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公开(公告)号:CN1870299A
公开(公告)日:2006-11-29
申请号:CN200610085590.8
申请日:2006-06-26
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/788 , H01L29/40 , H01L27/115
Abstract: 本发明涉及一种基于纳米晶粒的半导体非挥发性浮栅存储器,提出基于纳米异质结构的新型非挥发性浮栅存储器,一种基于纳米异质结构的非挥发性浮栅存储器,其包括:半导体衬底;在半导体衬底中掺杂形成源极和漏极,在源漏极间的沟道层正上方氧化形成隧穿氧化层;在隧穿氧化层上制备异质纳米结构;然后淀积控制氧化层和栅极;应用异质纳米结构的复合势垒作为浮栅存储单元。从而可以在编程时间基本不变的前提下,使存储时间显著增加,解决硅纳米晶粒浮栅存储器的编程时间与存储时间之间的矛盾,达到使纳米结构浮栅存储器既能快速擦写编程,又能长久存储。
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公开(公告)号:CN1305232A
公开(公告)日:2001-07-25
申请号:CN01108248.8
申请日:2001-02-27
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/788 , H01L27/105
Abstract: 锗/硅复合纳米晶粒浮栅结构MOSFET存储器,即金属-氧化物-半导体存储器,以锗/硅复合纳米晶粒镶嵌在二氧化硅中浮栅存储器结构,本发明提出了一种采用锗/硅复合纳米晶粒替代硅纳米晶粒作为NOSFET存储器,即电荷存储单元,使其在较快的擦写时间条件下,仍然有很长的存储时间。
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