公开(公告)号：CN119306579B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411845810.7

申请日：2024-12-16

Applicant: 南开大学

Inventor： 陈颖 ,  贺苏杭 ,  常新月 ,  贾传成 ,  郭雪峰

IPC: C07D209/30 ,  C07C43/225 ,  C07D487/22 ,  C07D213/04 ,  C07D213/22 ,  C07D213/26 ,  H10N70/00 ,  H10N70/20

Abstract: 本发明涉及电子元件技术领域，尤其涉及一种用于忆阻器阵列的三元复合物及其制备方法。该三元复合物包括A、B和C：A为具有氨基末端的吡啶类衍生物的客体分子，B为桥连分子，C为具有葫芦脲结构的主体分子。A、B和C在水溶液中通过分子之间的范德华力和疏水作用自组装形成三元复合物；主体分子C具有桶状空腔结构，桶状空腔结构将客体分子A和桥连分子B包结于内。三元复合物在石墨烯电极的端部形成超分子链状结，能够适应不同间隙的石墨烯电极，大幅度提升阵列的分子连接成功率。该三元复合物的制备方法简便，易于操作，适用于规模化生产。

公开(公告)号：CN119306579A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202411845810.7

申请日：2024-12-16

Applicant: 南开大学

Inventor： 陈颖 ,  贺苏杭 ,  常新月 ,  贾传成 ,  郭雪峰

IPC: C07C43/225 ,  C07D487/22 ,  C07D209/30 ,  C07D213/04 ,  C07D213/22 ,  C07D213/26 ,  H10N70/00 ,  H10N70/20

Abstract: 本发明涉及电子元件技术领域，尤其涉及一种用于忆阻器阵列的三元复合物及其制备方法。该三元复合物包括A、B和C：A为具有氨基末端的吡啶类衍生物的客体分子，B为桥连分子，C为具有葫芦脲结构的主体分子。A、B和C在水溶液中通过分子之间的范德华力和疏水作用自组装形成三元复合物；主体分子C具有桶状空腔结构，桶状空腔结构将客体分子A和桥连分子B包结于内。三元复合物在石墨烯电极的端部形成超分子链状结，能够适应不同间隙的石墨烯电极，大幅度提升阵列的分子连接成功率。该三元复合物的制备方法简便，易于操作，适用于规模化生产。