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公开(公告)号：CN118261091B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202410268522.3
申请日：2024-03-11
Applicant: 南京理工大学
IPC: G06F30/3308 , G06F17/11 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种硅基MOSFET总剂量效应分析方法及系统，该方法利用运动粒子与深浅能级陷阱的动力学反应来描述硅基MOSFET中氧化层正固定电荷与界面态陷阱电荷的产生过程，建立了硅基MOSFET总剂量效应物理模型，采用时域谱元法数值求解硅基MOSFET在太空辐照下的瞬时载流子浓度和电势分布，得出当前时刻的漏极电流和器件阈值电压。本发明对硅基MOSFET器件的抗辐照加固研究具有重要的现实意义。
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公开(公告)号：CN116522624B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310436072.X
申请日：2023-04-21
Applicant: 南京理工大学
IPC: G06F30/20 , G06F17/16 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种基于不连续伽辽金的微波器件击穿阈值高效预测方法，研究了不连续伽辽金(Discontinuous Galerkin,DG)时域谱元法的技术，考虑边界处电子密度，针对较易击穿区域目标的击穿特性，引入数值通量，在不同区域交界面的两边采用不同尺寸的网格进行离散，在不需要精细处理的地方采用大网格离散，在含有精细结构的区域用小网格离散，减少未知量个数，最后通过数值方法准获取微波器件内部输运系数，结合电子连续性方程对击穿阈值就行求解。本发明解决了现有击穿阈值预测技术效率低及运算速率慢的局限，最终实现微波器件低气压放电阈值的高效准确预测。
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公开(公告)号：CN115688475A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211439760.3
申请日：2022-11-17
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种有效载荷微波器件低气压放电阈值高效预测方法，采用数值方法准获取微波器件内部的电磁场分布用以修正电离率、附着率等输运系数，结合电子连续性方程对击穿阈值就行求解，基于区域分解技术对电场变化剧烈的区域进行截取以提高计算效率，解决了现有击穿阈值预测技术效率低及未考虑场分布影响造成的精度较低的局限，最终实现有效载荷微波器件低气压放电阈值的高效准确预测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116522624A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310436072.X
申请日：2023-04-21
Applicant: 南京理工大学
IPC: G06F30/20 , G06F17/16 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种基于不连续伽辽金的微波器件击穿阈值高效预测方法，研究了不连续伽辽金(Discontinuous Galerkin,DG)时域谱元法的技术，考虑边界处电子密度，针对较易击穿区域目标的击穿特性，引入数值通量，在不同区域交界面的两边采用不同尺寸的网格进行离散，在不需要精细处理的地方采用大网格离散，在含有精细结构的区域用小网格离散，减少未知量个数，最后通过数值方法准获取微波器件内部输运系数，结合电子连续性方程对击穿阈值就行求解。本发明解决了现有击穿阈值预测技术效率低及运算速率慢的局限，最终实现微波器件低气压放电阈值的高效准确预测。
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公开(公告)号：CN118095158B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410268521.9
申请日：2024-03-11
Applicant: 南京理工大学
IPC: G06F30/3308 , G06F17/11 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种GaN HEMT器件辐照效应的分析方法，该方法从二维电子气浓度和异质结界面态密度两个方向出发分别分析了器件电学特性退化情况，包括极化电荷，栅漏、栅源间隔区表面态和AlGaN势垒层陷阱电荷，基于已建立的辐照损伤数值模型，采用时域谱元法数值求解GaN HEMT器件在太空辐照下的漏极电流和器件阈值电压。本发明对GaN HEMT器件抗辐照加固研究具有重要的现实意义。
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公开(公告)号：CN118095158A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410268521.9
申请日：2024-03-11
Applicant: 南京理工大学
IPC: G06F30/3308 , G06F17/11 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种GaN HEMT器件辐照效应的分析方法，该方法从二维电子气浓度和异质结界面态密度两个方向出发分别分析了器件电学特性退化情况，包括极化电荷，栅漏、栅源间隔区表面态和AlGaN势垒层陷阱电荷，基于已建立的辐照损伤数值模型，采用时域谱元法数值求解GaN HEMT器件在太空辐照下的漏极电流和器件阈值电压。本发明对GaN HEMT器件抗辐照加固研究具有重要的现实意义。
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公开(公告)号：CN118261091A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410268522.3
申请日：2024-03-11
Applicant: 南京理工大学
IPC: G06F30/3308 , G06F17/11 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种硅基MOSFET总剂量效应分析方法及系统，该方法利用运动粒子与深浅能级陷阱的动力学反应来描述硅基MOSFET中氧化层正固定电荷与界面态陷阱电荷的产生过程，建立了硅基MOSFET总剂量效应物理模型，采用时域谱元法数值求解硅基MOSFET在太空辐照下的瞬时载流子浓度和电势分布，得出当前时刻的漏极电流和器件阈值电压。本发明对硅基MOSFET器件的抗辐照加固研究具有重要的现实意义。
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公开(公告)号：CN115688475B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211439760.3
申请日：2022-11-17
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种有效载荷微波器件低气压放电阈值高效预测方法，采用数值方法准获取微波器件内部的电磁场分布用以修正电离率、附着率等输运系数，结合电子连续性方程对击穿阈值就行求解，基于区域分解技术对电场变化剧烈的区域进行截取以提高计算效率，解决了现有击穿阈值预测技术效率低及未考虑场分布影响造成的精度较低的局限，最终实现有效载荷微波器件低气压放电阈值的高效准确预测。
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