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公开(公告)号：CN105023962B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201510466401.0
申请日：2015-07-30
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: H01L21/02505 , C30B25/10 , C30B25/183 , C30B29/42 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02463 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/02661 , H01L21/02694 , H01L21/3245 , H01L31/1852 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种生长在Si衬底上的GaAs薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)Si(111)衬底清洗；(2)Si(111)衬底预处理；(3)Si(111)衬底脱氧化膜；(4)第一InxGa1-xAs缓冲层的生长；缓冲层的生长；(7)GaAs缓冲层的原位退火；(8)第二InxGa1-xAs缓冲层的生长；(9)第二InxGa1-xAs缓冲层的原位退火；(10)GaAs外延薄膜的生长。本发明还公开了生长在Si衬底上的GaAs薄膜。本发明得到的GaAs薄膜晶体质量好，表面平整，对半导体器件的制备，尤其是太阳电池领域，有着积极的促进意义。(5)第一InxGa1-xAs缓冲层的原位退火；(6)GaAs
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公开(公告)号：CN103943700B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410157665.3
申请日：2014-04-18
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种生长在GaAs衬底上的InGaAsN薄膜，包括生长在GaAs衬底上的GaAs缓冲层、生长在GaAs缓冲层上的InGaAsN外延层薄膜。本发明还公开上述生长在GaAs衬底上的InGaAsN薄膜的制备方法，GaAs缓冲层和InGaAsN外延层薄膜均采用分子束外延生长方法。本发明得到的InGaAsN薄膜表面平整、成分均匀，带宽为1eV，对半导体器件领域，尤其是太阳电池领域，有着积极的促进意义。
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公开(公告)号：CN104835718A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510129129.7
申请日：2015-03-23
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/02 , H01L31/18 , H01L31/0304 , H01S5/323 , H01S5/343
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L21/02381 , H01L21/02463 , H01L21/02546 , H01L31/03046 , H01L31/1844 , H01L31/1852 , H01S5/323 , H01S5/343
Abstract: 本发明公开了一种生长在Si衬底上的GaAs薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)Si衬底清洗；(2)Si衬底预处理；(4)缓冲层的生长：在350～500℃的生长温度下，在经步骤(3)处理后的Si衬底表面生长2～20nm的InxGa1-xAs缓冲层，0.08
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公开(公告)号：CN103943700A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410157665.3
申请日：2014-04-18
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/03048 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/0254 , H01L21/02546 , H01L21/02631 , H01L31/1848
Abstract: 本发明公开了一种生长在GaAs衬底上的InGaAsN薄膜，包括生长在GaAs衬底上的GaAs缓冲层、生长在GaAs缓冲层上的InGaAsN外延层薄膜。本发明还公开上述生长在GaAs衬底上的InGaAsN薄膜的制备方法，GaAs缓冲层和InGaAsN外延层薄膜均采用分子束外延生长方法。本发明得到的InGaAsN薄膜表面平整、成分均匀，带宽为1eV，对半导体器件领域，尤其是太阳电池领域，有着积极的促进意义。
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公开(公告)号：CN105140104A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510468527.1
申请日：2015-07-31
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02381 , H01L21/02461 , H01L21/02499 , H01L21/02546 , H01L21/02631
Abstract: 本发明公开了生长在Si衬底上的GaAs薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)Si衬底清洗；(2)Si衬底预处理；(3)Si衬底脱氧化膜；(4)缓冲层的生长：在350～500℃的生长温度下，在经步骤(3)处理后的Si衬底表面生长2～20nm的InxGa1-xP缓冲层，0.57
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公开(公告)号：CN104465725B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201410681926.1
申请日：2014-11-24
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/201 , H01L31/0304 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了生长在Si衬底上的In0.3Ga0.7As薄膜，包括生长在Si衬底上的低温In0.28Ga0.72As缓冲层及生长在低温缓冲层上的InGaAs(Eg＝1.0eV)外延层薄膜。本发明还公开上述生长在Si衬底上的InGaAs薄膜的制备方法，低温生长的In0.28Ga0.72As缓冲层，缓冲层的退火工艺和In0.3Ga0.7As外延层薄膜的生长，均采用分子束外延生长的方法。本发明得到的In0.3Ga0.7As薄膜晶体质量好，表面平整，对半导体器件的制备，尤其是太阳电池领域，有着积极的促进意义。
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公开(公告)号：CN104560029A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510035916.5
申请日：2015-01-23
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种强紫外光致发光的ZnO有序纳米柱的制备方法，包括以下步骤：(1)制备ZnO有序纳米柱；(2)通过湿法转移将石墨烯薄膜转移至ZnO有序纳米柱的上表面，并进行退火处理；(3)在石墨烯薄膜表面旋涂Au纳米颗粒。本发明制备的ZnO有序纳米柱，极大提高ZnO有序纳米柱的紫光发光强度，同时红光缺陷发光明显降低；且制备方法简单、成本低。
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公开(公告)号：CN103762256A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410018708.X
申请日：2014-01-15
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: H01L21/02546 , C30B25/183 , C30B29/42 , H01L21/02052 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02463 , H01L21/02502 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/02658 , H01L29/201 , H01L31/03046 , H01L31/1848 , H01L31/1852 , Y02E10/544 , H01L31/1844
Abstract: 本发明公开了生长在Si衬底上的InGaAs薄膜，包括依次排列的Si衬底、低温In0.4Ga0.6As缓冲层、高温In0.4Ga0.6As缓冲层以及In0.53Ga0.47As外延薄膜，低温In0.4Ga0.6As缓冲层为在350～380℃生长的In0.4Ga0.6As缓冲层；高温In0.4Ga0.6As缓冲层为在500～540℃生长的In0.4Ga0.6As缓冲层；低温In0.4Ga0.6As缓冲层和高温In0.4Ga0.6As缓冲层的厚度之和为10～20nm。本发明还公开了InGaAs薄膜的制备方法。本发明的生长在Si衬底上的InGaAs薄膜，晶体质量较好、几乎完全弛豫，且制备工艺简单。
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