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公开(公告)号：CN116799071A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310173121.5
申请日：2023-02-22
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开带有空气隔墙的二维材料器件结构及其制备方法，该二维材料器件结构的构成包括为衬底、栅极、绝缘介质层、二维材料薄膜和源漏电极，二维材料薄膜与绝缘介质层以及被介质层包裹的栅极的侧壁形成空气隔墙，或者绝缘介质层与栅极之间形成空气隔墙。本发明的制备方法不需要额外的光刻步骤，通过调整栅极金属的蒸镀厚度即可实现。上述结构的二维材料器件结构利用了二维材料的延展性和柔性，减小了栅极与源漏电极之间的耦合，从而减小寄生电容，降低电路延迟。同时结构保证有一部分源漏电极与二维材料接触区域可以被栅极调控，避免降低电学性能，可以保持低的器件电阻。该发明可以应用于高速高频电子器件领域。
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公开(公告)号：CN113674680A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110959024.X
申请日：2021-08-20
Applicant: 南京大学
IPC: G09G3/32 , H05B45/325
Abstract: 本发明公开了一种基于像素分享的PWM驱动电路及驱动方法，包括若干呈阵列排列的发光单元，对应每一列发光单元，还包括用于提供PWM驱动信号的信号处理模块，每一列中任一个发光单元与信号处理模块信号连接；对应每一行发光单元，还包括用于提供开关信号的第一信号发射器，每一行中任一个发光单元与第一信号发射器信号连接。本发明基于像素共享原理，将多个发光单元共用一个信号处理模块，每个驱动电路的平均晶体管数目显著下降，大幅降低了集成难度以及制备成本，实现了低晶体管密度的像素驱动。
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公开(公告)号：CN113013022B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202110197000.5
申请日：2021-02-22
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/027 , G03F7/00 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明涉及一种可图形化的超薄硬化光刻胶介电薄膜。本发明首先采用旋涂法在衬底表面涂覆一层光刻胶，并接着利用紫外光刻对该光刻胶层进行图形化，然后用氧等离子体处理样品表面，使表层光刻胶中的酚醛树脂发生交联而硬化，形成一层仅有4至5纳米厚的硬化光刻胶薄膜，之后将样品浸泡在丙酮剥离溶剂中，未被硬化的光刻胶被溶剂溶解，而硬化光刻胶薄膜由于不溶于丙酮等有机溶剂则留在衬底上。为使硬化光刻胶薄膜继承光刻胶的图案，采用原位转移方法：将从剥离溶剂中取出的样品静置在工作台上，待溶剂完全自然挥发之后再用丙酮/异丙醇等有机溶剂对样品进行清洗即可。本发明的超薄硬化光刻胶薄膜具有可图形化、可重复堆叠、高均匀平整度等优点。
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公开(公告)号：CN116249359A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310168702.X
申请日：2023-02-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种有机垂直分子二极管及其制法、二极管阵列的制法，该二极管包括衬底、绝缘层、底电极、有机半导体薄膜和顶电极；金属层制备于绝缘层表面，且制得的金属表面平滑，对生长有机半导体薄膜的溶液具有润湿性；有机半导体材料为带有烷基侧链的共轭有机小分子。其制法为：在衬底上生长绝缘层，在绝缘层上制备底电极，在底电极上生长有机半导体薄膜；另取衬底制备顶电极；将顶电极金属转移到有机半导体薄膜上，制得。本发明制备的有机垂直分子二极管实现了破纪录的整流比高达108，单位电导超过103S/cm2，本发明还制备了有机垂直分子二极管阵列，阵列实现了100％的产率，表现出高均一性。
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公开(公告)号：CN116133440A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211654225.X
申请日：2022-12-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种高频有机平面结构整流二极管，包括衬底、金属背栅、介电层、半导体沟道层、源/漏电极和聚合物封装层；其中，所述半导体沟道层为带有烷基侧链的有机小分子薄膜，且成膜后烷基侧链向外暴露；所述源/漏电极接触层为金属铂；所述源/漏电极单独制备好以后，覆盖聚合物封装层，然后将聚合物封装层和源/漏金属电极无损转移到半导体沟道层上，接触层铂与半导体沟道层有机小分子烷基侧链结合；该高频有机平面结构整流二极管实现了低工作电压下的高频性能，具有64MHz的最高整流特性，电压归一化整流频率达到25.6MHz/V，理论最高整流频率为0.13GHz。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115710749A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211324028.1
申请日：2022-10-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种过渡金属硫族化合物单晶薄膜的制备方法及装置，所述制备方法通过高活性的反应气体与固态金属源进行原位表面反应得到气态金属源，接着与含有硫族元素的气体源在衬底表面进行气相反应，生长得到过渡金属硫族化合物单晶薄膜；通过高形核密度和高生长速率实现薄膜的快速生长；采用该制备方法的装置，将衬底从进样室传送至外延腔室，在温度恒定的外延腔室进行批量化材料生长，样品由外延腔体传输到取样室进行降温冷却，避免了外延腔室升降温过程带来的时间和能源消耗，实现了过渡金属硫族化合物单晶薄膜的不间断、批次生长和传输，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN114927511A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210413625.5
申请日：2022-04-19
Applicant: 南京大学
IPC: H01L25/075 , H01L25/16 , H01L33/50
Abstract: 本发明提供了一种单片集成大面积多色高分辨显示的Micro‑LED芯片及其制作方法。所述Micro‑LED芯片包括层叠设置的第一LED芯片阵列和第二LED芯片阵列，所述第一LED芯片阵列包括多个正装结构的第一LED芯片，所述第二LED芯片阵列包括多个倒装结构的第二LED芯片；设置在第一LED芯片阵列与第二LED芯片阵列之间的驱动阵列，所述驱动阵列包括多个驱动单元，所述驱动单元集成在所述Micro‑LED芯片的像素原位，并且每一第一LED芯片、每一第二LED芯片分别与相应的驱动单元电连接。本发明通过正装与倒装芯片交替排列降低了在可以减小LED芯片间距，提高显示屏的分辨率，从而使得显示效果更佳细腻。
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公开(公告)号：CN114540958A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210182597.0
申请日：2022-02-25
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种双层过渡金属硫族化合物连续薄膜及其制备方法，所述双层过渡金属硫族化合物连续薄膜由衬底和衬底表面形核双层的晶粒组成，双层晶粒在衬底的高台阶处均匀成形并连续覆盖，两层尺寸一致且边缘对齐，所述过渡金属硫族化合物为二硫化钼、二硫化钨、二硒化钼或二硒化钨；所述连续薄膜的制备方法为气相沉积法，在衬底表面形核双层的晶粒，该双层晶粒上下两层对齐、等速生长，拼接为均匀、连续的双层薄膜；所述连续薄膜可达到厘米级别，完全满足高性能电子器件集成的要求。
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公开(公告)号：CN112510166B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202011299501.6
申请日：2020-11-19
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种有机发光超晶格薄膜及其制备方法和应用，属于有机半导体光电材料领域。该有机发光超晶格薄膜为由两种二维有机分子在衬底表面交替外延生长形成的有机发光薄膜，二维有机分子选自苝‑3,4,9,10‑四羧酸二酐、N,N'‑二甲基‑3,4,9,10‑苝四甲酰二亚胺、N,N'‑二辛基‑3,4,9,10‑苝二甲酰亚胺和3,4,9,10‑四甲酰二亚胺。其制备方法为：将第一种二维有机分子的生长源材料和衬底置于管式炉不同位置，在衬底表面外延生长第一层有机发光薄膜；将生长源材料替换为第二种二维有机分子，生长第二层有机发光薄膜；重复替换生长源材料，交替生长出多层有机发光薄膜，即得有机发光超晶格薄膜。该有机发光超晶格薄膜具有高质量、高发光强度，可用作有机发光场效应晶体管的发光层。
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公开(公告)号：CN113013022A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110197000.5
申请日：2021-02-22
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/027 , G03F7/00 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明涉及一种可图形化的超薄硬化光刻胶介电薄膜。本发明首先采用旋涂法在衬底表面涂覆一层光刻胶，并接着利用紫外光刻对该光刻胶层进行图形化，然后用氧等离子体处理样品表面，使表层光刻胶中的酚醛树脂发生交联而硬化，形成一层仅有4至5纳米厚的硬化光刻胶薄膜，之后将样品浸泡在丙酮剥离溶剂中，未被硬化的光刻胶被溶剂溶解，而硬化光刻胶薄膜由于不溶于丙酮等有机溶剂则留在衬底上。为使硬化光刻胶薄膜继承光刻胶的图案，采用原位转移方法：将从剥离溶剂中取出的样品静置在工作台上，待溶剂完全自然挥发之后再用丙酮/异丙醇等有机溶剂对样品进行清洗即可。本发明的超薄硬化光刻胶薄膜具有可图形化、可重复堆叠、高均匀平整度等优点。
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