公开(公告)号：CN114664933A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202210151840.2

申请日：2022-02-18

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 葛雅倩 ,  盛雨 ,  李思彦 ,  陈琳

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/43 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明公开了一种肖特基二极管，包括从上往下依次设置的阳极区、漂移区、衬底区和阴极区，还包括场板区，场板区设置于阳极区中间，场板区被分割成栅结构，场板区和漂移区的材料均为α‑Ga2O3。本发明在阳极区中间增加栅结构的场板区，场板区和漂移区均采用α‑Ga2O3材料，栅结构的场板区能优化电流拥挤效应，改善电极与漂移区接触面处电场分布，提高了器件的击穿电压，基于α‑Ga2O3的漂移区，可采用增加厚度的方式抑制垂直泄漏电流，并且也能提高器件耐压，使器件最大击穿场强超过10MV/cm，解决目前功率二极管漏电流高，耐压偏低的问题。

公开(公告)号：CN114664933B

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202210151840.2

申请日：2022-02-18

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 葛雅倩 ,  盛雨 ,  李思彦 ,  陈琳

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/43 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明公开了一种肖特基二极管，包括从上往下依次设置的阳极区、漂移区、衬底区和阴极区，还包括场板区，场板区设置于阳极区中间，场板区被分割成栅结构，场板区和漂移区的材料均为α‑Ga2O3。本发明在阳极区中间增加栅结构的场板区，场板区和漂移区均采用α‑Ga2O3材料，栅结构的场板区能优化电流拥挤效应，改善电极与漂移区接触面处电场分布，提高了器件的击穿电压，基于α‑Ga2O3的漂移区，可采用增加厚度的方式抑制垂直泄漏电流，并且也能提高器件耐压，使器件最大击穿场强超过10MV/cm，解决目前功率二极管漏电流高，耐压偏低的问题。