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公开(公告)号：CN100430338C
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200510040100.8
申请日：2005-05-19
Applicant: 南京理工大学
IPC: C04B35/536 , C04B35/634
Abstract: 本发明公开了一种聚合物/石墨纳米导电复合材料的制备方法。本发明将低分子助剂如增塑剂的溶液或乳液与膨胀石墨混合，并待低分子助剂溶液或乳液渗透进入膨胀石墨中后脱除溶剂或分散介质，制成膨胀石墨与低分子助剂相复合的复合膨胀石墨，然后再将复合膨胀石墨与聚合物进行熔融混合以制备得到聚合物/石墨纳米导电复合材料。本发明制备方法简单易行，可以无需使用特殊和价贵有毒的溶剂，制备的聚合物/石墨纳米导电复合材料中，石墨基本以纳米级石墨晶片片层形式分散在聚合物基体内，石墨用量低，导电性能优异，并且制备的导电复合材料成本低廉，易于推广应用。
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公开(公告)号：CN1827553A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200510040100.8
申请日：2005-05-19
Applicant: 南京理工大学
IPC: C04B35/536 , C04B35/634
Abstract: 本发明公开了一种聚合物/石墨纳米导电复合材料的制备方法。本发明将低分子助剂如增塑剂的溶液或乳液与膨胀石墨混合，并待低分子助剂溶液或乳液渗透进入膨胀石墨中后脱除溶剂或分散介质，制成膨胀石墨与低分子助剂相复合的复合膨胀石墨，然后再将复合膨胀石墨与聚合物进行熔融混合以制备得到聚合物/石墨纳米导电复合材料。本发明制备方法简单易行，可以无需使用特殊和价贵有毒的溶剂，制备的聚合物/石墨纳米导电复合材料中，石墨基本以纳米级石墨晶片片层形式分散在聚合物基体内，石墨用量低，导电性能优异，并且制备的导电复合材料成本低廉，易于推广应用。
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公开(公告)号：CN1948241B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200510094783.5
申请日：2005-10-13
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明提供一种聚合物复合包膜型缓释肥料。本发明聚合物复合包膜型缓释肥料由肥料芯和肥料芯外面的包膜组成，其中包膜包含：(a)采用熔体型和/或有机溶液型聚合物胶粘剂进行包膜形成的高阻透性聚合物膜层，(b)采用乳液型聚合物胶粘剂进行包膜形成的聚合物膜层和/或含硫聚合物混合物膜层。熔体型和有机溶液型聚合物胶粘剂最好是非极性聚合物胶粘剂。采用熔体型和有机溶液型聚合物胶粘剂进行包膜形成的高阻透性聚合物膜层中可以含有缓释调节剂和增量剂。含硫聚合物混合物膜层中硫磺的质量分数可以为0％～95％。高阻透性聚合物膜层的平均厚度可以为2～30μm。本发明聚合物复合包膜型缓释肥料的释放期长，而且在较宽范围内任意可调。
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公开(公告)号：CN1948241A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200510094783.5
申请日：2005-10-13
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明提供一种聚合物复合包膜型缓释肥料。本发明聚合物复合包膜型缓释肥料由肥料芯和肥料芯外面的包膜组成，其中包膜包含：(a)采用熔体型和/或有机溶液型聚合物胶粘剂进行包膜形成的高阻透性聚合物膜层，(b)采用乳液型聚合物胶粘剂进行包膜形成的聚合物膜层和/或含硫聚合物混合物膜层。熔体型和有机溶液型聚合物胶粘剂最好是非极性聚合物胶粘剂。采用熔体型和有机溶液型聚合物胶粘剂进行包膜形成的高阻透性聚合物膜层中可以含有缓释调节剂和增量剂。含硫聚合物混合物膜层中硫磺的质量分数可以为0％～95％。高阻透性聚合物膜层的平均厚度可以为2～30μm。本发明聚合物复合包膜型缓释肥料的释放期长，而且在较宽范围内任意可调。
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