
Applicant: 北京未名元上分子技术有限公司 , 南开大学
IPC: C07C225/24 , C07C211/50 , C07C211/31 , C07C211/25 , C07D213/38 , H10K85/60 , H10K10/46 , H10K71/00
Abstract: 本申请提供了一种具有量子干涉效应的化合物及包含其的单分子场效应晶体管，由于量子干涉效应，所述单分子场效应晶体管的开关比与普通分子构建的场效应晶体管相比有数量级的提升。本申请的单分子场效应晶体管中，具有量子干涉效应的化合物能够通过酰胺共价键稳定连接于具有纳米间隙阵列的二维单层石墨烯的间隙形成分子异质结，并采用具有原子级平整且原子层厚度可控的新型二维材料，通过不同二维材料的范德华堆叠组装，形成范德华异质结构，能够实现单分子场效应晶体管器件的精准控制制备，使单分子场效应晶体管具有较强的栅电场调控能力，具有较好的稳定性和集成性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.013 seconds)
