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公开(公告)号：CN116199707A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310209593.1
申请日：2023-03-07
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一类苯并二噻吩衍生物及其制备和应用，属于有机存储和信息技术领域。该类衍生物是在苯并二噻吩结构上键连接三异丙基乙炔基硅后制得，所得化合物具有大的共轭平面以及电荷云密度，且具有良好的π–π堆积性能，与三异丙基乙炔基硅结合可进一步抑制电荷泄漏，阻挡载流子的流失，从而可提高电荷的存储稳定性和耐受性，因而适于制备有机场效应晶体管存储器。本申请将该类苯并二噻吩衍生物作为OFET存储器的电荷俘获层，由于苯并二噻吩具有电荷俘获位点，所以当给器件施加电压，在电场的作用下，电子或者空穴从半导体层隧穿进入到存储层，就会更加容易被俘获，有助于提升器件的存储性能。
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公开(公告)号：CN114005938A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202110659295.3
申请日：2021-06-11
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明揭示了一种基于芴酮类聚合物驻极体的有机场效应晶体管存储器，该存储器从下至上依次包括衬底及基于该衬底之上的栅电极、栅绝缘层、柱极体层、有机半导体层及源漏电极，所述驻极体层为芴酮类聚合物，芴酮类聚合物的厚度为10～30nm。通过旋涂溶液法将不同组分的芴酮类聚合物驻极体制备成电荷俘获层薄膜，基于此电荷俘获层的OFET存储器不仅可以在光电的调控下实现双向的电荷存储，还可以实现ms级别的快速响应及良好的双向耐受性，并且整个操作工艺简单、成本低廉，该方法是一种改善聚合物存储行为的有效且通用的方法，制备的非易失性OFET存储器可应用在柔性及穿戴电子设备中，有利于未来存储器件的进一步发展推广与生产。
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公开(公告)号：CN116199707B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202310209593.1
申请日：2023-03-07
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一类苯并二噻吩衍生物及其制备和应用，属于有机存储和信息技术领域。该类衍生物是在苯并二噻吩结构上键连接三异丙基乙炔基硅后制得，所得化合物具有大的共轭平面以及电荷云密度，且具有良好的π–π堆积性能，与三异丙基乙炔基硅结合可进一步抑制电荷泄漏，阻挡载流子的流失，从而可提高电荷的存储稳定性和耐受性，因而适于制备有机场效应晶体管存储器。本申请将该类苯并二噻吩衍生物作为OFET存储器的电荷俘获层，由于苯并二噻吩具有电荷俘获位点，所以当给器件施加电压，在电场的作用下，电子或者空穴从半导体层隧穿进入到存储层，就会更加容易被俘获，有助于提升器件的存储性能。
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公开(公告)号：CN114891022A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210338305.8
申请日：2022-04-01
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D495/22 , C07D493/22 , C07D517/22 , H01L51/30 , H01L51/05 , B82Y10/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种有机纳米格子分子材料，其结构通式为：其中：R为氢或具有1至22个碳原子的直链、支链或者环状烷基链或其烷氧基链；X原子为C或N；Y原子为O,S或Se；G为芳香基团或者非芳香基团。本发明的有机纳米格子分子材料具有良好的电化学稳定性，其框架的刚性结构可减少器件制备过程中的薄膜溶剂依赖性，适用于制备有机场效应晶体管存储器的存储层。
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公开(公告)号：CN114891022B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202210338305.8
申请日：2022-04-01
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D495/22 , C07D493/22 , C07D517/22 , H10K85/60 , H10K10/46 , B82Y10/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明的有机纳米格子分子材料具有良好的电本发明公开了一种有机纳米格子分子材料， 化学稳定性，其框架的刚性结构可减少器件制备过程中的薄膜溶剂依赖性，适用于制备有机场效应晶体管存储器的存储层。其结构通式为：其中：R为氢或具有1至22个碳原子的直链、支链
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