一种上行高谱效多址接入业务共存方法

    公开(公告)号:CN116782402A

    公开(公告)日:2023-09-19

    申请号:CN202310682302.0

    申请日:2023-06-09

    Inventor: 杨浩 戴叶玲 郭焱

    Abstract: 本发明公开了一种上行高谱效多址接入业务共存方法,属于无线通信技术领域,方法包括:通过增强型移动宽带用户和大规模机器类通信用户的位置信息,估计各用户与无线接入点之间的角度信息并设置门限值,进而筛选出符合门限值且信道质量最优的增强型移动宽带用户进行通信服务;计算当前时隙被服务的增强型移动宽带用户满足服务质量需求时可容忍的最大干扰,结合大规模机器类通信用户的信道差异性,选取大规模机器类通信用户与当前时隙被服务的增强型移动宽带用户共享同一时频资源,实现上行增强型移动宽带业务和大规模机器类通信业务共存。该方法能够在实现上行增强型移动宽带业务和大规模机器类通信业务共存同时提高通信系统的频谱效率。

    一种频谱共享场景下的星地融合网络通感一体化传输方法

    公开(公告)号:CN118282485A

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202410559536.0

    申请日:2024-05-08

    Abstract: 本发明公开了一种频谱共享场景下的星地融合网络通感一体化传输方法,包括:星地融合网络的控制中心获取覆盖范围内卫星用户和地面用户的非完美信道状态信息;根据获取的非完美信道状态信息,卫星网络采用多播技术服务多个卫星用户,地面网络则通过通感一体化技术为多个地面用户提供通信服务的同时,对特定的区域进行感知;在满足通信和感知需求的条件下,通过对卫星平台和基站的波束成形权矢量进行鲁棒优化设计,不仅使得系统总的发射功率最小化,而且使得卫星和地面网络间的干扰进行有效抑制,实现两个网络的频谱共享。本发明针对星地融合网络,提出的通感一体化传输方法既满足了未来移动通信需要同时提供通信和感知服务的需求,而且能有效提升频谱效率。

    一种光电集成器件及制备方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114582911A

    公开(公告)日:2022-06-03

    申请号:CN202210098675.9

    申请日:2022-01-27

    Abstract: 本发明公开了一种光电集成器件及其制作方法,包括:多个有序排列的基本单元,所述基本单元包括多量子阱MicroLED和垂直结构GaN MOSFET;所述蓝宝石衬底的顶层设有键合介质层,所述蓝宝石衬底的底层为器件的出光面;所述多量子阱Micro LED设于键合介质层的顶层;所述垂直结构GaN MOSFET设于多量子阱Micro LED的上方,所述垂直结构GaN MOSFET的漏区与所述多量子阱Micro LED的N区通过共享二极管N‑GaN结构层串联;本发明的发光器件与驱动电子器件制作在同一块芯片上,不仅可利用现有的GaN工艺平台实现批量化制造,降低生产成本,还具备体积小、速度快、可靠性高的显著优势;GaN MOSFET采用新颖的垂直结构设计,可极大地缩短驱动晶体管的沟道长度,对提升集成器件的性能和集成度具有重要意义。

    一种单片集成式光电耦合器及制备方法

    公开(公告)号:CN114582912A

    公开(公告)日:2022-06-03

    申请号:CN202210098679.7

    申请日:2022-01-27

    Abstract: 本发明公开了一种单片集成式光电耦合器及其制作方法,包括设在同一块GaN基外延晶圆上的可见光LED和一个光敏VMOSFET;所述可见光LED作为光发射器,用于将电信号转换为光信号,所述可见光LED与所述光敏VMOSFET位于同一块衬底上,并通过隔离深槽实现物理和电学上的分隔;本发明的光电耦合器各个部件制作在同一块芯片上,即实现了单片集成,可带来体积小、功耗低、速度快、可靠性高、制造批量化等显著优势。

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