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公开(公告)号：CN102491252B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201110373244.0
申请日：2011-11-22
Applicant: 南京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种离散纳米材料选择性排列的方法，1）将清洗干净的衬底，典型的为硅衬底进行氧化，表面得到一层硅氧化物；2）将氧化后的硅片放入十八烷基三氯硅烷的C6-C8烃的溶液中，硅氧化物上生长一层非极性的OTS自组装单分子膜；3）利用激光通过位相光栅在硅衬底上目标区域选择性刻蚀非极性的OTS自组装单分子膜；4）将刻蚀后的硅衬底放入3-三乙氧基甲硅烷基-1-丙胺的甲醇溶液中，原被激光刻蚀掉的区域即生长上极性的APS自组装单分子膜，在目标区域形成极性和非极性的间隔区域；5）将修饰过的衬底浸入纳米线或纳米材料悬浮液中提升，纳米线或纳米材料按规则排列在目标极性区域内，实现离散半导体纳米线选择性排列。具有应用价值。
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公开(公告)号：CN102544136A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210008553.2
申请日：2012-01-12
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种纳米材料电子与光电子器件，器件的结构包括衬底、下电极、纳米材料、绝缘介电层和上电极五个部分，所述的绝缘介电层选择金属氧化技术获得绝缘介电层，上下电极与纳米材料形成良好的电学接触，绝缘介电层在上下电极之间，保证电荷通过上下电极流经纳米材料。本发明通过对纳米材料加工，形成有效的电极接触，实现其电子和光电子方面的功能。本发明方法避免复杂而昂贵的微加工工艺，可实现纳米器件低成本、大批量的加工。
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公开(公告)号：CN100480302C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200510038536.3
申请日：2005-03-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种新型聚苯胺自组装纳米结构的可控合成方法，本发明方法是将聚合反应在高压釜中以100-250℃的温度、采用质子酸作为掺杂剂进行氧化聚合反应，得到聚苯胺的薄片结构，薄片表面同时具有整齐排列的聚苯胺纳米棒(纤维)阵列。聚苯胺的薄片结构具有很强的发光性质。该聚苯胺纳米阵列自组装结构可望用于电磁波屏蔽材料，抗静电材料，电极材料，高容量电容器材料，三极管、传感器材料，气体分离材料和高效发光材料。
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公开(公告)号：CN1667021A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN200510038536.3
申请日：2005-03-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种新型聚苯胺自组装纳米结构的可控合成方法，本发明方法是将聚合反应在高压釜中以100－250℃的温度、采用质子酸作为掺杂剂进行氧化聚合反应，得到聚苯胺的薄片结构，薄片表面同时具有整齐排列的聚苯胺纳米棒(纤维)阵列。聚苯胺的薄片结构具有很强的发光性质。该聚苯胺纳米阵列自组装结构可望用于电磁波屏蔽材料，抗静电材料，电极材料，高容量电容器材料，三极管、传感器材料，气体分离材料和高效发光材料。
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公开(公告)号：CN101376715B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200810156273.X
申请日：2008-09-26
Applicant: 南京大学
Abstract: 大面积柔性自支撑聚苯胺纳米结构薄膜的制备方法，(1)将1微米～10厘米长纤维MnO2模板和1微米～10厘米长纤维聚苯胺按100：0.5～5：95的重量比例混合，分散在水中通过过滤法、直接干燥法或者干法制成原料纸张/薄膜；(2)原料纸张/薄膜原位化学反应转换为聚苯胺纸张，将原料纸张浸入溶解有质子酸和聚苯胺单体的溶剂中反应10分钟～72小时；pH值0～6.8之间；(3)MnO2模版本身参与反应，并可在反应完成后自发的除去；(4)合成聚苯胺产物的形貌准确的复制了MnO2模版的微纳结构，制备成大面积的聚苯胺纳米结构纸张/薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101759160A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN201010018359.3
申请日：2010-01-14
Applicant: 南京大学
IPC: C01B19/02
Abstract: 本发明涉及一种梭形Te纳米管的制备方法，制备方法为：在室温下将0.35-0.55mmol的Na2TeO3加入到10.5-16.5mL丙三醇中，磁力搅拌1个小时，放入微波反应器中加热2-15min；冷却后，将产物用乙醇和水反复交替洗净，在真空干燥箱中干燥后即得到梭形Te纳米管。所得Te为纳米级梭形管状结构，管长5-15μm、管口宽300-500nm、管壁厚100-150nm，沿[001]方向生长。本发明提出的梭形Te纳米管的制备方法简便，所用设备简单，耗时短，可实现短时间内的大量制备，便于工业化生产。
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公开(公告)号：CN101481500A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200910024705.6
申请日：2009-02-11
Applicant: 南京大学
Abstract: 导电高分子/碳纳米管复合介孔纳米管的制备方法，(1)先在碳纳米管上生长一层MnO2层，将碳纳米管和0.01M～1M高锰酸钾水溶液混合，在50～100℃温度条件下反应1～20小时，通过过滤法分离，得到包覆有二氧化锰的碳纳米管复合纳米结构MnO2@CNTs；(2)将所述MnO2@CNTs原料分散在溶剂中，将导电高分子单体溶解在质子酸的溶剂中，反应10分钟～72小时；pH值范围在0～6.5之间，反应温度在0℃～100℃范围内，有机酸为十二烷基苯磺酸或全氟辛磺酸，无机酸为硫酸或盐酸；导电高分子为聚苯胺、聚吡咯或聚噻吩类；(3)MnO2模板本身参与反应，并可在反应完成后自发的除去。
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公开(公告)号：CN101158034A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710133452.7
申请日：2007-09-30
IPC: C23C16/50 , H01L21/205 , H01L21/365
Abstract: 本发明将导入原料气的二至四支喷管密封固定在真空沉积腔上方导入沉积腔，反应气体或与载气由气源导入喷管，喷管的喷口出口处附近设置一金属热丝，在喷管外壁设有由可产生等离子体的电源驱动的电感线圈，沉积腔内设生长薄膜的衬底平台，沉积腔的下部或下侧部设有抽真空出口管。本发明制备薄膜材料装置具有成膜质量高、沉积速率快、生长温度低，气体利用率高等优点。
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公开(公告)号：CN101092749A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200710022910.X
申请日：2007-05-25
Applicant: 南京大学
Abstract: 聚苯胺纳米管的可控模板合成方法，将具有较强氧化性的金属氧化物纳米线或纳米管即隐钾锰型MnO2纳米纤维或β－MnO2纳米管作为模板在酸性溶液下与苯胺单体混合反应进行合成；并在冰水浴和搅拌环境下反应4－8小时后获得深绿色固态产物；产物经过过滤后，再经去离子水和乙醇清洗以除去表面的残余离子和低聚物并烘干即得；MnO2模板的重量与苯胺单体之比是40－50mg比0.08－0.1ml.。苯胺单体在酸性溶液下进行充分搅拌，将此溶液快速转移进分散着MnO2模版的水溶液中，并在冰水浴和搅拌环境下反应。
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公开(公告)号：CN1870299A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200610085590.8
申请日：2006-06-26
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/788 , H01L29/40 , H01L27/115
Abstract: 本发明涉及一种基于纳米晶粒的半导体非挥发性浮栅存储器，提出基于纳米异质结构的新型非挥发性浮栅存储器，一种基于纳米异质结构的非挥发性浮栅存储器，其包括：半导体衬底；在半导体衬底中掺杂形成源极和漏极，在源漏极间的沟道层正上方氧化形成隧穿氧化层；在隧穿氧化层上制备异质纳米结构；然后淀积控制氧化层和栅极；应用异质纳米结构的复合势垒作为浮栅存储单元。从而可以在编程时间基本不变的前提下，使存储时间显著增加，解决硅纳米晶粒浮栅存储器的编程时间与存储时间之间的矛盾，达到使纳米结构浮栅存储器既能快速擦写编程，又能长久存储。
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