公开(公告)号：CN119575701A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202311140474.1

申请日：2023-09-05

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 李世梁 ,  郑雯 ,  温娟娟 ,  朱良秋 ,  江先鑫 ,  韩相磊

IPC: G02F1/01 ,  G02B6/42

Abstract: 一种光芯片、光电转换模块、光电合封芯片以及光通信设备，其用于在降低光芯片的耦合插损的同时，还能够提升光芯片的机械强度。所述光芯片包括衬底、填充层、调制光波导、电极、传输光波导以及至少一个光口光波导，衬底的表面设置填充层，沿垂直于衬底表面的方向，调制光波导与衬底表面之间的距离，小于光口光波导与衬底表面之间的距离，且传输光波导与衬底表面之间的距离，小于光口光波导与衬底表面之间的距离；电极用于形成电场，电场用于调制该调制光波导中的光信号以获得调制光信号，调制光波导用于向传输光波导耦合调制光信号，传输光波导用于向至少一个光口光波导耦合调制光信号，传输光波导以及至少一个光口光波导用于出射调制光信号。

公开(公告)号：CN118859408A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202310480128.1

申请日：2023-04-26

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 杨洋 ,  郑雯 ,  孙梦蝶 ,  温娟娟 ,  韩相磊

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/126 ,  G02B6/136 ,  G02F1/03 ,  G02F1/035 ,  G02F1/01 ,  G02B6/42 ,  H04B10/27 ,  G02B6/12

Abstract: 本申请实施例公开了光芯片、光模块及光通信设备。该光芯片包括依次堆叠的衬底、第一氧化层、正面功能结构层和第二氧化层，其正面功能结构层覆盖于第一氧化层的第一表面的第一区域，第二氧化层覆盖于第一氧化层的第一表面上除第一区域之外的区域和正面功能结构层；该光芯片的衬底上设置有背面衬底掏空结构，该衬底掏空结构的内表面延伸至衬底的第一表面的第二区域，第二区域包括与正面功能结构层正对的区域，且衬底掏空结构的工艺窗口形成在衬底的第二表面。本方案将衬底掏空的工艺窗口结构配置在光芯片的背面，第二氧化层与第一氧化层共同形成平面支撑，可有效提升结构机械强度和稳定性。另外，可根据需要布置其他正面功能结构，并具良好工艺兼容性。

公开(公告)号：CN118363117A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202310096958.4

申请日：2023-01-18

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 夏源 ,  温娟娟 ,  刘磊 ,  万玉娟 ,  郑凌晨 ,  柯青

IPC: G02B6/42 ,  G02B6/12 ,  H04B10/25

Abstract: 本申请实施例提供一种芯片及光通信设备，用于解决光通信模块中的芯片成本高的技术问题。该芯片包括：衬底、绝缘层、发光部件、第二波导、调制器和第一耦合器。发光部件设置在绝缘层的凹槽内，且与衬底固定连接，实现了发光部件、第二波导、以及设置在绝缘层内的调制器和第一耦合器的集成。采用与衬底固定连接的方式，对发光部件和衬底表面的平整度和光洁度要求低。发光部件提供的光信号通过第二波导传输至调制器，经调制器处理后的光信号传输至第一耦合器，将光信号输出至光纤。相比将发光部件设置在芯片外，本申请实施例提供的芯片不需要另外组装外置发光部件，组装简单，能够减低芯片的成本，提升芯片的良率。