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公开(公告)号：CN117119813A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310725114.1
申请日：2023-06-19
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种神经突触仿生光电缓变忆阻器及其制备方法，属于有机电子以及光电信息技术领域，缓变忆阻器的器件结构是交叉结构，在导电玻璃上由下而上依次包括底电极、功能层和顶电极三个部分，所述的功能层是聚[2‑甲氧基‑5‑(2‑乙基己氧基)‑1,4‑苯乙炔]MEH‑PPV层；所述底电极为氧化铟锡ITO，所述顶电极为Ag，所述MEH‑PPV层是连续平整的无定形薄膜。MEH‑PPV层采用溶液旋涂法制备，具有好的可持续性、溶解性好、制作简单、光电性能优异等优点；制备的神经突触仿生光电缓变忆阻器能够进行多种神经形态模拟，对不同波长、不同强度的光有不同的响应；成本低，可重复性好，可用于人工神经形态计算系统中，为构建视觉感知系统提供了更多的可能性。
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公开(公告)号：CN110423238A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910739710.9
申请日：2019-08-12
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D487/22 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
Abstract: 本发明公开了一种可进行芴基傅克反应修饰的卟啉分子及其后修饰材料和制备方法与应用，利用傅克反应对卟啉分子功能化修饰的方法是将一种卟啉环引入共轭打断的位阻基团分子，有利地破坏了其面面间的π-π作用，有效调控能级结构，实现其功能化修饰。本发明提供的傅克反应的合成策略绿色环保、低损耗高收率、操作简单、成本低价，是可以推广应用的新的卟啉功能化修饰的方法。本发明设计合成的卟啉傅克后修饰的结构分子是一种功能化的光电信息材料，将其应用于忆阻器活性层，用于人工神经网络的功能模拟，有望为有机忆阻器材料应用提供新的可能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112271256A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202010964865.5
申请日：2020-09-15
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种空气稳定型忆阻器及其制备方法，忆阻器由上至下包括顶电极、有机活性层、底电极和基底，有机活性层由氯代酞菁铜组成，有机活性层的厚度为70~85 nm。制备方法包括先在基底表面生长一层底电极，然后清洗并烘干，接着进行紫外臭氧处理，最后在真空蒸镀系统中依次蒸镀有机活性层和顶电极。本发明的忆阻器具有良好的空气稳定性及耐热耐湿性，并且具有可柔性化制作的优点，其阻值变化可以用来有效地模拟生物突触功能，开拓了可靠的人工突触在空气环境中长期运行的新材料策略。
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公开(公告)号：CN114512608B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202210037712.5
申请日：2022-01-13
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种抑制氧气逸出的基于氧空位导电丝的阻变存储器及其制备方法，该存储器的结构由下至上依次包括基底、底电极、功能层和顶电极；其中，所述功能层由壳聚糖层和氧化铝层组成，所述壳聚糖层是将壳聚糖溶液旋涂在底电极上制备形成的薄膜，所述壳聚糖溶液为脱乙酰度≥95％的壳聚糖溶于2％的乙酸形成；所述氧化铝层是由三甲基铝和水反应生成氢氧化铝随后分解形成。本发明通过ALD法在壳聚糖层上沉积氧化铝层，抑制了壳聚糖层中在形成氧空位导电丝后，从顶电极逸出的氧气，实现了存储器件的低操作电压、高开关比，提升了稳定性，获得了可多次读写擦循环的阻变存储器器件。
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公开(公告)号：CN114512608A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210037712.5
申请日：2022-01-13
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种抑制氧气逸出的基于氧空位导电丝的阻变存储器及其制备方法，该存储器的结构由下至上依次包括基底、底电极、功能层和顶电极；其中，所述功能层由壳聚糖层和氧化铝层组成，所述壳聚糖层是将壳聚糖溶液旋涂在底电极上制备形成的薄膜，所述壳聚糖溶液为脱乙酰度≥95％的壳聚糖溶于2％的乙酸形成；所述氧化铝层是由三甲基铝和水反应生成氢氧化铝随后分解形成。本发明通过ALD法在壳聚糖层上沉积氧化铝层，抑制了壳聚糖层中在形成氧空位导电丝后，从顶电极逸出的氧气，实现了存储器件的低操作电压、高开关比，提升了稳定性，获得了可多次读写擦循环的阻变存储器器件。
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公开(公告)号：CN119095474A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411246056.5
申请日：2024-09-06
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种具有大范围电导可调控的异质结忆阻器及其所述制备方法，所述忆阻器包括：依次设置的顶电极、功能层、底电极和基底，所述顶电极、功能层、底电极和基底相互垂直；所述功能层由p型有机材料PTAA和p型掺杂剂F4‑TCNQ组成。本发明结构易于设计，工艺简单，产率高，具有普适性，开拓了可靠的线性大范围电导可调控的人工突触在空气环境下稳定运行的新材料策略，为构建高稳定性，高精确度人工神经网络提供技术储备，从而促进人工智能器件的发展。
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公开(公告)号：CN110423238B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201910739710.9
申请日：2019-08-12
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D487/22 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
Abstract: 本发明公开了一种可进行芴基傅克反应修饰的卟啉分子及其后修饰材料和制备方法与应用，利用傅克反应对卟啉分子功能化修饰的方法是将一种卟啉环引入共轭打断的位阻基团分子，有利地破坏了其面面间的π‑π作用，有效调控能级结构，实现其功能化修饰。本发明提供的傅克反应的合成策略绿色环保、低损耗高收率、操作简单、成本低价，是可以推广应用的新的卟啉功能化修饰的方法。本发明设计合成的卟啉傅克后修饰的结构分子是一种功能化的光电信息材料，将其应用于忆阻器活性层，用于人工神经网络的功能模拟，有望为有机忆阻器材料应用提供新的可能。
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