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公开(公告)号：CN116288693A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310211232.0
申请日：2023-03-07
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: C30B25/14 , C30B25/16 , C30B25/10 , C30B29/16 , C23C16/455
Abstract: 本发明属于化学气相沉积的材料生长方法技术领域，具体地说，是一种雾相输运化学气相沉积生长氧化镓的薄膜生长系统，包括气流导管、气流喷管、气流输运管道、气流恒温装置和温度监测装置，气流喷管和温度监测装置通过法兰部分嵌套于气流输运管道内部，气流恒温装置位于气流输运管道内部。气流恒温装置提高了薄膜生长区的热导率，实现薄膜生长区的温场均匀化，气流喷管提前对低温气流进行加热，降低气流对薄膜生长区的温场影响，从而获得更均匀的薄膜生长温度，温度监测可以准确的获得薄膜生长区的温度，从而实现最优的生长环境。本发明为实现高均匀度和高纯度的氧化镓外延薄膜制备提供一种有效的生长系统。
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公开(公告)号：CN116056468A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310156323.9
申请日：2023-02-23
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于PEDOT:PSS/SiC有机无机异质结的自供电紫外光电探测器及其制备方法，包括衬底；PEDOT:PSS有机层，所述PEDOT:PSS有机层为p型导电，所述PEDOT:PSS有机层附着于所述衬底表面；第一电极，与所述衬底形成欧姆接触；以及，第二电极，与所述PEDOT:PSS有机层形成欧姆接触。本发明可以实现自供电的光电探测模式，即在零偏压下也能完成光信号到电信号的转换响应度大，外量子效率高，制备方法简单，使用成本低。
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公开(公告)号：CN113746464A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111035555.6
申请日：2021-09-03
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明提供了一种LDMOS性能优化的自适应衬底电压调节电路，通过电压比较器和单输入双输出直流稳压电源转换器控制LDMOS关态和开态的衬底电压，在提高关态击穿电压的同时保证开态性能不变，改善了两者的折衷关系。在实际制造过程中，采用常规的CMOS工艺就可以实现该技术，无需增加额外掩模版和工艺流程，制备简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN113746464B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202111035555.6
申请日：2021-09-03
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明提供了一种LDMOS性能优化的自适应衬底电压调节电路，通过电压比较器和单输入双输出直流稳压电源转换器控制LDMOS关态和开态的衬底电压，在提高关态击穿电压的同时保证开态性能不变，改善了两者的折衷关系。在实际制造过程中，采用常规的CMOS工艺就可以实现该技术，无需增加额外掩模版和工艺流程，制备简单，成本低廉。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116207163A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310234783.9
申请日：2023-03-13
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/24 , H01L29/417 , H01L29/47
Abstract: 本发明属于功率半导体器件技术领域，具体地说，是一种氧化镓横向肖特基二极管的结构及制造方法，包括由下往上依次排列的衬底、氧化镓外延层和钝化层，阳极电极与阴极电极穿通所述钝化层并嵌于所述氧化镓外延层中，且所述钝化层、电极、外延层与衬底的形状、尺寸一一匹配，本发明主要通过阴极电极与阳极电极穿通钝化层并嵌于氧化镓外延层中，增加了金属电极与半导体材料的接触面积，利于形成稳定的金属与半导体之间的肖特基接触或欧姆接触，凹槽结构提高了金属半导体接触区域与整个功率器件的导电性和稳定性，使得功率器件的性能更稳定，且可用于高压功率电路于系统。
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公开(公告)号：CN116056467A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310156271.5
申请日：2023-02-23
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于GaN/PEDOT:PSS平面异质结的忆阻器及其制备方法，包括衬底；GaN薄膜，所述GaN薄膜为p型导电，所述GaN薄膜附着于所述衬底表面；PEDOT:PSS有机层，所述PEDOT:PSS有机层为p型导电，所述PEDOT:PSS有机层附着于所述GaN薄膜表面；第一电极，与所述GaN薄膜形成欧姆接触；以及，第二电极，与所述PEDOT:PSS有机层形成欧姆接触。本发明通过GaN/PEDOT:PSS异质结产生的空间电荷层与GaN薄膜氮空位的共同作用，可以在外置电压的控制下实现器件电阻在高阻态和低阻态之间切换，实现数据的非易失性写入和擦除。
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公开(公告)号：CN119317201A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411165138.7
申请日：2024-08-23
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H10F30/222 , H10F77/12 , H10F71/00
Abstract: 本发明公开了一种基于GaN/CuI异质结的自供电紫外光电探测器及其制备方法和低功耗紫外光通讯系统，所述自供电紫外光电探测器基于n型GaN薄膜层和CuI薄膜层构成的异质结结构，该异质结响应速度快，稳定性高，能够实现自供电光探测模式。所述系统包括紫外光源、光信号接收器、数据采集模块和解码模块，数据采集模块由电源模块、放大电路和高精度电流表组成。解码模块由模数转换器，单片机开发板组成，使用GaN/CuI异质结光电探测器作为光信号接收器，实现了低功耗、高保密性和高灵活性的特点。
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公开(公告)号：CN118064866A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410265223.4
申请日：2024-03-08
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C23C16/40 , C23C16/505 , C22C28/00 , C22C1/12
Abstract: 本发明提供了一种通过合金反应源在PECVD系统制备铟掺杂氧化镓薄膜的方法，属于半导体材料制备技术领域。该方法将液态金属镓与金属铟颗粒充分混合成合金作为反应源，在PECVD系统中以适当的条件与氧气反应，在衬底上生长铟掺杂的氧化镓薄膜。本发明提供的掺杂方法是一种实用的PECVD生长铟掺杂氧化镓薄膜的技术，可以制备高纯度铟掺杂的氧化镓薄膜，并可通过控制反应源中的金属比例，实现掺杂浓度的精确调控，从而实现对薄膜的性能调控。本发明提供的合金源制备铟掺杂氧化镓薄膜技术可重复性好、工艺简单、成本低，有利于规模化生产和进一步的应用。
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公开(公告)号：CN117038781A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310795816.7
申请日：2023-06-30
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/109 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了一种应用于火焰传感的La2O3/ε‑Ga2O3异质结基自供电日盲紫外光电探测器的制备方法。本发明首次构建La2O3/ε‑Ga2O3平面异质结，通过La2O3/ε‑Ga2O3异质结中内建电场的作用，使得在无外加偏压时，异质界面也可以有效分离由254nm光激发产生的电子‑空穴对，使得电子向n型的ε‑Ga2O3方向漂移，而空穴向p型的La2O3方向漂移，从而实现自供电工作模式，经实验证明该器件可以应用于火焰探测中。
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