公开(公告)号：CN119799313A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411924102.2

申请日：2024-12-25

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 邹友生 ,  谷万众 ,  董宇辉 ,  罗羽佳 ,  曾海波

IPC: C09K11/02 ,  G02F1/13357 ,  C09K11/62 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种Ag‑In‑Ga‑S量子点背光膜的构筑方法，通过取用AIGS量子点原液，进行后处理，制得AIGS量子点粉末；称量聚合物并将其加入非极性溶剂中加热搅拌溶解，制得聚合物溶液；将AIGS量子点粉末与聚合物溶液搅拌混合至均匀，将其倾倒在平板上，通过涂布机刮涂成均匀厚度的量子点初始薄膜；将其置入烘箱中，在一定温度下烘干一定时间，得到AIGS量子点背光膜。本发明利用AIGS量子点作为光致发光材料，将不同种类AIGS量子点粉末与聚合物溶液相混合，烘干制得AIGS量子点背光膜。该方法在提升了AIGS量子点背光膜荧光发光强度的同时，降低了其蓝光透过率，是下一代照明及高清显示领域应用的理想选择。