-
公开(公告)号：CN118095158B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410268521.9
申请日：2024-03-11
Applicant: 南京理工大学
IPC: G06F30/3308 , G06F17/11 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种GaN HEMT器件辐照效应的分析方法，该方法从二维电子气浓度和异质结界面态密度两个方向出发分别分析了器件电学特性退化情况，包括极化电荷，栅漏、栅源间隔区表面态和AlGaN势垒层陷阱电荷，基于已建立的辐照损伤数值模型，采用时域谱元法数值求解GaN HEMT器件在太空辐照下的漏极电流和器件阈值电压。本发明对GaN HEMT器件抗辐照加固研究具有重要的现实意义。
-
公开(公告)号：CN118095158A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410268521.9
申请日：2024-03-11
Applicant: 南京理工大学
IPC: G06F30/3308 , G06F17/11 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种GaN HEMT器件辐照效应的分析方法，该方法从二维电子气浓度和异质结界面态密度两个方向出发分别分析了器件电学特性退化情况，包括极化电荷，栅漏、栅源间隔区表面态和AlGaN势垒层陷阱电荷，基于已建立的辐照损伤数值模型，采用时域谱元法数值求解GaN HEMT器件在太空辐照下的漏极电流和器件阈值电压。本发明对GaN HEMT器件抗辐照加固研究具有重要的现实意义。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118261091A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410268522.3
申请日：2024-03-11
Applicant: 南京理工大学
IPC: G06F30/3308 , G06F17/11 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种硅基MOSFET总剂量效应分析方法及系统，该方法利用运动粒子与深浅能级陷阱的动力学反应来描述硅基MOSFET中氧化层正固定电荷与界面态陷阱电荷的产生过程，建立了硅基MOSFET总剂量效应物理模型，采用时域谱元法数值求解硅基MOSFET在太空辐照下的瞬时载流子浓度和电势分布，得出当前时刻的漏极电流和器件阈值电压。本发明对硅基MOSFET器件的抗辐照加固研究具有重要的现实意义。
-
公开(公告)号：CN114386310A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111463586.1
申请日：2021-12-02
Applicant: 南京理工大学
IPC: G06F30/27 , G06Q50/30 , G06F111/04
Abstract: 本发明公开了一种时空客流网络分布下地铁列车节能时刻表优化方法，该方法的步骤如下：在城市轨道交通复杂物理网络下，基于最小二乘估计框架结合列车运行力学模型，提出时空客流特性下的基于Pareto曲面多目标改进遗传算法的列车能耗优化模型；以区间运行牵引能耗和区间运行时间为优化目标；以满足乘客服务质量指标最大化与全线路列车牵引总能耗最小化为目标，建立基于改进遗传算法的时刻表优化模型，获取不同客流时空特性下全线列车节能最优调整策略。本发明方法综合考虑了轨道交通线网客流时空网络分布特性，调整列车运行时刻表，最大化满足乘客服务水平的同时最大化降低全线列车的总牵引能耗，具有较高的使用价值与应用前景。
-
公开(公告)号：CN112866951A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011630623.9
申请日：2020-12-30
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于WSN框架的轨道交通能耗数采集系统，该系统包括采集节点、汇聚节点和终端服务器；采集节点实现对目标的高速采集，并将采集到的数据通过wifi局域网络实时发送给汇聚节点；汇聚节点用于外网通信，作为采集节点和终端服务器的通信的桥梁，将各采集节点的数据进行汇聚整理后通过4G网络发送给终端服务器，同时接收服务器控制指令，转发给各采集节点；终端服务器用于接收汇聚节点上传的数据，并将数据分类写入到数据库中，同时通过汇聚节点向各采集节点发送采集控制命令。本发明能够在复杂环境下解决网络数据的实时传输问题，具有灵活性强、施工成本低、便携稳定、抗干扰能力强和系统安全可靠等优点。
-
公开(公告)号：CN112613797A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011631648.0
申请日：2020-12-30
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种考虑能耗影响因素的城市轨道交通列车延误调整方法，步骤如下：建立基本数据模块；在实测数据的基础上利用回归分析的方法建立列车各区间不同运行时间与计划运行时间的偏差值Δt与区间运行能耗E的回归方程，从而确定E‑Δt回归模型；建立列车延误调整模型，包括延误列车号、延误站点、延误时间、后续区间站点的冗余调整时间模型；将列车总晚点时间与列车运行能耗归一化处理后进行加权作为目标函数，将列车延误调整作为一个单目标优化问题，采用改进粒子群算法IPSO对列车发生延误后进行优化调整，从而确定列车最优调整策略。本发明为实际列车发生延误调整提供数据与理论支撑，具有较高的使用价值与应用前景。
-
公开(公告)号：CN118261091B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202410268522.3
申请日：2024-03-11
Applicant: 南京理工大学
IPC: G06F30/3308 , G06F17/11 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种硅基MOSFET总剂量效应分析方法及系统，该方法利用运动粒子与深浅能级陷阱的动力学反应来描述硅基MOSFET中氧化层正固定电荷与界面态陷阱电荷的产生过程，建立了硅基MOSFET总剂量效应物理模型，采用时域谱元法数值求解硅基MOSFET在太空辐照下的瞬时载流子浓度和电势分布，得出当前时刻的漏极电流和器件阈值电压。本发明对硅基MOSFET器件的抗辐照加固研究具有重要的现实意义。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.022 seconds)
