公开(公告)号：CN117241660A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202311114717.4

申请日：2023-08-31

Applicant: 南开大学

Inventor： 郭雪峰 ,  相雅婷 ,  高春燕 ,  聂韩秋 ,  贾传成

IPC: H10N70/00 ,  H10N70/20 ,  H10B63/00

Abstract: 本发明涉及分子光电器件技术领域，提供一种基于富勒烯包合物的光电忆阻器及其制备方法，光电忆阻器底部的导电金属源极与富勒烯包合物分子通过共价键形成稳定的连接，顶部通过非共价键的范德华作用被石墨烯漏极封装，形成的密闭的垂直异质结构保证了器件的低噪声运行，同时利用导电金属栅极通过双电层调控分子能级，展示出非线性忆阻效应、较高的栅控效率、两个电导值的可逆转换以及良好的保持特性。

公开(公告)号：CN116528593A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310289260.4

申请日：2023-03-23

Applicant: 南开大学

Inventor： 贾传成 ,  高春燕 ,  司伟 ,  汪博宇 ,  常新月 ,  郭雪峰

IPC: H10K10/00 ,  G11C11/34 ,  H10B99/00

Abstract: 本申请提供了一种垂直单分子存储器件及其制备方法，所述垂直单分子存储器件能够达到原子级平整，且原子层厚度可控，所包含的光/电致异构分子在电场和光照或温度刺激下会发生异构转换，通过稳定调节所述光/电致异构分子的异构转换，从而实现稳定的存储功能，同时采用新型二维材料替代传统场效应晶体管中的栅极，引入离子液体实现双电层栅场，并通过采用二维材料的绝缘支撑层对电极间距进行原子级别厚度的精准控制，从而获得器件尺寸小、稳定性好、栅调控效率高且具有能够大规模集成的优势的垂直单分子存储器件。

公开(公告)号：CN116234423A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310160140.4

申请日：2023-02-24

Applicant: 南开大学

Inventor： 郭雪峰 ,  司伟 ,  高春燕 ,  汪博宇 ,  常新月 ,  贾传成

IPC: H10N70/20

Abstract: 本申请提供了一种垂直单分子集成忆阻器件及其制备方法，所述垂直单分子集成忆阻器件包含电致异构分子；所述电致异构分子为单侧末端有炔基修饰的降冰片二烯衍生物分子。本申请的垂直单分子集成忆阻器件能够达到原子级平整，且原子层厚度可控，所包含的电致异构分子在电场刺激下会发生异构转换，通过电场可稳定调节所述电致异构分子的异构转换，从而实现稳定的忆阻功能；所述垂直单分子集成忆阻器件具有器件尺寸小、稳定性好、能够大规模集成的优势。