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公开(公告)号：CN118946255A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411008597.4
申请日：2024-07-26
Abstract: 本发明为一种基于石墨烯/全氟酞菁铜的突触晶体管及其制备方法。该突触晶体管的结构自下而上分别为衬底、功能层、源漏电极和离子胶栅介电层；所述功能层为石墨烯/全氟酞菁铜薄膜，厚度为2.5～25nm；其中，石墨烯薄膜厚度为0.5～5nm，全氟酞菁铜薄膜厚度为2～20nm。本发明制备的石墨烯/全氟酞菁铜突触晶体管，通过切换栅极施加的突触前脉冲刺激的正负极性，改变沟道中传输的载流子类型(电子或空穴)，可以实现短程/长程可塑性的快速切换。
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公开(公告)号：CN112103388B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202011019085.X
申请日：2020-09-23
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明为一种基于Ti3C2‑MXene/电解质结构的人工突触器件的制备方法。该方法包括如下步骤：1)用异丙醇热蒸汽熏蒸衬底表面；2)将Ti3C2‑MXene分散液于所得的硅衬底上，旋涂，退火后获得Ti3C2‑MXene薄膜；3)在Ti3C2‑MXene薄膜构筑聚合物电解质薄膜：4)在聚合物电解质薄膜的表面上蒸镀金属电极，制备得到基于Ti3C2‑MXene的两端人工突触电子器件；本发明得到的Ti3C2‑MXene薄膜本身能够收纳多种类的碱金属离子，可以调节器件在脉冲作用后的突触后电流，特别是可以通过Ti3C2‑MXene/电解质结构的突触器件实现更为灵敏的脉冲响应。
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公开(公告)号：CN116451753A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310287657.X
申请日：2023-03-23
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明为一种具有色/电双权重调控的人工突触器件。该器件的组成包括：衬底的表面边缘，分别间隔分布有源极和漏极，源极、漏极以及二者之间的衬底表面，都覆盖有纳米线薄膜；纳米线薄膜上依次覆盖有Nafion薄膜和离子胶。本发明得到的器件能够在电刺激下同时实现颜色权重与电导权重的双重调节，且使这两种权重都具有极短的突触可塑性，在撤去刺激仅1秒后，兴奋性色度完全降为0，而残留的兴奋性突触后电流降为初始值的1/3000。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114744114A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210418786.3
申请日：2022-04-20
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明为一种具有长时程突触可塑性的突触晶体管及其制备方法。该晶体管的结构为：衬底上为半导体层，半导体层的两端有电极，电极之间的半导体层上，覆盖有离子胶层；其中，电极为间隔的源极和漏极；所述半导体层为氧化铟锌纳米线阵列以及覆盖其上nafion‑石墨烯量子点共混层；制备中在nafion薄膜中加入石墨烯量子点，形成了石墨烯量子点和nafion的共混结构，大幅增大器件长时程可塑性。本发明为具有长时程突触可塑性的突触晶体管，丰富了具有仿生功能的突触晶体管功能层材料的选择。
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公开(公告)号：CN112103388A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202011019085.X
申请日：2020-09-23
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明为一种基于Ti3C2‑MXene/电解质结构的人工突触器件的制备方法。该方法包括如下步骤：1)用异丙醇热蒸汽熏蒸衬底表面；2)将Ti3C2‑MXene分散液于所得的硅衬底上，旋涂，退火后获得Ti3C2‑MXene薄膜；3)在Ti3C2‑MXene薄膜构筑聚合物电解质薄膜：4)在聚合物电解质薄膜的表面上蒸镀金属电极，制备得到基于Ti3C2‑MXene的两端人工突触电子器件；本发明得到的Ti3C2‑MXene薄膜本身能够收纳多种类的碱金属离子，可以调节器件在脉冲作用后的突触后电流，特别是可以通过Ti3C2‑MXene/电解质结构的突触器件实现更为灵敏的脉冲响应。
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公开(公告)号：CN114744114B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202210418786.3
申请日：2022-04-20
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明为一种具有长时程突触可塑性的突触晶体管及其制备方法。该晶体管的结构为：衬底上为半导体层，半导体层的两端有电极，电极之间的半导体层上，覆盖有离子胶层；其中，电极为间隔的源极和漏极；所述半导体层为氧化铟锌纳米线阵列以及覆盖其上nafion‑石墨烯量子点共混层；制备中在nafion薄膜中加入石墨烯量子点，形成了石墨烯量子点和nafion的共混结构，大幅增大器件长时程可塑性。本发明为具有长时程突触可塑性的突触晶体管，丰富了具有仿生功能的突触晶体管功能层材料的选择。
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公开(公告)号：CN112201750B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202011073522.6
申请日：2020-10-09
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明为一种用于模拟生物突触神经递质多路复用的双兴奋性人工突触器件的制备方法。该方法包括以下步骤：1)[PVDF‑HFP][EMIM‑TFSI]离子胶的制备；2)在衬底上覆盖二维过渡金属硫化物薄膜；3)在二维过渡金属硫化物薄膜上蒸镀金属电极；4)在两侧金电极的中间沟道处加盖离子胶绝缘层。本发明实现了模拟同一个突触前膜释放两种兴奋性神经递质，这两种兴奋性神经递质既可以独立的引起突触后膜的兴奋性反应，又可以在同时存在的情况下起到相互抑制的作用，减小兴奋性突触后电流。
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公开(公告)号：CN112201750A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202011073522.6
申请日：2020-10-09
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明为一种用于模拟生物突触神经递质多路复用的双兴奋性人工突触器件的制备方法。该方法包括以下步骤：1)[PVDF‑HFP][EMIM‑TFSI]离子胶的制备；2)在衬底上覆盖二维过渡金属硫化物薄膜；3)在二维过渡金属硫化物薄膜上蒸镀金属电极；4)在两侧金电极的中间沟道处加盖离子胶绝缘层。本发明实现了模拟同一个突触前膜释放两种兴奋性神经递质，这两种兴奋性神经递质既可以独立的引起突触后膜的兴奋性反应，又可以在同时存在的情况下起到相互抑制的作用，减小兴奋性突触后电流。
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