公开(公告)号：CN109817767B

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN201811568350.2

申请日：2018-12-21

Applicant: 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司

Inventor： 朱充沛 ,  高威 ,  周宇 ,  王贤娜 ,  郁杰

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/20

Abstract: 本发明提出一种微型器件及其制作方法，在形成该微型器件的外延层之前，先形成牺牲层并且对牺牲层进行图形化的处理。制作方法包括：S1、衬底上形成图形化的牺牲层；S2、所述牺牲层上形成外延层，一部分所述外延层形成在牺牲层上，其余所述外延层形成在缓冲层上；S3、移除牺牲层以及位于牺牲层上的外延层；S4、所述外延层上形成图形化的金属层，形成LED；S5、转移位于衬底上的LED，形成微型器件。本发明通过外延生长的图形化，使外延直接形成分离的结构，减小或避免了应力的集中。

公开(公告)号：CN109817767A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201811568350.2

申请日：2018-12-21

Applicant: 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 ,  南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 ,  南京华东电子信息科技股份有限公司

Inventor： 朱充沛 ,  高威 ,  周宇 ,  王贤娜 ,  郁杰

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/20

Abstract: 本发明提出一种微型器件及其制作方法，在形成该微型器件的外延层之前，先形成牺牲层并且对牺牲层进行图形化的处理。制作方法包括：S1、衬底上形成图形化的牺牲层；S2、所述牺牲层上形成外延层，一部分所述外延层形成在牺牲层上，其余所述外延层形成在缓冲层上；S3、移除牺牲层以及位于牺牲层上的外延层；S4、所述外延层上形成图形化的金属层，形成LED；S5、转移位于衬底上的LED，形成微型器件。本发明通过外延生长的图形化，使外延直接形成分离的结构，减小或避免了应力的集中。

公开(公告)号：CN111725363A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN202010464714.3

申请日：2020-05-28

Applicant: 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司

Inventor： 周宇 ,  朱充沛 ,  王贤娜 ,  王俊星

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/24 ,  H01L33/36 ,  H01L33/44 ,  H01L27/15

Abstract: 本发明提供一种微型发光二极管背板及其制造方法，包括如下步骤：对位于微型发光二极管的至少部分上表面的氧化镓层去除并形成粗糙化表面。本发明微型发光二极管的上表面和侧壁形成氧化镓层，去除位于微型发光二极管的至少部分表面上的氧化镓层，增加了出光率；至少位于微型发光二极管的侧壁上的氧化镓层不存在易剥落，能够起到较佳的侧壁保护作用，减小侧壁漏电流，提高发光效率；本发明对微型发光二极管的侧壁形貌无要求，工艺简单，能够同时达到侧壁保护、出光面粗糙化的目的。

公开(公告)号：CN112271188A

公开(公告)日：2021-01-26

申请号：CN202011000528.0

申请日：2020-09-22

Applicant: 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司

Inventor： 王贤娜 ,  张良玉

IPC: H01L27/15 ,  H01L21/78 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提出一种微型发光二极管转移方法，涉及微型发光二极管领域，本发明通过在微型发光二极管底部做一层导电层避免刻蚀微型发光二极管时其底部断路；将微型发光二极管底部键合层的宽度刻蚀至微型发光二极管宽度的1/4‑1/2，减小导电层对微型发光二极管底部键合层的吸附力；此外，本发明还通过改变缓冲层的刻蚀顺序，保证静电转移时微型发光二极管表面的平坦度良好，从而解决转移时拾取率低的问题。