一种基于单晶钙钛矿的两端人工突触及其制备方法

    公开(公告)号:CN111834530A

    公开(公告)日:2020-10-27

    申请号:CN202010743126.3

    申请日:2020-07-29

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明为一种基于单晶钙钛矿的两端人工突触及其制备方法。所述的人工突触分为三层,由下至上依次为衬底、半导体活性层和间隔金属层;所述的间隔金属层为左金属电极和右金属电极;左、右电极距离为100-150微米;其中,所述的半导体活性层的材质为单晶钙钛矿;所述的左金属电极和右金属电极的材质均为金。本发明得到的横向传输电流的单晶钙钛矿人工突触具有超长且可控的电流传输距离(100-150微米),皮安级别的操作电流,且能耗在数值上突破了飞焦级别(~10飞焦)。

    一种基于对甲氧基苯乙酸钝化剂的钙钛矿太阳电池

    公开(公告)号:CN113193117A

    公开(公告)日:2021-07-30

    申请号:CN202110479820.3

    申请日:2021-04-30

    Applicant: 南开大学

    Inventor: 李跃龙 周芯

    Abstract: 本发明公开了一种基于有机分子钝化剂的钙钛矿太阳电池及其制备方法,属于太阳电池领域。该结构包括透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿吸收层、有机分子钝化层、空穴传输层和金属电极。所述有机分子钝化剂为对甲氧基苯乙酸、苯甲醚、苯乙酸等苯环上具有‑COOH或‑CH3O的化合物及其衍生物中的至少一种。采用该钝化剂对钙钛矿薄膜的上下表面或薄膜内部进行钝化处理,可有效降低钙钛矿薄膜表面或体内的缺陷密度、抑制非辐射复合、增强钙钛矿薄膜的内建电场,提高钙钛矿太阳电池的性能。本发明提出的有机分子钝化剂适用于单结钙钛矿太阳电池,钙钛矿/晶硅或钙钛矿/钙钛矿等多结叠层太阳电池,具有广阔的应用前景。

    一种基于单晶钙钛矿的两端人工突触及其制备方法

    公开(公告)号:CN111834530B

    公开(公告)日:2022-04-29

    申请号:CN202010743126.3

    申请日:2020-07-29

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明为一种基于单晶钙钛矿的两端人工突触及其制备方法。所述的人工突触分为三层,由下至上依次为衬底、半导体活性层和间隔金属层;所述的间隔金属层为左金属电极和右金属电极;左、右电极距离为100‑150微米;其中,所述的半导体活性层的材质为单晶钙钛矿;所述的左金属电极和右金属电极的材质均为金。本发明得到的横向传输电流的单晶钙钛矿人工突触具有超长且可控的电流传输距离(100‑150微米),皮安级别的操作电流,且能耗在数值上突破了飞焦级别(~10飞焦)。

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