公开(公告)号：CN116207163A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202310234783.9

申请日：2023-03-13

Applicant: 南京邮电大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

Inventor： 张茂林 ,  马万煜 ,  姚佳飞 ,  刘增 ,  郭宇锋 ,  唐为华

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/24 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明属于功率半导体器件技术领域，具体地说，是一种氧化镓横向肖特基二极管的结构及制造方法，包括由下往上依次排列的衬底、氧化镓外延层和钝化层，阳极电极与阴极电极穿通所述钝化层并嵌于所述氧化镓外延层中，且所述钝化层、电极、外延层与衬底的形状、尺寸一一匹配，本发明主要通过阴极电极与阳极电极穿通钝化层并嵌于氧化镓外延层中，增加了金属电极与半导体材料的接触面积，利于形成稳定的金属与半导体之间的肖特基接触或欧姆接触，凹槽结构提高了金属半导体接触区域与整个功率器件的导电性和稳定性，使得功率器件的性能更稳定，且可用于高压功率电路于系统。

公开(公告)号：CN116288693A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310211232.0

申请日：2023-03-07

Applicant: 南京邮电大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

Inventor： 张茂林 ,  姚苏昊 ,  姚佳飞 ,  刘增 ,  郭宇锋 ,  唐为华

IPC: C30B25/14 ,  C30B25/16 ,  C30B25/10 ,  C30B29/16 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明属于化学气相沉积的材料生长方法技术领域，具体地说，是一种雾相输运化学气相沉积生长氧化镓的薄膜生长系统，包括气流导管、气流喷管、气流输运管道、气流恒温装置和温度监测装置，气流喷管和温度监测装置通过法兰部分嵌套于气流输运管道内部，气流恒温装置位于气流输运管道内部。气流恒温装置提高了薄膜生长区的热导率，实现薄膜生长区的温场均匀化，气流喷管提前对低温气流进行加热，降低气流对薄膜生长区的温场影响，从而获得更均匀的薄膜生长温度，温度监测可以准确的获得薄膜生长区的温度，从而实现最优的生长环境。本发明为实现高均匀度和高纯度的氧化镓外延薄膜制备提供一种有效的生长系统。

公开(公告)号：CN117038781A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202310795816.7

申请日：2023-06-30

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 唐为华 ,  奚昭颖 ,  李山 ,  杨莉莉 ,  刘增

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/109 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明公开了一种应用于火焰传感的La2O3/ε‑Ga2O3异质结基自供电日盲紫外光电探测器的制备方法。本发明首次构建La2O3/ε‑Ga2O3平面异质结，通过La2O3/ε‑Ga2O3异质结中内建电场的作用，使得在无外加偏压时，异质界面也可以有效分离由254nm光激发产生的电子‑空穴对，使得电子向n型的ε‑Ga2O3方向漂移，而空穴向p型的La2O3方向漂移，从而实现自供电工作模式，经实验证明该器件可以应用于火焰探测中。