公开(公告)号：CN118064866A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410265223.4

申请日：2024-03-08

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 杨莉莉 ,  奚昭颖 ,  李山 ,  唐为华

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/505 ,  C22C28/00 ,  C22C1/12

Abstract: 本发明提供了一种通过合金反应源在PECVD系统制备铟掺杂氧化镓薄膜的方法，属于半导体材料制备技术领域。该方法将液态金属镓与金属铟颗粒充分混合成合金作为反应源，在PECVD系统中以适当的条件与氧气反应，在衬底上生长铟掺杂的氧化镓薄膜。本发明提供的掺杂方法是一种实用的PECVD生长铟掺杂氧化镓薄膜的技术，可以制备高纯度铟掺杂的氧化镓薄膜，并可通过控制反应源中的金属比例，实现掺杂浓度的精确调控，从而实现对薄膜的性能调控。本发明提供的合金源制备铟掺杂氧化镓薄膜技术可重复性好、工艺简单、成本低，有利于规模化生产和进一步的应用。

公开(公告)号：CN117038781A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202310795816.7

申请日：2023-06-30

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 唐为华 ,  奚昭颖 ,  李山 ,  杨莉莉 ,  刘增

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/109 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明公开了一种应用于火焰传感的La2O3/ε‑Ga2O3异质结基自供电日盲紫外光电探测器的制备方法。本发明首次构建La2O3/ε‑Ga2O3平面异质结，通过La2O3/ε‑Ga2O3异质结中内建电场的作用，使得在无外加偏压时，异质界面也可以有效分离由254nm光激发产生的电子‑空穴对，使得电子向n型的ε‑Ga2O3方向漂移，而空穴向p型的La2O3方向漂移，从而实现自供电工作模式，经实验证明该器件可以应用于火焰探测中。