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公开(公告)号：CN110190170B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201910298171.X
申请日：2019-04-15
Applicant: 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 , 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 , 南京华东电子信息科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种微型发光二极管显示器的背板及其制造方法，包括驱动部分和键合区；所述驱动部分通过键合区与微型发光二极管电性连接；所述键合区包括图形化区域和未图形化区域，所述图形化区域包括挖开区域和保留区域，所述挖开区域和保留区域交替设置；所述微型发光二极管芯片在所述图形化区域内具有投影区，所述图形化区域延伸至所述投影区外。本发明通过将键合区的图形化区域设计为挖开区域和保留区域交替设置的结构，在挖开区域内设置粘合剂对转移至键合区的微型发光二极管进行临时固定，待所有微型发光二极管转移完成后，加热使粘合剂挥发，微型发光二极管芯片与图形化区域之间发生键合反应形成永久固定。
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公开(公告)号：CN111490143A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010309479.2
申请日：2020-04-20
Applicant: 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 , 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 , 南京华东电子信息科技股份有限公司
Abstract: 本发明提出一种显示背板及其制造方法、微型发光二极管显示器，涉及微型发光二极管领域，所述制造方法包括：S1：形成多个位于背板衬底上阵列排布的键合电极，形成位于键合电极上方的磁流变液层；S2：电磁铁基板上的电磁铁对应贴合在背板衬底的背面，电磁铁位于背板衬底的下方且与键合电极对应设置；S3：控制电磁铁的磁场强度，在对应的磁流变液层上放置微型发光二极管；S4：对微型发光二极管进行光学检测，控制电磁铁的磁场强度对检测到的坏点进行移除，并转移新的微型发光二极管放置至坏点处；S5：微型发光二极管的底部电极与键合电极进行键合，键合完成后移除电磁铁基板。本发明实现显示背板制造过程中对微型发光二极管可选择的转移和修复。
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公开(公告)号：CN111276440A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010094497.3
申请日：2020-02-16
Applicant: 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 , 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 , 南京华东电子信息科技股份有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L33/48
Abstract: 本发明提出一种微型器件转移头及其制造方法、微型器件的转移方法，涉及微型发光二极管领域，微型器件的转移方法，包括以下步骤：S1：带有梯形凹槽的微型器件转移头与待转移的微型器件所在的暂态基板对位贴合；S2：真空压贴将微型器件压入微型器件转移头的梯形凹槽内；S3：微型器件转移头带走微型器件及其底部的底部电极离开暂态基板；S4：微型器件转移头将微型器件转移至显示背板上，使微型器件底部的底部电极与显示背板键合；S5：移走微型器件转移头。本发明利用弹性材料制备出具有梯形凹槽的微型器件转移头，通过将带转移的微型器件压入微型器件转移头的梯形凹槽内从而实现微型器件的巨量转移。
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公开(公告)号：CN110783252A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910991678.3
申请日：2019-10-18
Applicant: 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 , 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 , 南京华东电子信息科技股份有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L33/48
Abstract: 本发明提出一种微型器件转移头及其制作方法、微型器件的转移方法，涉及微型发光二极管领域，所述微型器件转移头包括基础衬底、位于基础衬底上且阵列排布的多个高台以及位于每个高台上的金属固化转移层。本发明通过提供一种带有金属固化转移层的微型器件转移头，然后与带有金属固化层的显示背板结合，利用金属的附着力可以轻松实现微型发光二极管的巨量转移。
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公开(公告)号：CN109994417B
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910459863.8
申请日：2019-05-30
Applicant: 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 , 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 , 南京华东电子信息科技股份有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L33/00
Abstract: 本发明提出一种静电转移头及其制作方法，属于Micro LED巨量转移的技术领域，包括基板、图案化的第一金属层和介电层，所述基板包括凹部和凸部，所述介电层包括与所述凹部对应的第一凹洞，所述第一金属层嵌入在基板中。本发明通过在基板或平坦层中嵌入金属，解决现有转移头出现的边缘凸起、匀胶均一性较差、边缘漏电导致吸力不足和工艺良率低的困扰，使巨量转移更好的完成的同时可以转移不同微元件且不受阻碍。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109830191B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910331140.X
申请日：2019-04-24
Applicant: 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 , 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 , 南京华东电子信息科技股份有限公司
IPC: G09F9/33 , H01L21/68 , H01L21/677 , H01L27/15 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种像素结构以及微发光二极管的转移方法，属于显示面板制造领域，本发明公开了一种像素结构，其包括：纵横交错的数据线和扫描线、与数据线平行的电源线、由扫描线、数据线和电源线围设形成的像素区域以及位于像素区域内的电容电极，还包括位于像素区域内且与电容电极连接的键合金属层以及设置在键合金属层内的对位标记，本发明将对位标记设置在键合金属层上，通过微发光二极管和对位标记进行对位操作，既能够保证微发光二极管转移过程中的对位精度，同时又不影响微发光二极管的驱动，并且不增加任何其他的结构，不改变现有的制造流程，不会增加新的工艺流程，实现生产经济化。
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公开(公告)号：CN109994417A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201910459863.8
申请日：2019-05-30
Applicant: 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 , 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 , 南京华东电子信息科技股份有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L33/00
Abstract: 本发明提出一种静电转移头及其制作方法，属于Micro LED巨量转移的技术领域，包括基板、图案化的第一金属层和介电层，所述基板包括凹部和凸部，所述介电层包括与所述凹部对应的第一凹洞，所述第一金属层嵌入在基板中。本发明通过在基板或平坦层中嵌入金属，解决现有转移头出现的边缘凸起、匀胶均一性较差、边缘漏电导致吸力不足和工艺良率低的困扰，使巨量转移更好的完成的同时可以转移不同微元件且不受阻碍。
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公开(公告)号：CN109830191A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910331140.X
申请日：2019-04-24
Applicant: 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 , 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 , 南京华东电子信息科技股份有限公司
IPC: G09F9/33 , H01L21/68 , H01L21/677 , H01L27/15 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种像素结构以及微发光二极管的转移方法，属于显示面板制造领域，本发明公开了一种像素结构，其包括：纵横交错的数据线和扫描线、与数据线平行的电源线、由扫描线、数据线和电源线围设形成的像素区域以及位于像素区域内的电容电极，还包括位于像素区域内且与电容电极连接的键合金属层以及设置在键合金属层内的对位标记，本发明将对位标记设置在键合金属层上，通过微发光二极管和对位标记进行对位操作，既能够保证微发光二极管转移过程中的对位精度，同时又不影响微发光二极管的驱动，并且不增加任何其他的结构，不改变现有的制造流程，不会增加新的工艺流程，实现生产经济化。
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公开(公告)号：CN109817641A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910038104.4
申请日：2019-01-16
Applicant: 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 , 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 , 南京华东电子信息科技股份有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1362 , G03F1/80
Abstract: 本发明提供一种阵列基板及其制造方法，包括像素区和端子区；像素区包括栅极、像素电极、栅极保护层、栅极绝缘层、半导体层、源极和漏极、第一绝缘层、第二绝缘层和公共电极；栅极绝缘层上具有第一栅极绝缘层孔，漏极通过第一栅极绝缘层孔与像素电极导通；端子区包括栅极、栅极保护层、栅极绝缘层、金属接触层、第一绝缘层、第二绝缘层、和公共电极。本发明通过在栅极上形成栅极保护层，可以保护栅极不被腐蚀和氧化；通过设计像素电极上方无第二绝缘层，可以提高像素区光的透过率；通过控制干刻时间可控制第一绝缘层和栅极绝缘层的厚度，进而控制公共电极与像素电极之间的距离；将阵列基板的制造减少至6道光罩，节约成本。
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公开(公告)号：CN109802019A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201910306386.1
申请日：2019-04-17
Applicant: 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 , 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 , 南京华东电子信息科技股份有限公司
Abstract: 本发明提出一种微型LED的转移方法，属于发光显示的技术领域，先形成半刻的LED结构，经过一次转移进行翻转，对去除缓冲层，形成分离的LED阵列，再在LED上形成金属层，此时金属层在LED侧壁处发生断裂，再经过二次粘合，利用转移吸头对LED进行吸取，放置于接收基板对应的金属电极上，经过键合后完成微型LED的转移。本发明改善了激光剥离应力释放导致的膜破问题，并避免了厚的金属层在转移时需要较大吸力进行拉扯的问题。
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