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公开(公告)号：CN116334734A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310171358.X
申请日：2023-02-28
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种近红外发光晶体材料的制备方法。所述的近红外发光晶体材料为银铟硫硒，化学通式为AgInS2‑xSex，0＜x≤2，通过按比例将单质原料研磨混匀后，先在700～1100℃或300～550℃温度下预烧，预烧样品研磨混匀后在700～1100℃或300～550℃温度下煅烧制得。本发明的近红外发光晶体材料仅通过单一的Se元素掺杂，实现了可见到近红外波段的高强度、窄线宽发光。
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