公开(公告)号：CN117637895A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202210977189.4

申请日：2022-08-15

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 孙世闯 ,  陈平 ,  林振炫 ,  沈淼 ,  李世梁 ,  江先鑫

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/028 ,  H01L31/18

Abstract: 本申请提供一种光电探测器及其制备方法、光电探测系统，涉及光电器件领域，用于提高锗硅光电探测器对长波的吸收系数，实现锗硅光电探测器对长波的高响应度需求。该光电探测器包括衬底、锗吸收层和应力层。衬底包括顶部硅层，所述顶部硅层包括P型区、N型区，及位于所述P型区和所述N型区之间的本征区。锗吸收层位于所述本征区上，且与所述P型区和所述N型区接触，所述锗吸收层的至少部分的禁带宽度小于或等于0.762电子伏特。应力层位于所述锗吸收层远离所述衬底的一侧，所述应力层在所述衬底上的正投影与所述锗吸收层在所述衬底上的正投影至少部分重叠。上述光电探测器应用于光电探测系统中，用于感测光线。

公开(公告)号：CN119575701A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202311140474.1

申请日：2023-09-05

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 李世梁 ,  郑雯 ,  温娟娟 ,  朱良秋 ,  江先鑫 ,  韩相磊

IPC: G02F1/01 ,  G02B6/42

Abstract: 一种光芯片、光电转换模块、光电合封芯片以及光通信设备，其用于在降低光芯片的耦合插损的同时，还能够提升光芯片的机械强度。所述光芯片包括衬底、填充层、调制光波导、电极、传输光波导以及至少一个光口光波导，衬底的表面设置填充层，沿垂直于衬底表面的方向，调制光波导与衬底表面之间的距离，小于光口光波导与衬底表面之间的距离，且传输光波导与衬底表面之间的距离，小于光口光波导与衬底表面之间的距离；电极用于形成电场，电场用于调制该调制光波导中的光信号以获得调制光信号，调制光波导用于向传输光波导耦合调制光信号，传输光波导用于向至少一个光口光波导耦合调制光信号，传输光波导以及至少一个光口光波导用于出射调制光信号。

公开(公告)号：CN117616316A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202180100152.7

申请日：2021-09-18

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 袁俊 ,  马庆艳 ,  李世梁 ,  沈淼 ,  王根成 ,  江先鑫 ,  杨莉

IPC: G02B6/12

Abstract: 本申请的实施例提供一种光芯片及其制备方法、通信设备，涉及光通信技术领域，解决现有的光芯片中光波导在制备过程中尖端易断裂的问题。该光芯片包括衬底和设置在衬底上的第一介质层；第一介质层包括第一通孔；光芯片还包括填充在第一通孔内的光波导和第二介质层；其中，光波导在衬底上的投影呈条状，光波导包括第一子光波导，第一子光波导在衬底上的投影的至少部分的宽度逐渐减小；光波导与第一通孔的侧壁和第二介质层的另一侧面均接触，第二介质层的侧面还与第一通孔的另一侧壁接触。