公开(公告)号：CN116546823A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310369616.5

申请日：2023-04-10

Applicant: 南京邮电大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

Inventor： 朱越 ,  沈希舟 ,  潘柯宇 ,  王文渊 ,  唐蔚宇 ,  张珺 ,  姚佳飞 ,  陈静 ,  郭宇锋

IPC: H10K10/46 ,  H10K10/82

Abstract: 本发明公开了一种提高横向共聚物器件耐压的高K介质结构，包括横向共聚物器件本体和高K介质阵列；横向共聚物器件本体包括从下至上依次布设的衬底、有机半导体层、栅极绝缘层和栅极；有机半导体层内置有源极和漏极，位于栅极和漏极之间的有机半导体层形成为有机半导体漂移区；有机半导体漂移区的长度范围为L＝20～50um；高K介质阵列沉积在有机半导体漂移区正上方的栅极绝缘层内部或表面；高K介质阵列包括沿有机半导体漂移区长度方向等间距排列的若干个高K介质；若干个高K介质的横向长度从栅极至源极逐渐减小。本发明能够大幅提高器件耐压，提升器件可靠性。