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公开(公告)号：CN119124289B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411242713.9
申请日：2024-09-05
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开一种面内热电制冷MEMS流量传感器及其制造方法，结构主要包括：包括基板、薄膜、测温元件、面内热电制冷元件和芯片引脚；薄膜关于基板中心对称；测温元件左右对称地分布在薄膜内；面内热电制冷元件上下对称地跨置于薄膜与基板的交界处；面内热电制冷元件和测温元件的电信号通过基板四周的芯片引脚与外界相连；钝化层覆盖在结构上表面；在制造过程中，测温元件和面内热电制冷元件通过MEMS工艺实现。硅基板背面经过深硅刻蚀处理，采用硅基板正面的二氧化硅材料作为刻蚀停止层，形成具有良好机械性能的薄膜结构。本发明的结合了热敏式流量计的高灵敏度与无可动结构的优点，有效避免了因加热被测介质而产生的问题。
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公开(公告)号：CN118960707A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411031349.1
申请日：2024-07-30
Applicant: 南京理工大学
IPC: G01C19/5719
Abstract: 本发明公开了一种基于机电幅度调制技术的MEMS四质量陀螺仪驱动电路系统，包括信号检测电路、模数转换电路、数字频率控制电路、数字幅值控制电路、乘法器和数模转换电路；信号检测电路与MEMS四质量陀螺仪驱动模态的检测电极相连；模数转换电路与信号检测电路相连；模数转换电路分别与数字频率控制电路、数字幅值控制电路相连；乘法器分别与数字频率控制电路和数字幅值控制电路相连；数模转换电路与乘法器相连，且与MEMS四质量陀螺仪驱动模态的驱动电极相连。本发明将机电幅度调制技术应用于MEMS四质量陀螺仪的信号检测电路中，可以有效消除馈通效应和噪声耦合对MEMS四质量陀螺仪性能的影响。
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公开(公告)号：CN109160481A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810876787.6
申请日：2018-08-03
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS工艺的二维磁驱动扫描微镜及其制备方法，制备方法首先在硅基底上制备第一压阻传感器和第二压阻传感器；在硅基底上刻蚀出线圈槽、线圈引线槽；制备线圈、线圈引线；形成氧化绝缘层，为线圈导线、金属连接线互连搭建绝缘层；在线圈引线末端制备金属电极、在硅基底上制备金属镜面层以及在氧化绝缘层上制备金属连接线；制备第一悬臂梁、第二悬臂梁、镜面基底、框架；制备的微镜的包括深沟道的环形线圈、双轴悬臂梁、镜面与框架、引线互连及引线绝缘层结构；与传统技术相比，本发明的基于MEMS技术的扫描微镜具有体积小、偏转频率高、视场角度大、成本低的特点，具有嵌入式装配的可能。
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公开(公告)号：CN108172502A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711455242.X
申请日：2017-12-28
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种应用于非制冷红外焦平面的承载晶圆快速减薄方法，步骤如下：将晶圆粘附于托盘上；将托盘吸附在晶圆减薄机载片台上，将载片台固定在减薄机主轴，将磨刀固定在磨刀轴，将晶圆上的硅衬底层减薄至预定厚度；将托盘倒置于晶圆抛光机磨盘，硅衬底层与抛光机磨盘接触，将托盘与抛光机旋转轴相连，进行抛光处理；去除硅衬底层至BOX层的二氧化硅完全露出；去除BOX层至敏感材料薄膜层，完成晶圆减薄；本方法工艺时间更短，对工艺设备的要求较低、成本低，且不会引入额外的工艺热应力。
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公开(公告)号：CN117490674A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311466370.X
申请日：2023-11-06
Applicant: 南京理工大学
IPC: G01C19/5747
Abstract: 本发明公开了一种大电容八质量MEMS陀螺仪，包括固定锚点、外部固定锚点外部固定锚点、敏感质量块、敏感质量耦合梁、外部解耦质量、内部解耦质量；八个外部固定锚点、八个外部解耦质量、八个敏感质量块、八个内部解耦质量分别围成等边八边形；另外八个外部固定锚点位于八个外部解耦质量与八个敏感质量块之间；八个敏感质量块之间通过敏感质量耦合梁相连；内部解耦质量通过双U型梁与中心固定锚点连接，通过周向双折叠梁与中心固定锚点连接；敏感质量块通过径向双折叠梁连接周向双折叠梁；外部解耦质量通过周向双折叠梁连接外部固定锚点，通过周向双折叠梁分别连接固定锚点，使得外部解耦质量只能沿径向运动。本发明可布置更多检测电容。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108172502B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201711455242.X
申请日：2017-12-28
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种应用于非制冷红外焦平面的承载晶圆快速减薄方法，步骤如下：将晶圆粘附于托盘上；将托盘吸附在晶圆减薄机载片台上，将载片台固定在减薄机主轴，将磨刀固定在磨刀轴，将晶圆上的硅衬底层减薄至预定厚度；将托盘倒置于晶圆抛光机磨盘，硅衬底层与抛光机磨盘接触，将托盘与抛光机旋转轴相连，进行抛光处理；去除硅衬底层至BOX层的二氧化硅完全露出；去除BOX层至敏感材料薄膜层，完成晶圆减薄；本方法工艺时间更短，对工艺设备的要求较低、成本低，且不会引入额外的工艺热应力。
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公开(公告)号：CN103630247A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201210306642.5
申请日：2012-08-27
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种非制冷红外探测阵列用自掺杂硅锗/硅多量子阱结构并具有较高温度电阻系数的热敏材料。材料包括底部接触层、底部隔离层、硅锗/硅多量子阱结构、顶部隔离层和顶部接触层。当隔离层厚度为35~100nm，硼粒子由接触层自扩散至硅锗/硅多量子阱结构中，并形成载流子。该种设计简化了工艺过程，有利于制备晶格质量较高的硅锗/硅多量子阱结构。另外，本发明公开了该种材料所应用的一种非制冷红外探测阵列的像元结构。双支撑层的厚度均为200nm~250nm，在满足光学条件的情况下使得像元结构更为稳定。本发明还公开了该种材料的一种基于低压化学气相沉积技术的外延生长工艺过程。
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公开(公告)号：CN118706099A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202411181821.X
申请日：2024-08-27
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种芯片行波马达式陀螺寻北仪。本发明为分段式安装结构，基于MEMS芯片行波马达，通过机械结构嵌入式装配惯性测量单元、MEMS电容角位置传感器、综合驱动采样控制电路板，使整体旋转调制陀螺寻北仪内部紧密集成，体积尺寸显著缩小，基于MEMS电容角位置传感器和电磁转位限制机构的高精度角度控制技术，依托MEMS芯片行波马达驱动力可连续输出的特性，实现了惯性测量单元多位置精确步进，确保了旋转调制技术对惯性器件的常值误差补偿效果，有效提升了寻北性能。
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公开(公告)号：CN117782046A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202211148559.X
申请日：2022-09-21
Applicant: 南京理工大学
IPC: G01C19/5684
Abstract: 本发明提供了一种外置电极的高Q值MEMS环形陀螺仪结构，包括环形件、设于环形件外侧并通过周向解耦梁连接的质量块，以及置于质量块内部的梳齿电极和位于环形件内侧的平板电极。该MEMS陀螺仪通过径向连接梁和连接到最外侧的锚点上，其主要工作模态是内多环与外质量一起同相运动的位移放大模态，能够实现工作模态和检测模态的简并，符合哥氏效应原理。此外本发明的外置电极是一种创新的刚度‑质量解耦设计，优化了环形陀螺的模态分布，并且提高了陀螺仪的驱动/检测电容量，使陀螺仪具有良好的动力学特性和更高的机电接口灵敏度。
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公开(公告)号：CN117537794A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202410028994.1
申请日：2024-01-09
Applicant: 南京理工大学
IPC: G01C19/5656 , G01C19/5649
Abstract: 本发明为一种带有驱动放大耦合结构的四质量微机械陀螺仪。陀螺为平面Z轴陀螺，包括关于X、Y轴镜像对称设置的四个质量块，质量块在检测轴Y方向上通过驱动解耦梁分别与质量块两侧的检测框架相连，关于X轴对称的两个检测框架通过耦合结构耦合，质量块上设置四个正交抑制电极；还包括设置在中心且平行于Y轴的驱动框架，驱动框架通过耦合放大结构和每个质量块中的检测解耦梁连接，驱动框架上设置多个驱动电极和四个驱动检测电极；耦合放大结构通过两端的类杠杆机构实现驱动位移放大和等效质量的提高。本发明放大了驱动位移、增大了等效质量，实现了机械灵敏度和机械热噪声的提升；提高了抗干扰能力，改善了静电非线性。
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