一种Ag-In-Ga-S量子点背光膜的构筑方法

    公开(公告)号:CN119799313A

    公开(公告)日:2025-04-11

    申请号:CN202411924102.2

    申请日:2024-12-25

    Abstract: 本发明公开了一种Ag‑In‑Ga‑S量子点背光膜的构筑方法,通过取用AIGS量子点原液,进行后处理,制得AIGS量子点粉末;称量聚合物并将其加入非极性溶剂中加热搅拌溶解,制得聚合物溶液;将AIGS量子点粉末与聚合物溶液搅拌混合至均匀,将其倾倒在平板上,通过涂布机刮涂成均匀厚度的量子点初始薄膜;将其置入烘箱中,在一定温度下烘干一定时间,得到AIGS量子点背光膜。本发明利用AIGS量子点作为光致发光材料,将不同种类AIGS量子点粉末与聚合物溶液相混合,烘干制得AIGS量子点背光膜。该方法在提升了AIGS量子点背光膜荧光发光强度的同时,降低了其蓝光透过率,是下一代照明及高清显示领域应用的理想选择。

    一种提高Ag-In-Ga-S四元量子点荧光量子产率的方法

    公开(公告)号:CN117402612A

    公开(公告)日:2024-01-16

    申请号:CN202311101120.6

    申请日:2023-08-30

    Abstract: 本发明公开了一种Ag‑In‑Ga‑S四元量子点荧光量子产率的提高方法,包括以下步骤:依次向Ag‑In‑Ga‑S量子点原液中加入锌盐卤化物溶液以及量子点提纯剂,放入离心机中离心得到稳定的Ag‑In‑Ga‑S量子点沉淀,量子点沉淀用非极性溶剂分散保存。本发明利用锌盐对Ag‑In‑Ga‑S量子点表面的硫悬挂键进行钝化,减少表面缺陷,抑制表面非辐射复合的发生,从而有效提高量子点的荧光量子产率,本发明中得到的Ag‑In‑Ga‑S量子点荧光量子产率可达到80%以上。

    基于水溶性钙钛矿纳米晶的黄曲霉素M1的检测方法

    公开(公告)号:CN109142703B

    公开(公告)日:2021-07-13

    申请号:CN201710506200.8

    申请日:2017-06-28

    Abstract: 本发明公开了一种基于水溶性钙钛矿纳米晶的黄曲霉素M1的检测方法。所述方法首先在CsX、PbX2的原料中添加少量的表面活性剂油胺,通过球磨得到可在水中分散的水溶性钙钛矿纳米晶,再通过表面进一步修饰阴离子表面活性剂使其表面带负电荷,与黄曲霉素M1的抗体相结合,采用荧光免疫检测方法对黄曲霉素M1进行定量检测。本发明制备钙钛矿纳米晶的工艺简单,成本低廉,荧光效率高,可对黄曲霉素M1进行定量检测,检测灵敏度可达0.01ng/mL,开拓了钙钛矿材料的应用范围,具有良好的应用前景。

    一种溶液法制备的CsPbX3无机钙钛矿量子点发光二极管

    公开(公告)号:CN105206718B

    公开(公告)日:2017-10-13

    申请号:CN201510621455.X

    申请日:2015-09-25

    Abstract: 本发明公开了一种溶液法制备的CsPbX3无机钙钛矿量子点发光二极管,在ITO玻璃上旋涂PEDOT:PSS空穴注入层,然后旋涂空穴传输层以及金属卤化物钙钛矿量子点,通过热蒸发或磁控溅射沉积电子传输层,再通过热蒸发沉积发光二极管的金属电极,得到发光均匀的CsPbX3无机钙钛矿量子点发光二极管。本发明制备的量子点发光二极管的发光颜色可通过改变量子点发光层材料的卤素配比进行调节,能够覆盖整个可见光谱范围。

    一种球磨制备高稳定性钙钛矿复合材料荧光粉的方法

    公开(公告)号:CN106675559B

    公开(公告)日:2023-05-23

    申请号:CN201611223726.7

    申请日:2016-12-27

    Abstract: 本发明公开了一种球磨制备高稳定性钙钛矿复合材料荧光粉的方法,1)、称取CsPbXY2原料,所述CsPbXY2原料包括CsX和PbY2;2)、称取复合物置于步骤1)的球磨罐中;3)、在步骤2)的球磨罐中加入表面活性剂;4)、密封球磨罐,放入球磨机上进行球磨,球磨时间为2小时~24小时,球磨机的转速为300~500转/min,得到钙钛矿复合材料荧光粉。本发明的球磨制备高稳定性钙钛矿复合材料荧光粉的方法制备工艺简单,可批量生产,成本低;本发明制备的钙钛矿荧光粉为干混法,反应产物中没有溶液,无需后续提纯处理,减少了应用时的操作步骤。

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