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公开(公告)号：CN119799313A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411924102.2
申请日：2024-12-25
Applicant: 南京理工大学
IPC: C09K11/02 , G02F1/13357 , C09K11/62 , B82Y20/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种Ag‑In‑Ga‑S量子点背光膜的构筑方法，通过取用AIGS量子点原液，进行后处理，制得AIGS量子点粉末；称量聚合物并将其加入非极性溶剂中加热搅拌溶解，制得聚合物溶液；将AIGS量子点粉末与聚合物溶液搅拌混合至均匀，将其倾倒在平板上，通过涂布机刮涂成均匀厚度的量子点初始薄膜；将其置入烘箱中，在一定温度下烘干一定时间，得到AIGS量子点背光膜。本发明利用AIGS量子点作为光致发光材料，将不同种类AIGS量子点粉末与聚合物溶液相混合，烘干制得AIGS量子点背光膜。该方法在提升了AIGS量子点背光膜荧光发光强度的同时，降低了其蓝光透过率，是下一代照明及高清显示领域应用的理想选择。
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公开(公告)号：CN119451345A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202310972154.6
申请日：2023-08-03
Applicant: 南京理工大学
IPC: H10H29/01 , H10H29/851 , H10H29/30 , H10H20/812
Abstract: 本发明公开了一种基于钙钛矿量子点薄膜的Micro‑LED色转换层加工方法，其步骤为：在匀胶机中，于石英玻璃基片上采用钙钛矿量子点材料制备薄膜；用激光加工方法处理钙钛矿量子点薄膜使其形成阵列；用单色Micro‑LED显示芯片与阵列相结合，完成色转换。本发明用激光处理钙钛矿量子点薄膜的方法实现阵列化显示，操作简便，成本较低，无需模板，制备效率高，能够针对需求制备不同尺寸、间隔的像素用做颜色转换层，结合Micro‑LED芯片实现色转换，进一步提升了钙钛矿量子点在显示方面的应用。
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公开(公告)号：CN118969141A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410915241.2
申请日：2024-07-09
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种熵驱动卤化物铅基钙钛矿材料环保化和光电性能调控的高通量模拟方法。所述方法包括：（1）混合构型熵的计算和分类，确定形成五种以上阳离子钙钛矿结构时混合构型熵的范围以及铅元素的含量；（2）建立理想模型，构建铅替代所有可能比例的钙钛矿结构；（3）优化理想模型，筛选出比初始钙钛矿结构稳定的所有结构；（4）电子结构性质计算和分析，获得光电性能优异的结构；（5）数据库的构建，形成铅替代稳定且光电性能优异的材料数据库。本发明通过模拟计算揭示熵的调控，可作为解决钙钛矿毒性和光电性能矛盾的一种可行手段，通过熵的调控得到需要的材料特性，可以避免实验上一一试错的低效性。
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公开(公告)号：CN118108262A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202211471564.4
申请日：2022-11-23
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种二维磁性氧化铁纳米片作为电磁波吸收材料的应用。所述的二维磁性氧化铁纳米片为二维Fe3O4纳米片，通过将无磁性的α‑Fe2O3纳米片于5vol%H2/Ar气氛下进行加热还原后得到。该吸波材料在2‑18 GHz范围内具有较好的吸波性能。
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公开(公告)号：CN117693263A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311673365.6
申请日：2023-12-07
Applicant: 南京理工大学
IPC: H10K71/00 , H10K50/80 , H10K50/125 , G02B5/28
Abstract: 本发明属于半导体显示技术领域，公开了一种高效量子点全色微型显示方法，所述方法包括：以ITO玻璃为衬底，制备单一发光层的量子点电致白光发光二极管；转移多个微型干涉滤光片使之分别覆盖在所述二极管的ITO玻璃的白光发光表面，使得多个微型干涉滤光片过滤出红、绿、蓝三种颜色的光，实现全彩像素点发光。本发明提出的显示技术实现的显示器件能够在0°至30°视角范围内维持色彩质量的真实性与稳定性，能够满足近眼微型显示应用的要求，本发明提供的显示技术方法具有低成本，制备程序简单的优点，可以避免繁琐的发光二极管芯片巨量转移和低良率的难题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117402612A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311101120.6
申请日：2023-08-30
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种Ag‑In‑Ga‑S四元量子点荧光量子产率的提高方法，包括以下步骤：依次向Ag‑In‑Ga‑S量子点原液中加入锌盐卤化物溶液以及量子点提纯剂，放入离心机中离心得到稳定的Ag‑In‑Ga‑S量子点沉淀，量子点沉淀用非极性溶剂分散保存。本发明利用锌盐对Ag‑In‑Ga‑S量子点表面的硫悬挂键进行钝化，减少表面缺陷，抑制表面非辐射复合的发生，从而有效提高量子点的荧光量子产率，本发明中得到的Ag‑In‑Ga‑S量子点荧光量子产率可达到80%以上。
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公开(公告)号：CN117285930A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311209315.2
申请日：2023-09-19
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高稳定白光ZnCuGaInS/ZnS量子点及其合成方法，通过在ZnCuGaS/ZnS量子点中掺杂In3+，填补了ZnCuGaS/ZnS量子点表面中的Ga空位和增加了一个发光中心并均衡了量子点中各发光中心的电荷分布使得WLED的电致光谱的稳定性提高。较ZnCuGaS/ZnS量子点，ZnCuGaInS/ZnS量子点的热稳定性可提高350%，ZnCuGaInS/ZnS量子点制备的WLED在光谱稳定性、显色指数、亮度和外量子效率等方面均有较大改善。
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公开(公告)号：CN116334734A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310171358.X
申请日：2023-02-28
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种近红外发光晶体材料的制备方法。所述的近红外发光晶体材料为银铟硫硒，化学通式为AgInS2‑xSex，0＜x≤2，通过按比例将单质原料研磨混匀后，先在700～1100℃或300～550℃温度下预烧，预烧样品研磨混匀后在700～1100℃或300～550℃温度下煅烧制得。本发明的近红外发光晶体材料仅通过单一的Se元素掺杂，实现了可见到近红外波段的高强度、窄线宽发光。
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公开(公告)号：CN112175613B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202011018304.2
申请日：2020-09-24
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种双层配体制备高效稳定性无机钙钛矿量子点的方法。所述方法先在高温高压下，将卤化铅、双十二烷基二甲基溴化铵、有机胺、十八烯、叔丁基苯和4‑十二烷基苯磺酸铯加入水热反应釜中，水热反应得到无机钙钛矿量子点溶液，然后将乙酸乙酯加入钙钛矿量子点溶液中进行提纯，离心除去上清液，沉淀分散于甲苯中，收集钙钛矿量子点的甲苯溶液得到高稳定性的无机钙钛矿量子点甲苯溶液。本发明利用双配体协同效应在钙钛矿纳米晶表面形成双壳层作为保护层，有助于提高其存储和湿度稳定性，制备的钙钛矿量子点的量子效率高且具有高稳定性，适用于核电池领域。
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公开(公告)号：CN113684018B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202110865064.8
申请日：2021-07-29
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种Rb2MnBr4(H2O)2单晶在智能响应发光中的应用，属于智能荧光材料技术领域，其制备步骤为：将RbBr、MnBr前驱体按照一定的比例混合；将所得混合物溶于盐酸中加热搅拌充分溶解；待反应结束自然冷却到室温后，过滤、洗涤、真空干燥，得到Rb2MnBr4(H2O)2晶体。本发明制备的Rb2MnBr4(H2O)2晶体具有环境友好性，易于制备，由于晶体的可逆相变，可以在不同的加热温度下表现出不同的发光，并且加热撤去后表现为可逆恢复，故可应用于热致变色发光的快速智能响应原件，以及防伪领域、生物探针、荧光存储、光电显示或信息存储等多个领域。
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