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公开(公告)号：CN115347115A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202110522097.2
申请日：2021-05-13
Applicant: 华邦电子股份有限公司
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种电阻式随机存取存储单元及其制造方法，所述电阻式随机存取存储单元包括第一电极、氧存储层、可变电阻层以及第二电极。第一电极位于介电层上，包括主体部，在第一方向延伸；以及多个延伸部，与主体部的侧壁连接，在第二方向延伸，第二方向与第一方向垂直。氧存储层覆盖第一电极。可变电阻层，位于第一电极层与氧存储层之间。第二电极，位于氧存储层的顶面上方以及氧存储层的上侧壁周围。
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公开(公告)号：CN115148898A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202110332090.4
申请日：2021-03-29
Applicant: 华邦电子股份有限公司
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明是关于一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包含：基板、第一电极、空位供应层、侧壁阻障层、氧储存层、阻值转换层以及第二电极；第一电极设置于基板上；空位供应层设置于第一电极上；侧壁阻障层设置于第一电极上；氧储存层设置于第一电极上，且侧壁阻障层设置于氧储存层与空位供应层之间；阻值转换层设置于空位供应层上；第二电极设置于阻值转换层上。使得半导体结构中同时具有氧离子导通路径与空位导通路径，来获得更优良的电性特征。
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公开(公告)号：CN103000584B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201110277642.2
申请日：2011-09-19
Applicant: 华邦电子股份有限公司
Inventor： 郭泽绵
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108
Abstract: 本发明提供一种位线结构，包括：半导体基材，具有瓶状沟槽于其中，其中此瓶状沟槽包含第一沟槽及扩大的第二沟槽，且其中此第一及此第二沟槽各自具有相互面对的第一侧壁及第二侧壁；第一绝缘层，内衬于此瓶状沟槽中；第二绝缘层，覆盖第二沟槽中的第一绝缘层，其中第一侧壁具有一暴露部分未被第一及第二绝缘层覆盖，且第一侧壁上的第一绝缘层具有一暴露部分未被第二绝缘层覆盖，且其中第一侧壁的暴露部分靠近第一沟槽的底部且介于其与第一绝缘层的暴露部分之间；一金属线，位于第二绝缘层中；一位线接触物，位于金属线上。
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公开(公告)号：CN113889569A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202010626425.9
申请日：2020-07-02
Applicant: 华邦电子股份有限公司
Abstract: 提供一种电阻式随机存取存储器及其制造方法。此电阻式随机存取存储器包含基底、第一介电层、底电极、电阻转换层、氧原子交换层、阻挡层以及顶电极。前述第一介电层设置于基底上。前述底电极设置于第一介电层上。前述电阻转换层设置于底电极上。前述氧原子交换层设置于电阻转换层上，其中氧原子交换层与电阻转换层的接触面积小于电阻转换层的顶面面积。前述阻挡层设置于氧原子交换层上。前述顶电极设置于阻挡层上。
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公开(公告)号：CN102842580B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201110167526.5
申请日：2011-06-21
Applicant: 华邦电子股份有限公司
Inventor： 郭泽绵
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本发明公开了一种动态随机存取存储器及其制造方法，上述动态随机存取存储器包括一埋藏位线，设置于一基板内沿一第一方向延伸的一第一沟槽中，上述埋藏位线包括复数个位线接触物，沿上述第一方向间隔设置于上述第一沟槽的一侧壁上；一第一绝缘物，设置于上述基板内沿一第二方向延伸的一第二沟槽的一底面上，其中上述第一绝缘物的一对侧壁分别邻接不同的上述些位线接触物；一对埋藏字元线，分别设置于上述第二沟槽的一对侧壁上，且分别覆盖部分上述第一绝缘物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103151244A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201110411486.4
申请日：2011-12-07
Applicant: 华邦电子股份有限公司
Abstract: 一种堆叠式电容器及其制造方法。该制造方法包括：在基底上依次形成第一支撑层、第一绝缘层、第二支撑层、第二绝缘层、第三支撑层及硬掩模层；在第二支撑层、第二绝缘层、第三支撑层及硬掩模层中形成至少一第一开口；在第一开口的侧壁上形成间隙壁；以间隙壁为掩模，在第一支撑层及第一绝缘层中形成第二开口；进行一回吃工艺，以加大第二开口在第一绝缘层中的宽度；移除间隙壁；在第二开口及第一开口中依次形成下电极、介电层及上电极。
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公开(公告)号：CN102842580A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201110167526.5
申请日：2011-06-21
Applicant: 华邦电子股份有限公司
Inventor： 郭泽绵
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本发明公开了一种动态随机存取存储器及其制造方法，上述动态随机存取存储器包括一埋藏位线，设置于一基板内沿一第一方向延伸的一第一沟槽中，上述埋藏位线包括复数个位线接触物，沿上述第一方向间隔设置于上述第一沟槽的一侧壁上；一第一绝缘物，设置于上述基板内沿一第二方向延伸的一第二沟槽的一底面上，其中上述第一绝缘物的一对侧壁分别邻接不同的上述些位线接触物；一对埋藏字元线，分别设置于上述第二沟槽的一对侧壁上，且分别覆盖部分上述第一绝缘物。
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公开(公告)号：CN115117236B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202110286452.0
申请日：2021-03-17
Applicant: 华邦电子股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种电阻式随机存取存储器，包括：第一电极层与第二电极层，彼此相对设置；可变电阻层，位于所述第一电极层与所述第二电极层之间；氧交换层，位于所述可变电阻层与所述第二电极层之间；空缺提供层，位于环绕于所述氧交换层的中间侧壁周围；以及空缺驱动电极层，位于所述空缺提供层上，环绕于所述氧交换层的上侧壁周围。
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公开(公告)号：CN118076106A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202211463887.9
申请日：2022-11-22
Applicant: 华邦电子股份有限公司
Abstract: 本揭露提供一种存储器结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底中具有多个隔离结构，隔离结构包括突出于衬底上的多个第一突出部；以多个第二突出部取代这些第一突出部，以在第二突出部之间定义出多个浮置栅极预定区，其中包括：在第一突出部之间及衬底上方，形成填充绝缘材料；以及对填充绝缘材料及第一突出部执行图案化工艺，以形成定义出上述浮置栅极预定区的第二突出部；以及于浮置栅极预定区中形成多个浮置栅极。可以减少相关工艺对于关键尺寸的影响，不但可以增加浮置栅极的CDU，还可以避免图案化工艺对主动区的损坏，进而增加存储器装置的稳定性。
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公开(公告)号：CN113889570A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202010630340.8
申请日：2020-07-03
Applicant: 华邦电子股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种电阻式随机存取存储器及其制造方法。电阻式随机存取存储器包括堆叠结构以及位线结构。堆叠结构设置于衬底上。堆叠结构包括下部电极、上部电极以及可变电阻层。下部电极设置于衬底上。上部电极设置于下部电极上。可变电阻层设置于下部电极与上部电极之间。位线结构覆盖堆叠结构的顶面且覆盖至堆叠结构的侧壁的一部份。位线结构与堆叠结构电性连接。
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