一种静电转移头及其制造方法

    公开(公告)号:CN112271156A

    公开(公告)日:2021-01-26

    申请号:CN202011037950.3

    申请日:2020-09-28

    Abstract: 本发明提供一种静电转移头及其制造方法,静电转移头包括基板、阵列设置在基板上的多个高台,还包括位于相邻高台之间且设置在基板上的沟槽、位于沟槽内的电极线和接地线、设置在每个高台上的凹槽、覆盖在高台上和侧边上的至少一个电极以及介电层;其中,所述电极覆盖至少部分凹槽,所述电极线连接相邻高台上的电极,所述介电层位于电极线和接地线之间和覆盖所述电极和所述凹槽。本发明静电转移头,通过在高台上形成凹槽以形成双极电极或单极电极,电极吸附和转移微型器件;凹槽很好的解决了静电转移头与微型器件之间的偏移问题,另外,本发明在电极线上方还添加了接地线很好的屏蔽了电极线产生的电场。

    一种微型发光二极管显示背板及其制造方法

    公开(公告)号:CN110931627B

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN201911177941.1

    申请日:2019-11-27

    Abstract: 本发明提出一种微型发光二极管显示背板及其制造方法,涉及微型发光二极管领域,包括基板;多条第一金属电极条,阵列设置在基板上;多条第二金属电极条,与第一金属电极条垂直交错设置,第一金属电极条和第二金属电极条分别位于不同层;绝缘层,位于第一金属电极条和第二金属电极条之间,绝缘层上设有位于第一金属电极条上方且用于放置微型发光二极管的第一开孔;助焊层,覆盖第一金属电极条、第二金属电极条和绝缘层;微型发光二极管,焊接于第一开孔内且位于第一金属电极条上,助焊层包围所述微型发光二极管的侧壁;微型金属柱,焊接于第二金属电极条上,微型金属柱包括导电金属层和焊接层;多个电极图层,连接微型发光二极管和微型金属柱。

    一种Micro LED背板及其修补方法

    公开(公告)号:CN112435594A

    公开(公告)日:2021-03-02

    申请号:CN202011369969.8

    申请日:2020-11-30

    Abstract: 本发明提供一种Micro LED背板及其修复方法,Micro LED背板包括第一金属电极线、第一键合金属层、第一Micro LED、第一透明电极、环形键合层、第一绝缘层、开孔、第二Micro LED、第二金属电极线、平坦化绝缘层以及第二透明电极;还包括位于第二Micro LED顶部的第二Micro LED顶部开孔、位于第二金属电极线上方的第一开孔和第二开孔、位于第一透明电极上方的切断槽和电极开孔,其中第一开孔和第二开孔分别位于第二Micro LED的两侧。本发明Micro LED背板事先设置修复孔,当存在坏点Micro LED时,无需对坏点处的Micro LED做任何处理,仅通过普通的切断线和连接线路修补手段就可以实现坏点处的再显示,不仅大大简化了Micro LED的修补手法。

    一种微型发光二极管转移方法

    公开(公告)号:CN112271188A

    公开(公告)日:2021-01-26

    申请号:CN202011000528.0

    申请日:2020-09-22

    Inventor: 王贤娜 张良玉

    Abstract: 本发明提出一种微型发光二极管转移方法,涉及微型发光二极管领域,本发明通过在微型发光二极管底部做一层导电层避免刻蚀微型发光二极管时其底部断路;将微型发光二极管底部键合层的宽度刻蚀至微型发光二极管宽度的1/4‑1/2,减小导电层对微型发光二极管底部键合层的吸附力;此外,本发明还通过改变缓冲层的刻蚀顺序,保证静电转移时微型发光二极管表面的平坦度良好,从而解决转移时拾取率低的问题。

    一种微型发光二极管的转移方法

    公开(公告)号:CN111725124A

    公开(公告)日:2020-09-29

    申请号:CN202010460749.X

    申请日:2020-05-27

    Abstract: 本发明提出一种微型发光二极管的转移方法,涉及微型发光二极管领域,本发明的转移方法包括以下步骤:在外延片上依次沉积金属电极材料层和键合材料层,外延片从下至上包括基板、缓冲层和外延层,金属电极材料层和键合材料层沉积在外延层上;在键合材料层上涂布第一光阻,采用湿刻对金属电极材料层和键合材料层刻蚀形成阵列分布的金属电极层和位于金属电极层上的键合层;对外延片的外延层干刻,形成阵列分布的微型发光二极管,并去除第一光阻;制作包括多个隔离柱和粘结柱的暂态基板;贴合外延片和暂态基板;激光剥除外延片的生长基板,之后干刻蚀掉外延片的缓冲层;微型发光二极管转移至驱动背板上进行键合。

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