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公开(公告)号：CN117285930A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311209315.2
申请日：2023-09-19
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高稳定白光ZnCuGaInS/ZnS量子点及其合成方法，通过在ZnCuGaS/ZnS量子点中掺杂In3+，填补了ZnCuGaS/ZnS量子点表面中的Ga空位和增加了一个发光中心并均衡了量子点中各发光中心的电荷分布使得WLED的电致光谱的稳定性提高。较ZnCuGaS/ZnS量子点，ZnCuGaInS/ZnS量子点的热稳定性可提高350%，ZnCuGaInS/ZnS量子点制备的WLED在光谱稳定性、显色指数、亮度和外量子效率等方面均有较大改善。
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公开(公告)号：CN110846022B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN201911087852.8
申请日：2019-11-08
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种聚合物复合提升CsPbBr3钙钛矿QLED性能的方法。所述方法在合成CsPbBr3钙钛矿量子点中引入聚合物，先在甲苯中溶解PbBr2和TOAB形成铅前驱体，再将其与聚合物的甲苯溶液共混，接着将Cs前驱体注入Pb前驱体和聚合物的共混液中，反应后加入DDAB的甲苯溶液，最后纯化得到量子点，并以此为发光层构筑QLED。本发明通过在前驱体中加入聚合物来平衡载流子传输，有效提高QLED器件性能。
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公开(公告)号：CN119979154A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411970066.3
申请日：2024-12-30
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种用于多重荧光防伪的铜基纳米晶材料，该材料的化学式Cs5Cu3Cl6I2，将其作为防伪材料涂覆于加密材料之上，形成防伪标志，其具有多重防伪效果，第一重防伪是在紫外光激发下产生特征荧光；第二、三重防伪是将防伪标志加入合适的溶剂，发光先会由天蓝色转变为深蓝色，再次加入极性溶剂，其会再转变为黄色，极性溶剂挥发完全后会再次转变为深蓝色，再次加入溶剂，会重新回到天蓝色；第四重防伪是将防伪标志温度升高，从天蓝色变为绿色；降低温度恢复为天蓝色。本发明具有无毒、发光效率高、寿命长、稳定性好等性质，加密与解密具有可恢复性，避免了因多次加密、解密等操作而导致的加密信息损毁，明显提高防伪效果。
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公开(公告)号：CN111268724A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010092932.9
申请日：2020-02-14
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种室温非极性溶剂体系合成CsPbI3钙钛矿纳米晶的方法。所述方法先在甲苯中溶解碘化铅和四辛基碘化铵形成铅前驱体，将铯盐溶于长链有机酸中得到铯前驱体，然后将铯前驱体注入铅前驱体中，反应后加入富碘配体的甲苯溶液，最后絮凝剂纯化得到CsPbI3纳米晶。本发明通过在室温条件下，在甲苯溶液中，采用富碘配体钝化的方法，实现了低成本、大产率、高质量的γ-CsPbI3纳米晶的室温稳定合成。
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公开(公告)号：CN110846022A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911087852.8
申请日：2019-11-08
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种聚合物复合提升CsPbBr3钙钛矿QLED性能的方法。所述方法在合成CsPbBr3钙钛矿量子点中引入聚合物，先在甲苯中溶解PbBr2和TOAB形成铅前驱体，再将其与聚合物的甲苯溶液共混，接着将Cs前驱体注入Pb前驱体和聚合物的共混液中，反应后加入DDAB的甲苯溶液，最后纯化得到量子点，并以此为发光层构筑QLED。本发明通过在前驱体中加入聚合物来平衡载流子传输，有效提高QLED器件性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113388387A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110627245.7
申请日：2021-06-04
Applicant: 南京理工大学
IPC: C09K11/02 , C09K11/66 , C08F292/00 , C08F220/18 , C08F220/14 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种原位聚合构筑高稳定钙钛矿量子点发光体的方法，本发明利用热注入法制备钙钛矿量子点原液，采用高分子聚合方法将量子点聚合制备成光致发光块体，能有效改善量子点在空气和水中的稳定性，制备的发光块体在空气中保存数月其光致发光性能仍几乎没有降低。同时，采用不同原料制备的不同颜色的钙钛矿量子点均能与高分子单体有效原位聚合，从而得到了从紫色到近红外几乎整个可见光范围的光致发光块体。
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公开(公告)号：CN113214830A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110500565.6
申请日：2021-05-08
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种双酸辅助合成CsPbX3量子点的方法。所述方法采用两种具有不同空间位阻的有机酸来溶解铯盐形成铯前驱体，溴化铅和四正辛基溴化铵加入甲苯中形成铅前驱体，最后将铯前驱体注入到铅前驱体中，搅拌反应得到CsPbX3量子点。本发明采用双酸调控合成稳定的高质量CsPbX3量子点，其发光性能和结晶质量得到增强，可用于制备高发光效率的CsPbX3量子点发光器件。
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公开(公告)号：CN111139059A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911317303.5
申请日：2019-12-19
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种短链烷基羧酸改善钙钛矿量子点性能的方法，其步骤为：将量子点原液用第一提纯剂离心，得到沉淀；向所得沉淀中加入双十二烷基溴化铵的甲苯溶液、有机溶剂和短链烷基羧酸对钙钛矿量子点进行钝化，再用第二提纯剂离心，得到稳定的钙钛矿量子点。本发明利用短链烷基羧酸对量子点进行表面钝化使制得的量子点更稳定，同时具有更好的光致发光、电致发光性能，利用该量子点制备高性能、高效率的量子点器件，发光二极管的外量子效率、亮度、电流效率等方面均有较大改善，外量子效率提升20%-40%以上，亮度提升20%-120%以上。
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公开(公告)号：CN111211248A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN202010043850.5
申请日：2020-01-15
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于无铅钙钛矿薄膜的LED器件及其制备方法，其步骤为：将空穴传输材料PEDOT:PSS溶液旋涂到洁净的ITO导电玻璃衬底上，并退火；将摩尔比为苯乙基碘化铵:碘化胍:碘化亚锡:氟化锡＝2(1-x):2x:1:0.1溶解在二甲基亚枫中，其中，x取值为0.1~0.3，搅拌溶解获得钙钛矿前驱体溶液，其浓度为0.2~0.3 mol/L，在上述空穴传输层表面滴加该前驱体溶液进行旋涂，旋涂结束后将其进行退火；依次制备电子传输层、电子注入层和电极，得到所述的LED器件。本发明通过在前驱体溶液中添加GAI并调节其含量来改善无铅钙钛矿薄膜的表面形貌，与传统技术相比，此方法所获得的无铅钙钛矿薄膜更均匀、针孔孔隙更少、缺陷密度更低，显著提升了基于无铅钙钛矿薄膜的LED器件性能。
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公开(公告)号：CN110791125A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201810869309.2
申请日：2018-08-02
Applicant: 南京理工大学
IPC: C09D1/00 , C09D7/63 , C09D7/43 , C09D183/04 , C09D5/00
Abstract: 本发明公开了一种超疏水防冰材料的制备方法。所述方法先将基材用砂纸打磨后浸入盐酸与30％过氧化氢的混合溶液中刻蚀形成微纳米结构后，浸入到纳米ZnO颗粒和纤维素的悬浊液中沉降，再浸入到PDMS的有机溶液中，取出后固化，得到超疏水防冰材料。本发明成本低廉、工艺简单，适用基体材料广，制得的超疏水防冰材料具有良好的抗冰，自清洁能力，适用于低温高湿环境下的机械防冰。
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