公开(公告)号：CN102544136B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201210008553.2

申请日：2012-01-12

Applicant: 南京大学

Inventor： 施毅 ,  盛贇 ,  王剑宇 ,  孙华斌 ,  潘力佳 ,  王军转 ,  濮林 ,  王欣然 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种纳米材料电子与光电子器件，器件的结构包括衬底、下电极、纳米材料、绝缘介电层和上电极五个部分，所述的绝缘介电层选择金属氧化技术获得绝缘介电层，上下电极与纳米材料形成良好的电学接触，绝缘介电层在上下电极之间，保证电荷通过上下电极流经纳米材料。本发明通过对纳米材料加工，形成有效的电极接触，实现其电子和光电子方面的功能。本发明方法避免复杂而昂贵的微加工工艺，可实现纳米器件低成本、大批量的加工。

公开(公告)号：CN102544136A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210008553.2

申请日：2012-01-12

Applicant: 南京大学

Inventor： 施毅 ,  盛贇 ,  王剑宇 ,  孙华斌 ,  潘力佳 ,  王军转 ,  濮林 ,  王欣然 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种纳米材料电子与光电子器件，器件的结构包括衬底、下电极、纳米材料、绝缘介电层和上电极五个部分，所述的绝缘介电层选择金属氧化技术获得绝缘介电层，上下电极与纳米材料形成良好的电学接触，绝缘介电层在上下电极之间，保证电荷通过上下电极流经纳米材料。本发明通过对纳米材料加工，形成有效的电极接触，实现其电子和光电子方面的功能。本发明方法避免复杂而昂贵的微加工工艺，可实现纳米器件低成本、大批量的加工。