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公开(公告)号：CN117875131B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410140686.8
申请日：2024-01-31
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于时域弹跳射线法和传输线方程的混合精简建模方法，包括步骤：首先读取目标本体网格文件中的三角面元数据，根据目标三角面元数据创建虚拟入射面；其次由虚拟入射面生成射线管，进行与目标三角面元的相交检测并追踪射线场强；接着根据时域弹跳射线算法对目标进行时域近场场强的计算，得到传输线位置处的场分布；最后将传输线位置处的场强代入传输线方程，计算得到传输线端口位置的电压值和电流值。本发明解决了现有计算场‑线‑路耦合电大尺寸结构运算速率慢的局限，最终实现对场‑线‑路耦合的电大尺寸结构快速分析。
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公开(公告)号：CN117594993A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311703631.5
申请日：2023-12-13
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种机载隐身超宽带小型化天线，该天线包括天线辐射主结构、相位调控模块、高阻抗吸波模块和金属载体地板；在传统紧耦合偶极子天线结构模型上添加阻抗变换器和双层强耦平衡馈电系统，使辐射单元可以拓展至超宽带的辐射工作频带，并且加载双层宽带宽角FSS扫描匹配层，可以稳定阻抗带宽，并且使天线的扫描角度优化至±45°，同时，加载了一款高阻抗吸波超表面和相位调控超表面，进一步优化天线的隐身性能。本发明结构剖面低，具有体积小、重量轻的优点，能与载体良好共型，可应用于高冲击、高震动强度平台，如机载、星载平台等。
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公开(公告)号：CN117594993B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202311703631.5
申请日：2023-12-13
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种机载隐身超宽带小型化天线，该天线包括天线辐射主结构、相位调控模块、高阻抗吸波模块和金属载体地板；在传统紧耦合偶极子天线结构模型上添加阻抗变换器和双层强耦平衡馈电系统，使辐射单元可以拓展至超宽带的辐射工作频带，并且加载双层宽带宽角FSS扫描匹配层，可以稳定阻抗带宽，并且使天线的扫描角度优化至±45°，同时，加载了一款高阻抗吸波超表面和相位调控超表面，进一步优化天线的隐身性能。本发明结构剖面低，具有体积小、重量轻的优点，能与载体良好共型，可应用于高冲击、高震动强度平台，如机载、星载平台等。
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公开(公告)号：CN114912326B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202210569268.1
申请日：2022-05-24
Applicant: 南京理工大学
IPC: G06F30/23 , G06F17/11 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种基于时变等离子体鞘套识别技术仿真方法，包括：建立空间电磁场仿真模型和流场仿真模型，并采用四面体和六面体混合分别对两模型进行网格离散，得到两模型的结构信息，包括四面体、六面体的单元信息以及节点信息；将飞行器对应流场模型区域的节点信息映射到电磁场模型区域相应位置，求出电磁场模型每个单元对应的等离子体参数；利用时域不连续伽辽金方法对散射问题进行求解，获取等离子体影响下的回波信号；通过对等离子体密度的测量构建补偿因子，对等离子体影响下的回波信号进行补偿；通过上述步骤的仿真结果确定目标位置信息。本发明仿真结果表示相干累积结果在目标所在的位置有一个峰值，相干性能得到了显著提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118095158B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410268521.9
申请日：2024-03-11
Applicant: 南京理工大学
IPC: G06F30/3308 , G06F17/11 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种GaN HEMT器件辐照效应的分析方法，该方法从二维电子气浓度和异质结界面态密度两个方向出发分别分析了器件电学特性退化情况，包括极化电荷，栅漏、栅源间隔区表面态和AlGaN势垒层陷阱电荷，基于已建立的辐照损伤数值模型，采用时域谱元法数值求解GaN HEMT器件在太空辐照下的漏极电流和器件阈值电压。本发明对GaN HEMT器件抗辐照加固研究具有重要的现实意义。
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公开(公告)号：CN118174035A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410219341.1
申请日：2024-02-28
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种具有超高屏蔽效能的C波段宽带能量选择表面单元及表面，包括三层介质基板以及介质基板上的金属单元的设计，可实现基于入射波功率强度的自适应响应。位于顶层的第一介质基板上的金属单元包括四个扇形金属贴片和十六个矩形金属贴片，位于中间层的第二介质基板上的金属单元包括两个矩形金属贴片且呈十字形排列，位于底层的第三介质基板上的金属单元与位于顶层的第一介质基板上的金属单元结构设计相同。本发明的超高屏蔽效能的C波段宽带能量选择表面针对不同的功率的输入信号具有较低的插入损耗和较高的屏蔽效能，且在低功率下具有良好的带内传输及带外抑制能力，同时具有良好的角度稳定性。
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公开(公告)号：CN118095158A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410268521.9
申请日：2024-03-11
Applicant: 南京理工大学
IPC: G06F30/3308 , G06F17/11 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种GaN HEMT器件辐照效应的分析方法，该方法从二维电子气浓度和异质结界面态密度两个方向出发分别分析了器件电学特性退化情况，包括极化电荷，栅漏、栅源间隔区表面态和AlGaN势垒层陷阱电荷，基于已建立的辐照损伤数值模型，采用时域谱元法数值求解GaN HEMT器件在太空辐照下的漏极电流和器件阈值电压。本发明对GaN HEMT器件抗辐照加固研究具有重要的现实意义。
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公开(公告)号：CN111191392B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201911304102.1
申请日：2019-12-17
Applicant: 南京理工大学
IPC: G06F30/23
Abstract: 本发明公开了一种计算电大目标电磁散射问题的快速方法，该算法以基于电场波动方程的不连续伽辽金时域有限元法为基本算法，以各向异性完美匹配层(UPML)为吸收边界，改变了原算法中以阻抗匹配条件为吸收边界的局限，不仅提升了对电磁波的吸收性能，还极大地减少了计算空域，提高计算效率。同时，相比于传统的基于一阶麦克斯韦方程的不连续伽辽金时域有限元法，新算法采用内部惩罚不连续伽辽金技术实现了电场的独立求解，使得未知量减少50％以上。
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公开(公告)号：CN111931324B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202010366822.7
申请日：2020-05-01
Applicant: 南京理工大学
IPC: G06F30/20 , G06F17/12 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种分析高功率微波气体击穿过程中相频特性的数值仿真方法。基于时域谱元法，该数值模型耦合了麦克斯韦方程组与流体方程组，通过计算击穿过程中不同时刻下的等离子体层厚度，结合其色散介电常数计算出微波穿透等离子体区域后的相位变化，在器件击穿过程中，可对信号的传输进行相位预测。本发明可以实现对复杂模型进行精确建模，同时保证计算结果的精确；采用谱元法对方程测试展开得到的质量矩阵为块对角矩阵，可以直接求逆从而大大降低计算时间。
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