-
公开(公告)号：CN117926217A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410090329.5
申请日：2024-01-23
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C23C16/44 , C23C16/40 , C23C16/52 , G06F30/28 , G06F30/10 , G06F119/14 , G06F113/08
Abstract: 本发明公开了一种半导体材料技术领域的分析α‑Ga2O3生长情况的雾化学气相沉积系统及方法，旨在解决现有技术中Mist‑CVD系统连续生长亚稳定相α‑Ga2O3的初始成核过程中存在生成物均匀性较差的问题，其包括构建雾化学气相沉积系统的三维模型，对三维模型进行网格划分生成网格文件；将网格文件导入计算流体力学仿真软件中，设定三维模型的边界条件，并选定多相流求解器；利用多相流求解器对三维模型内反应进行计算；根据计算结果对α‑Ga2O3生长情况进行分析等步骤。本发明可以有效对α‑Ga2O3在雾化学气相沉积系统在的生长情况进行分析，促进生成物α‑Ga2O3的生长均匀性。
-
公开(公告)号：CN102134308A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201110006992.5
申请日：2011-01-13
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 氮杂芴酮类共轭聚合物材料及其制备和应用方法涉及一类含特殊的氮杂芴单体的聚合物材料，并涉及该类材料在有机太阳能电池、有机电致发光、有机场效应管和有机电存储等领域的应用。该类共轭聚合物材料具有4，5-二氮杂芴酮单元骨架。具有：(1)4，5-二氮杂芴酮单元具有强的电子受体特性，通过共聚可制备给受体窄带隙材料；(2)具有线性平面构象，具有结晶性；(3)与金属离子配位等优点。利用本发明的材料制备的太阳能电池器件在能量转换效率等方面获得了令人满意的结果，该类材料将成为低成本的有商业化潜力的光电材料。
-
公开(公告)号：CN115862750A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211661988.7
申请日：2022-12-23
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种半导体材料技术领域的研究α‑Ga2O3生长的雾化学沉积系统及其构建方法，旨在解决现有技术中所使用的Mist‑CVD系统以水平式系统为主，存在大尺寸生长时均匀性较差的问题，其构建方法包括以下步骤：建立二维腔体模型，设定其边界类型，并进行网格划分，生成网格文件；用计算流体力学仿真软件读取网格文件，设置相应条件及参数，并选定计算模型和求解器；利用求解器进行迭代求解；查看求解得到的各项计算结果。本发明通过Mist‑CVD反应腔进行二维网格建模，分析其流场和反应物分布，并深入研究壁面温度等生长参数对生成物质量及均匀性的影响，进而对实现大面积均匀外延提供优化参数。
-
公开(公告)号：CN114664933A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210151840.2
申请日：2022-02-18
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种肖特基二极管，包括从上往下依次设置的阳极区、漂移区、衬底区和阴极区，还包括场板区，场板区设置于阳极区中间，场板区被分割成栅结构，场板区和漂移区的材料均为α‑Ga2O3。本发明在阳极区中间增加栅结构的场板区，场板区和漂移区均采用α‑Ga2O3材料，栅结构的场板区能优化电流拥挤效应，改善电极与漂移区接触面处电场分布，提高了器件的击穿电压，基于α‑Ga2O3的漂移区，可采用增加厚度的方式抑制垂直泄漏电流，并且也能提高器件耐压，使器件最大击穿场强超过10MV/cm，解决目前功率二极管漏电流高，耐压偏低的问题。
-
公开(公告)号：CN113457113A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110733117.0
申请日：2021-06-30
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提出了一种基于NFC技术的卡牌游戏防作弊系统，该系统包括带有NFC标签的卡牌系统、NFC读写器系统、服务器和游戏比赛系统，所述带有NFC标签的卡牌系统中每张卡牌存储的ID编码信息均不相同并且独一无二；所述NFC读写器系统和游戏比赛系统均与服务器时刻保持连接；所述带有NFC标签的卡牌系统进入NFC读写器系统的识别区域依次进行读取，然后在手机上进行游戏比赛。本发明能够避免游戏过程中魔术换牌，无故丢牌藏牌的作弊行为。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102120814A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN201010590291.6
申请日：2010-12-13
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 可溶性氮杂芴类共轭聚合物材料及其制备和应用方法涉及光电材料领域，并涉及该类材料在有机电致发光、有机太阳能电池、有机电存储、有机场效应管、和生物传感等领域的应用。该类共轭聚合物材料具有烷基4，5-二氮杂芴单元骨架。聚合物I具有：(1)烷基4，5-二氮杂芴单元具有电子受体特性；(2)具有线性平面构象，窄带隙；(3)与金属离子配位等优点。利用本发明的材料所制备的半导体器件获得了令人满意的结果，该类材料将成为低成本的具有商业化潜力的光电材料。
-
公开(公告)号：CN113457113B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202110733117.0
申请日：2021-06-30
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提出了一种基于NFC技术的卡牌游戏防作弊系统，该系统包括带有NFC标签的卡牌系统、NFC读写器系统、服务器和游戏比赛系统，所述带有NFC标签的卡牌系统中每张卡牌存储的ID编码信息均不相同并且独一无二；所述NFC读写器系统和游戏比赛系统均与服务器时刻保持连接；所述带有NFC标签的卡牌系统进入NFC读写器系统的识别区域依次进行读取，然后在手机上进行游戏比赛。本发明能够避免游戏过程中魔术换牌，无故丢牌藏牌的作弊行为。
-
公开(公告)号：CN101492447A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200910024463.0
申请日：2009-02-23
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D471/04 , C07D519/00 , H01L51/56 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 氮杂芴类有机半导体材料及制备和应用方法属有机光电材料科技领域，具体为一种氮杂芴类有机半导体材料及其制备方法，并将该类材料应用于有机发光显示、荧光传感、有机闪存器件和太阳能电池等有机电子领域，该材料具有如上结构，该材料具有：(1)氮杂芴具有特殊的电子受体电子结构和光电性质；(2)可以和金属相互作用或反应，应用于传感领域；(3)合成路线简单等优点。
-
公开(公告)号：CN115862750B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202211661988.7
申请日：2022-12-23
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种半导体材料技术领域的研究α‑Ga2O3生长的雾化学沉积系统及其构建方法，旨在解决现有技术中所使用的Mist‑CVD系统以水平式系统为主，存在大尺寸生长时均匀性较差的问题，其构建方法包括以下步骤：建立二维腔体模型，设定其边界类型，并进行网格划分，生成网格文件；用计算流体力学仿真软件读取网格文件，设置相应条件及参数，并选定计算模型和求解器；利用求解器进行迭代求解；查看求解得到的各项计算结果。本发明通过Mist‑CVD反应腔进行二维网格建模，分析其流场和反应物分布，并深入研究壁面温度等生长参数对生成物质量及均匀性的影响，进而对实现大面积均匀外延提供优化参数。
-
公开(公告)号：CN114664933B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202210151840.2
申请日：2022-02-18
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种肖特基二极管，包括从上往下依次设置的阳极区、漂移区、衬底区和阴极区，还包括场板区，场板区设置于阳极区中间，场板区被分割成栅结构，场板区和漂移区的材料均为α‑Ga2O3。本发明在阳极区中间增加栅结构的场板区，场板区和漂移区均采用α‑Ga2O3材料，栅结构的场板区能优化电流拥挤效应，改善电极与漂移区接触面处电场分布，提高了器件的击穿电压，基于α‑Ga2O3的漂移区，可采用增加厚度的方式抑制垂直泄漏电流，并且也能提高器件耐压，使器件最大击穿场强超过10MV/cm，解决目前功率二极管漏电流高，耐压偏低的问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.023 seconds)
