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公开(公告)号：CN101275036B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200810087042.8
申请日：2008-03-27
Applicant: 南京理工大学
IPC: C08L101/00 , C08K3/04 , C08J3/22 , H01B1/24 , C08L23/12 , C08L81/06 , C08L67/02 , C08L25/06 , C08L23/06 , C08L27/06 , C08L23/16 , C08L63/00
Abstract: 本发明公开聚合物导电纳米复合材料的一种制备方法。本发明将可膨胀石墨与聚合物或聚合物溶液在可膨胀石墨可膨化的温度下进行混合直接制得聚合物导电纳米复合材料，或者先将可膨胀石墨与聚合物、聚合物溶液、低分子有机助剂或低分子有机助剂溶液在可膨胀石墨可膨化的温度下进行混合制得纳米石墨导电复合体，然后再与聚合物复合制得聚合物导电纳米复合材料。可膨胀石墨最好是250℃时膨胀容积≥100mL/g的低温可膨胀石墨。可膨胀石墨与聚合物、聚合物溶液、低分子有机助剂或者低分子有机助剂溶液进行混合的整个过程或部分阶段最好是在可膨胀石墨膨胀容积≥100mL/g的温度下进行。本发明工艺简单，制造成本低，易于生产应用。
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公开(公告)号：CN101275036A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810087042.8
申请日：2008-03-27
Applicant: 南京理工大学
IPC: C08L101/00 , C08K3/04 , C08J3/22 , H01B1/24 , C08L23/12 , C08L81/06 , C08L67/02 , C08L25/06 , C08L23/06 , C08L27/06 , C08L23/16 , C08L63/00
Abstract: 本发明公开聚合物导电纳米复合材料的一种制备方法。本发明将可膨胀石墨与聚合物或聚合物溶液在可膨胀石墨可膨化的温度下进行混合直接制得聚合物导电纳米复合材料，或者先将可膨胀石墨与聚合物、聚合物溶液、低分子有机助剂或低分子有机助剂溶液在可膨胀石墨可膨化的温度下进行混合制得纳米石墨导电复合体，然后再与聚合物复合制得聚合物导电纳米复合材料。可膨胀石墨最好是250℃时膨胀容积≥100mL/g的低温可膨胀石墨。可膨胀石墨与聚合物、聚合物溶液、低分子有机助剂或者低分子有机助剂溶液进行混合的整个过程或部分阶段最好是在可膨胀石墨膨胀容积≥100mL/g的温度下进行。本发明工艺简单，制造成本低，易于生产应用。
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公开(公告)号：CN100430338C
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200510040100.8
申请日：2005-05-19
Applicant: 南京理工大学
IPC: C04B35/536 , C04B35/634
Abstract: 本发明公开了一种聚合物/石墨纳米导电复合材料的制备方法。本发明将低分子助剂如增塑剂的溶液或乳液与膨胀石墨混合，并待低分子助剂溶液或乳液渗透进入膨胀石墨中后脱除溶剂或分散介质，制成膨胀石墨与低分子助剂相复合的复合膨胀石墨，然后再将复合膨胀石墨与聚合物进行熔融混合以制备得到聚合物/石墨纳米导电复合材料。本发明制备方法简单易行，可以无需使用特殊和价贵有毒的溶剂，制备的聚合物/石墨纳米导电复合材料中，石墨基本以纳米级石墨晶片片层形式分散在聚合物基体内，石墨用量低，导电性能优异，并且制备的导电复合材料成本低廉，易于推广应用。
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公开(公告)号：CN1827553A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200510040100.8
申请日：2005-05-19
Applicant: 南京理工大学
IPC: C04B35/536 , C04B35/634
Abstract: 本发明公开了一种聚合物/石墨纳米导电复合材料的制备方法。本发明将低分子助剂如增塑剂的溶液或乳液与膨胀石墨混合，并待低分子助剂溶液或乳液渗透进入膨胀石墨中后脱除溶剂或分散介质，制成膨胀石墨与低分子助剂相复合的复合膨胀石墨，然后再将复合膨胀石墨与聚合物进行熔融混合以制备得到聚合物/石墨纳米导电复合材料。本发明制备方法简单易行，可以无需使用特殊和价贵有毒的溶剂，制备的聚合物/石墨纳米导电复合材料中，石墨基本以纳米级石墨晶片片层形式分散在聚合物基体内，石墨用量低，导电性能优异，并且制备的导电复合材料成本低廉，易于推广应用。
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