-
公开(公告)号：CN119653967B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510163132.4
申请日：2025-02-14
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，尤其涉及一种基于偶极控制的单分子电忆阻器及其制备方法，该分子电忆阻器包括分子异质结，分子异质结由偶极分子和石墨烯点电极通过酰胺键连接构成，该偶极分子包含基于咔唑含氮杂环单元的酰胺结构，在外电场作用下，偶极分子侧链化学键能够快速旋转，改变分子内偶极矩的大小和方向，促使分子在不同的电阻态之间快速稳定切换、显著提升忆阻器的读写速度；在断电条件下稳定地保持其存储状态，确保忆阻功能的长期稳定、可靠。其制备方法包括引入偶极分子，使其与石墨烯点电极之间形成酰胺键的过程，该制备方法操作简便、条件温和，有利于规模化生产。
-
公开(公告)号：CN118973360A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411443451.2
申请日：2024-10-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及晶体管制备技术领域，提供一种分子膜光电晶体管及其制备方法，该方法包括：在衬底上旋涂光刻胶，对衬底依次进行曝光处理和蒸镀处理，获得包含金属电极的第一中间物；在第一中间物上自组装光敏分子膜，获得第二中间物；制备生长有单层石墨烯的第三中间物；制备包含石墨烯条带的第四中间物；制备包含石墨烯金属电极的第五中间物；在第五中间物上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，浸泡于三氯化铁盐酸溶液中，刻蚀去除铜箔，清洗，获得第六中间物；将第六中间物置于第二中间物上，获得分子膜光电晶体管。本发明实现快速制备成本低、环境稳定性高、制备工艺简单和良品率高的分子膜光电晶体管。
-
公开(公告)号：CN118234253A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410651381.3
申请日：2024-05-24
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种基于双栅调控的单分子场效应晶体管及其制备方法，上述基于双栅调控的单分子场效应晶体管包括：单分子场效应晶体管和顶栅结构，所述顶栅结构组装于所述单分子场效应晶体管的顶部；单分子场效应晶体管包括石墨烯电极和单个目标分子构成的单分子异质结，所述单分子异质结由末端含有氨基的目标分子与末端羧基化的石墨烯电极反应形成。上述基于双栅调控的单分子场效应晶体管的制备方法包括单分子场效应晶体管、顶栅结构的制备以及单分子场效应晶体管和顶栅结构的组装过程。通过将顶栅、单分子场效应晶体管分开制备后再进行一步组装，从而避免了制备过程中对器件性能的破坏风险。
-
公开(公告)号：CN116528593A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310289260.4
申请日：2023-03-23
Applicant: 南开大学
Abstract: 本申请提供了一种垂直单分子存储器件及其制备方法，所述垂直单分子存储器件能够达到原子级平整，且原子层厚度可控，所包含的光/电致异构分子在电场和光照或温度刺激下会发生异构转换，通过稳定调节所述光/电致异构分子的异构转换，从而实现稳定的存储功能，同时采用新型二维材料替代传统场效应晶体管中的栅极，引入离子液体实现双电层栅场，并通过采用二维材料的绝缘支撑层对电极间距进行原子级别厚度的精准控制，从而获得器件尺寸小、稳定性好、栅调控效率高且具有能够大规模集成的优势的垂直单分子存储器件。
-
公开(公告)号：CN118973360B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411443451.2
申请日：2024-10-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及晶体管制备技术领域，提供一种分子膜光电晶体管及其制备方法，该方法包括：在衬底上旋涂光刻胶，对衬底依次进行曝光处理和蒸镀处理，获得包含金属电极的第一中间物；在第一中间物上自组装光敏分子膜，获得第二中间物；制备生长有单层石墨烯的第三中间物；制备包含石墨烯条带的第四中间物；制备包含石墨烯金属电极的第五中间物；在第五中间物上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，浸泡于三氯化铁盐酸溶液中，刻蚀去除铜箔，清洗，获得第六中间物；将第六中间物置于第二中间物上，获得分子膜光电晶体管。本发明实现快速制备成本低、环境稳定性高、制备工艺简单和良品率高的分子膜光电晶体管。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119636217B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510163100.4
申请日：2025-02-14
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及电致发光的光电器件技术领域，尤其涉及一种基于单个手性稀土配合物分子电致圆偏振发光的光电器件及其制备方法，该光电器件的自旋霍尔效应检测层包括铂薄膜和非磁性金属检测电极，非磁性金属检测电极设置于铂薄膜长度方向的侧缘；石墨烯点电极设置于绝缘层的上表面宽度方向的侧缘，分子异质结的两端分别通过酰胺键与石墨烯点电极连接形成石墨烯点电极‑分子异质结阵列，磁性金属电极设置于石墨烯点电极上表面宽度方向的外侧缘，该光电器件将稀土配合物优异的光电性能与分子电子学技术相结合，提高了光电器件在单分子层面的检测灵敏度，该制备方法反应条件温和、操作简单，有利于该光电器件的推广使用。
-
公开(公告)号：CN118234253B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410651381.3
申请日：2024-05-24
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种基于双栅调控的单分子场效应晶体管及其制备方法，上述基于双栅调控的单分子场效应晶体管包括：单分子场效应晶体管和顶栅结构，所述顶栅结构组装于所述单分子场效应晶体管的顶部；单分子场效应晶体管包括石墨烯电极和单个目标分子构成的单分子异质结，所述单分子异质结由末端含有氨基的目标分子与末端羧基化的石墨烯电极反应形成。上述基于双栅调控的单分子场效应晶体管的制备方法包括单分子场效应晶体管、顶栅结构的制备以及单分子场效应晶体管和顶栅结构的组装过程。通过将顶栅、单分子场效应晶体管分开制备后再进行一步组装，从而避免了制备过程中对器件性能的破坏风险。
-
公开(公告)号：CN119653967A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202510163132.4
申请日：2025-02-14
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，尤其涉及一种基于偶极控制的单分子电忆阻器及其制备方法，该分子电忆阻器包括分子异质结，分子异质结由偶极分子和石墨烯点电极通过酰胺键连接构成，该偶极分子包含基于咔唑含氮杂环单元的酰胺结构，在外电场作用下，偶极分子侧链化学键能够快速旋转，改变分子内偶极矩的大小和方向，促使分子在不同的电阻态之间快速稳定切换、显著提升忆阻器的读写速度；在断电条件下稳定地保持其存储状态，确保忆阻功能的长期稳定、可靠。其制备方法包括引入偶极分子，使其与石墨烯点电极之间形成酰胺键的过程，该制备方法操作简便、条件温和，有利于规模化生产。
-
公开(公告)号：CN119636217A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202510163100.4
申请日：2025-02-14
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及电致发光的光电器件技术领域，尤其涉及一种基于单个手性稀土配合物分子电致圆偏振发光的光电器件及其制备方法，该光电器件的自旋霍尔效应检测层包括铂薄膜和非磁性金属检测电极，非磁性金属检测电极设置于铂薄膜长度方向的侧缘；石墨烯点电极设置于绝缘层的上表面宽度方向的侧缘，分子异质结的两端分别通过酰胺键与石墨烯点电极连接形成石墨烯点电极‑分子异质结阵列，磁性金属电极设置于石墨烯点电极上表面宽度方向的外侧缘，该光电器件将稀土配合物优异的光电性能与分子电子学技术相结合，提高了光电器件在单分子层面的检测灵敏度，该制备方法反应条件温和、操作简单，有利于该光电器件的推广使用。
-
公开(公告)号：CN116234423A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310160140.4
申请日：2023-02-24
Applicant: 南开大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本申请提供了一种垂直单分子集成忆阻器件及其制备方法，所述垂直单分子集成忆阻器件包含电致异构分子；所述电致异构分子为单侧末端有炔基修饰的降冰片二烯衍生物分子。本申请的垂直单分子集成忆阻器件能够达到原子级平整，且原子层厚度可控，所包含的电致异构分子在电场刺激下会发生异构转换，通过电场可稳定调节所述电致异构分子的异构转换，从而实现稳定的忆阻功能；所述垂直单分子集成忆阻器件具有器件尺寸小、稳定性好、能够大规模集成的优势。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.017 seconds)
