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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110423238A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910739710.9
申请日：2019-08-12
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D487/22 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
Abstract: 本发明公开了一种可进行芴基傅克反应修饰的卟啉分子及其后修饰材料和制备方法与应用，利用傅克反应对卟啉分子功能化修饰的方法是将一种卟啉环引入共轭打断的位阻基团分子，有利地破坏了其面面间的π-π作用，有效调控能级结构，实现其功能化修饰。本发明提供的傅克反应的合成策略绿色环保、低损耗高收率、操作简单、成本低价，是可以推广应用的新的卟啉功能化修饰的方法。本发明设计合成的卟啉傅克后修饰的结构分子是一种功能化的光电信息材料，将其应用于忆阻器活性层，用于人工神经网络的功能模拟，有望为有机忆阻器材料应用提供新的可能。
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公开(公告)号：CN110526923A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910733037.8
申请日：2019-08-09
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D487/22 , H01L51/00 , H01L51/05
Abstract: 本发明公开了一种侧链修饰的卟啉分子及其应用，其侧链修饰的卟啉分子以富电子功能的卟啉分子为俘获电荷的核心，以烷氧基链段为电荷传递过程的抑制部分，保证其可应用于可溶液加工的柔性结构。本发明从薄膜形貌、制备工艺、性能调控的角度对分子结构进行理性设计并对比有机场效应晶体管存储器器件性能。本发明提出了做到了调节其存储器性能的同时，提供了一种可商业推广、成本低廉、工艺简化的材料与器件的制备方法。
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公开(公告)号：CN110423238B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201910739710.9
申请日：2019-08-12
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D487/22 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
Abstract: 本发明公开了一种可进行芴基傅克反应修饰的卟啉分子及其后修饰材料和制备方法与应用，利用傅克反应对卟啉分子功能化修饰的方法是将一种卟啉环引入共轭打断的位阻基团分子，有利地破坏了其面面间的π‑π作用，有效调控能级结构，实现其功能化修饰。本发明提供的傅克反应的合成策略绿色环保、低损耗高收率、操作简单、成本低价，是可以推广应用的新的卟啉功能化修饰的方法。本发明设计合成的卟啉傅克后修饰的结构分子是一种功能化的光电信息材料，将其应用于忆阻器活性层，用于人工神经网络的功能模拟，有望为有机忆阻器材料应用提供新的可能。
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公开(公告)号：CN109053722B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201810768096.4
申请日：2018-07-12
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D471/04
Abstract: 本发明公开了一种菲啰啉配合物，其结构通式如下：本发明同时公开了一种菲啰啉配合物忆阻器，包括阳极与阴极、以及位于阳极与阴极之间的阻变层，其中阻变层包括由菲啰啉配合物形成的菲啰啉配合物活性薄膜层，该忆阻器可应用于阵列作为节点链接处理器的交叉阵列人工神经计算系统及制造具有学习功能的人工智能系统。本发明具有工艺简单且成本低的优点。
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公开(公告)号：CN109053722A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810768096.4
申请日：2018-07-12
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D471/04
CPC classification number: C07D471/04
Abstract: 本发明公开了一种菲啰啉配合物，其结构通式如下：本发明同时公开了一种菲啰啉配合物忆阻器，包括阳极与阴极、以及位于阳极与阴极之间的阻变层，其中阻变层包括由菲啰啉配合物形成的菲啰啉配合物活性薄膜层，该忆阻器可应用于阵列作为节点链接处理器的交叉阵列人工神经计算系统及制造具有学习功能的人工智能系统。本发明具有工艺简单且成本低的优点。
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