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公开(公告)号：CN116463609A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310328517.2
申请日：2023-03-30
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/52 , C23C16/458 , C23C16/455 , C23C16/511
Abstract: 一种有效实现金刚石中硅掺杂的设备，采用MPCVD系统，包括气体控制模块、微波模块和包括反应腔室的反应沉积模块；所述的反应沉积模块，包括石英窗、反应腔室、样品台和样品托，微波通过石英窗进入反应腔室，样品托置于样品台上在反应腔中；所述的样品托呈圆柱体状，样品托周围有进气环用于气体从下方进入，带孔样品托中心有直径为2mm的通孔，用于从下方进气，样品托通孔周围有倾斜面，倾斜面与水平面具有0‑90°的不同夹角，改变衬底的角度，进行不同角度沉积生长；由腔室下方通过样品托通孔通入甲烷和氮气，温度在760‑780℃之间，制备出具有梯度分布的氮硅掺杂金刚石薄膜。
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公开(公告)号：CN116288245A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310328440.9
申请日：2023-03-30
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/458 , C23C16/455 , C23C16/511 , C23C16/02
Abstract: 一种实现高效磷掺杂金刚石薄膜制备的装置，包括反应室和气体输入系统，反应室内设有用于掺杂生长的样品托和金刚石衬底，所述样品托呈倾斜状，且所述样品托上设有容纳所述金刚石衬底的凹槽，所述气体输入系统包括第一管路和第二管路，所述第一管路位于所述反应室的顶部，所述第二管路位于所述样品托一侧。所述第二管路可位于所述样品托底部中心，呈圆孔结构；本发明提供的反应室和气体输入系统，能够有效改善磷掺杂金刚石效率低与MPCVD腔室中杂质沾污问题，掺杂效率高，重复性好，质量高，生长速度快，同时样品托倾斜状的设计提升了磷掺杂金刚石薄膜的均匀性，对金刚石的n型掺杂具有重要意义。
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公开(公告)号：CN116409747A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202310305156.X
申请日：2023-03-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种基于非等离子体实现金刚石可控刻蚀的方法，1)金刚石表面预处理，使用强酸混合液对金刚石衬底进行加热处理，然后依次用丙酮、乙醇和去离子水对金刚石衬底进行超声清洗，去除表面油污和其他杂质，烘干备用；2)金刚石刻蚀前准备，采用带有指定图案的掩模版，通过物理气相沉积法在金刚石衬底表面沉积相应图案的金属薄膜；3)金刚石的刻蚀，将带有镍金属薄膜的金刚石样品放入快速退火炉中，在加热前先通入一段时间的惰性气体和反应气体的混合气，用以排出装置里的空气；在流动的混合气体气氛下加热至指定刻蚀温度；反应完成后停止加热，继续通入混合气体，直至装置冷却至室温。
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公开(公告)号：CN116356280A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310296125.2
申请日：2023-03-24
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/511
Abstract: 一种微波等离子体化学气相沉积系统制备六方氮化硼薄膜的方法，基于微波等离子体化学气相沉积系统，1)衬底选择及清洗；2)将衬底放置于反应室钼托中，置于微波等离子体化学气相沉积系统，抽真空至7.5×10‑4Pa以下；3)起辉及衬底预处理，对衬底进行5‑15min的等离子体清洗；4)沉积六方氮化硼薄膜：通入硼、氮气体反应源，其中硼元素反应源为被氢气或氩气稀释的乙硼烷，稀释比例为1％，流量为5‑15sccm，氮元素反应源为高纯氮气，流量为5‑15sccm，反应温度为750‑850℃，沉积时间为30‑90min。本发明工艺简单，成本低，可控性好，无需催化剂，可制备大尺寸六方氮化硼薄膜。
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