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公开(公告)号：CN111848698A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010716229.0
申请日：2020-07-23
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化还原格芳烃、基于该氧化还原格芳烃的有机场效应晶体管存储器及制备方法，所述氧化还原格芳烃具有对称的几何结构，具有较明显分离的LUMO和HOMO能级，结构式如下： 本发明将氧化还原格芳烃作为有机场效应晶体管存储器的电荷存储层。该存储器件可用于制造非易失性存储设备，例如：移动硬盘、U盘；以及柔性存储设备，例如：电子皮肤，可穿戴设备。该场效应存储器件表现出了有机存储器适合柔性、大面积以及工艺成本低等优势。本发明通过简单的工艺制备了存储器件，并且降低了器件制备成本。对于应用有较大优势。
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公开(公告)号：CN111848698B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202010716229.0
申请日：2020-07-23
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化还原格芳烃、基于该氧化还原格芳烃的有机场效应晶体管存储器及制备方法，所述氧化还原格芳烃具有对称的几何结构，具有较明显分离的LUMO和HOMO能级，结构式如下：本发明将氧化还原格芳烃作为有机场效应晶体管存储器的电荷存储层。该存储器件可用于制造非易失性存储设备，例如：移动硬盘、U盘；以及柔性存储设备，例如：电子皮肤，可穿戴设备。该场效应存储器件表现出了有机存储器适合柔性、大面积以及工艺成本低等优势。本发明通过简单的工艺制备了存储器件，并且降低了器件制备成本。对于应用有较大优势。
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公开(公告)号：CN110423238B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201910739710.9
申请日：2019-08-12
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D487/22 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
Abstract: 本发明公开了一种可进行芴基傅克反应修饰的卟啉分子及其后修饰材料和制备方法与应用，利用傅克反应对卟啉分子功能化修饰的方法是将一种卟啉环引入共轭打断的位阻基团分子，有利地破坏了其面面间的π‑π作用，有效调控能级结构，实现其功能化修饰。本发明提供的傅克反应的合成策略绿色环保、低损耗高收率、操作简单、成本低价，是可以推广应用的新的卟啉功能化修饰的方法。本发明设计合成的卟啉傅克后修饰的结构分子是一种功能化的光电信息材料，将其应用于忆阻器活性层，用于人工神经网络的功能模拟，有望为有机忆阻器材料应用提供新的可能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114005938A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202110659295.3
申请日：2021-06-11
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明揭示了一种基于芴酮类聚合物驻极体的有机场效应晶体管存储器，该存储器从下至上依次包括衬底及基于该衬底之上的栅电极、栅绝缘层、柱极体层、有机半导体层及源漏电极，所述驻极体层为芴酮类聚合物，芴酮类聚合物的厚度为10～30nm。通过旋涂溶液法将不同组分的芴酮类聚合物驻极体制备成电荷俘获层薄膜，基于此电荷俘获层的OFET存储器不仅可以在光电的调控下实现双向的电荷存储，还可以实现ms级别的快速响应及良好的双向耐受性，并且整个操作工艺简单、成本低廉，该方法是一种改善聚合物存储行为的有效且通用的方法，制备的非易失性OFET存储器可应用在柔性及穿戴电子设备中，有利于未来存储器件的进一步发展推广与生产。
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公开(公告)号：CN110423238A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910739710.9
申请日：2019-08-12
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D487/22 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
Abstract: 本发明公开了一种可进行芴基傅克反应修饰的卟啉分子及其后修饰材料和制备方法与应用，利用傅克反应对卟啉分子功能化修饰的方法是将一种卟啉环引入共轭打断的位阻基团分子，有利地破坏了其面面间的π-π作用，有效调控能级结构，实现其功能化修饰。本发明提供的傅克反应的合成策略绿色环保、低损耗高收率、操作简单、成本低价，是可以推广应用的新的卟啉功能化修饰的方法。本发明设计合成的卟啉傅克后修饰的结构分子是一种功能化的光电信息材料，将其应用于忆阻器活性层，用于人工神经网络的功能模拟，有望为有机忆阻器材料应用提供新的可能。
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公开(公告)号：CN111875616B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202010716236.0
申请日：2020-07-23
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D495/10 , H01L51/05 , H01L51/30
Abstract: 本发明公开了一种芴螺环衍生物及合成方法、基于芴螺环衍生物的有机场效应晶体管存储器及制备方法，芴螺环衍生物的结构通式为：本发明将芴螺环衍生物作为有机场效应晶体管存储器的电荷存储层。该存储器件可用于制造非易失性存储设备，例如：移动硬盘、U盘；以及柔性存储设备，例如：电子皮肤，可穿戴设备。该场效应存储器件表现出了有机存储器适合柔性、大面积以及工艺成本低等优势。本发明通过简单的工艺制备了存储器件，并且降低了器件制备成本。对于应用有较大优势。
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公开(公告)号：CN111875616A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010716236.0
申请日：2020-07-23
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D495/10 , H01L51/05 , H01L51/30
Abstract: 本发明公开了一种芴螺环衍生物及合成方法、基于芴螺环衍生物的有机场效应晶体管存储器及制备方法，芴螺环衍生物的结构通式为：本发明将芴螺环衍生物作为有机场效应晶体管存储器的电荷存储层。该存储器件可用于制造非易失性存储设备，例如：移动硬盘、U盘；以及柔性存储设备，例如：电子皮肤，可穿戴设备。该场效应存储器件表现出了有机存储器适合柔性、大面积以及工艺成本低等优势。本发明通过简单的工艺制备了存储器件，并且降低了器件制备成本。对于应用有较大优势。
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公开(公告)号：CN110526923A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910733037.8
申请日：2019-08-09
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D487/22 , H01L51/00 , H01L51/05
Abstract: 本发明公开了一种侧链修饰的卟啉分子及其应用，其侧链修饰的卟啉分子以富电子功能的卟啉分子为俘获电荷的核心，以烷氧基链段为电荷传递过程的抑制部分，保证其可应用于可溶液加工的柔性结构。本发明从薄膜形貌、制备工艺、性能调控的角度对分子结构进行理性设计并对比有机场效应晶体管存储器器件性能。本发明提出了做到了调节其存储器性能的同时，提供了一种可商业推广、成本低廉、工艺简化的材料与器件的制备方法。
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