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公开(公告)号：CN100591801C
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200710133452.7
申请日：2007-09-30
IPC: C23C16/50 , H01L21/205 , H01L21/365
Abstract: 本发明将导入原料气的二至四支喷管密封固定在真空沉积腔上方导入沉积腔，反应气体或与载气由气源导入喷管，喷管的喷口出口处附近设置一金属热丝，在喷管外壁设有由可产生等离子体的电源驱动的电感线圈，沉积腔内设生长薄膜的衬底平台，沉积腔的下部或下侧部设有抽真空出口管。本发明制备薄膜材料装置具有成膜质量高、沉积速率快、生长温度低，气体利用率高等优点。
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公开(公告)号：CN101158034A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710133452.7
申请日：2007-09-30
IPC: C23C16/50 , H01L21/205 , H01L21/365
Abstract: 本发明将导入原料气的二至四支喷管密封固定在真空沉积腔上方导入沉积腔，反应气体或与载气由气源导入喷管，喷管的喷口出口处附近设置一金属热丝，在喷管外壁设有由可产生等离子体的电源驱动的电感线圈，沉积腔内设生长薄膜的衬底平台，沉积腔的下部或下侧部设有抽真空出口管。本发明制备薄膜材料装置具有成膜质量高、沉积速率快、生长温度低，气体利用率高等优点。
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公开(公告)号：CN110616456A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201911009760.8
申请日：2019-10-23
Abstract: 一种采用卤化物气相外延生长κ-Ga2O3薄膜的方法，使用两温区管式炉作为反应设备，高纯金属Ga和混合载气的HCl在第一温区反应区加热下发生反应，生成气态的GaCl和GaCl3，之后在载气的推动下，第一温区反应区反应生成物进入第二温区生长区与混合载气的O2反应，在衬底上生长κ-Ga2O3薄膜；第一温区反应区采用较高温度使得金属Ga源和气态HCl反应，第一温区使用的温度在800℃至1050℃，而第二温区生长区采用较低温度使第一温区输送过来的生成物与O2反应，第二温区使用的温度在500℃至650℃。本发明方法的生长速度较快，成本低、所需反应物毒性低，可大规模制备κ-Ga2O3薄膜。
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公开(公告)号：CN110444618B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201910732617.5
申请日：2019-08-09
Applicant: 南京大学 , 南京大学深圳研究院 , 中电科技德清华莹电子有限公司
IPC: H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/108 , H01L31/0224 , H01L31/20
Abstract: 本发明公开了一种基于非晶氧化镓薄膜的柔性日盲紫外探测器，探测器以高分子(如PET、聚酰亚胺)薄膜或织物为柔性衬底，使用超宽禁带半导体氧化镓(Ga2O3)(半导体层)为光探测材料，使用金属或氮化钛(TiN)半导体作为电极材料，通过光刻、刻蚀和薄膜沉积等半导体工艺制备肖特基接触电极层，形成金属电极‑半导体层‑金属电极(MSM)结构探测器，可实现对波长小于280nm的日盲紫外光的有效探测。
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公开(公告)号：CN110444618A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910732617.5
申请日：2019-08-09
Applicant: 南京大学 , 南京大学深圳研究院 , 中电科技德清华莹电子有限公司
IPC: H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/108 , H01L31/0224 , H01L31/20
Abstract: 本发明公开了一种基于非晶氧化镓薄膜的柔性日盲紫外探测器，探测器以高分子(如PET、聚酰亚胺)薄膜或织物为柔性衬底，使用超宽禁带半导体氧化镓(Ga2O3)(半导体层)为光探测材料，使用金属或氮化钛(TiN)半导体作为电极材料，通过光刻、刻蚀和薄膜沉积等半导体工艺制备肖特基接触电极层，形成金属电极-半导体层-金属电极(MSM)结构探测器，可实现对波长小于280nm的日盲紫外光的有效探测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110616456B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201911009760.8
申请日：2019-10-23
Abstract: 一种采用卤化物气相外延生长κ‑Ga2O3薄膜的方法，使用两温区管式炉作为反应设备，高纯金属Ga和混合载气的HCl在第一温区反应区加热下发生反应，生成气态的GaCl和GaCl3，之后在载气的推动下，第一温区反应区反应生成物进入第二温区生长区与混合载气的O2反应，在衬底上生长κ‑Ga2O3薄膜；第一温区反应区采用较高温度使得金属Ga源和气态HCl反应，第一温区使用的温度在800℃至1050℃，而第二温区生长区采用较低温度使第一温区输送过来的生成物与O2反应，第二温区使用的温度在500℃至650℃。本发明方法的生长速度较快，成本低、所需反应物毒性低，可大规模制备κ‑Ga2O3薄膜。
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公开(公告)号：CN114447100A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210060232.0
申请日：2022-01-19
IPC: H01L29/06 , H01L29/47 , H01L29/24 , H01L29/872 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种基于肖特基二极管的氧化镓微米柱阵列及其制备方法，所述肖特基二极管由下往上依次包括衬底层，氧化镓层，氧化镓微米柱的肖特基阵列；所述氧化镓层材料为α相、κ相、γ相或β相氧化镓，所述氧化镓微米柱材料为α相、κ相、γ相或β相氧化镓。本发明将HVPE和Mist CVD结合，快速制备出氧化镓微米柱阵列，制备高质量的氧化镓阵列材料，以实现低开启电压、快开关速度和低能源损耗的氧化镓微米柱阵列的肖特基二极管。相对于其他氧化镓肖特基二极管的方法，本发明制备的氧化镓微米柱阵列形貌精准可控，重复性好，效率高，制造工艺简单，可以有效地集成和大规模生产。
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公开(公告)号：CN118465515B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410919386.X
申请日：2024-07-10
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提供了一种半导体晶片内部电场的检测方法，包括以下步骤：在待测半导体晶片下方设置底电极；在待测半导体晶片表面上采用外延生长技术和电子束蒸发技术生成半透明电极；采用电子束蒸发技术在半透明电极的中心生长金电极，金电极的尺寸小于半透明电极；进行不同恒定偏压下的光电流测试，获得不同偏压下的光响应谱；光电流测试的光线垂直金电极进行照射；通过法兰兹‑卡尔迪西效应FK和相应半导体场吸收模型对待测半导体晶片在光电流测试中的耗尽区、扩散区和无场吸收区进行分析得到光响应公式，并与光响应谱进行拟合，得到不同偏压下待测半导体晶片的内部电场。对器件无损伤且简单易行，对实际器件内部电场进行精确检测。
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公开(公告)号：CN118563421A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410657041.1
申请日：2024-05-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种p型铱镓氧合金外延薄膜及其制备方法，所述p型铱镓氧合金外延薄膜的化学式为(IrxGa1‑x)2O3，且x≤0.05；其晶相为α相、ε相、β相中的一种。α‑Ir2O3为六方刚玉结构，Ir3+离子仅占据八面体位置。在高Ga组分(IrxGa1‑x)2O3(x≤0.05)外延薄膜中，可通过Ir3+离子仅取代占据八面体位置的Ga3+离子的前提下实现晶相调控，具体通过改变Mist‑CVD中衬底温度实现(IrxGa1‑x)2O3(x≤0.05)外延薄膜的晶相调控，实现与α‑Ga2O3、ε‑Ga2O3、β‑Ga2O3晶型匹配且晶格失配极小的目标，是晶体结构复杂的Ga2O3的理想p型材料制备方案，为进一步开发Ga2O3在功率器件及射频器件领域的新型结构提供了坚实的基础。
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