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公开(公告)号：CN119545878A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202311076217.6
申请日：2023-08-24
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种场效应晶体管、电子设备以及场效应晶体管的制备方法，涉及半导体技术领域。其中，场效应晶体管包括第二衬底、氧化层和栅极，其中，第二衬底的材料包括碳化硅；第二衬底包括源极区和沟道区，源极区的掺杂浓度大于沟道区的掺杂浓度。氧化层与第二衬底键合设置；氧化层覆盖沟道区的至少部分；氧化层由硅材料氧化而成。栅极设置在氧化层的远离第二衬底的一侧。本申请实施例提供的场效应晶体管中的栅氧化层的氧化程度较高，且碳化硅衬底与栅氧化层之间的界面态密度较小，从而有效提高碳化硅场效应晶体管的沟道迁移率，优化场效应晶体管的电学性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN118899329A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202310490381.5
申请日：2023-05-04
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/872
Abstract: 本申请提供了一种半导体器件及电子设备。其中，半导体器件包括多个元胞区，至少一个元胞区包括：第一电极；第二电极，第二电极与第一电极层叠且间隔设置；N型半导体区，N型半导体区位于第一电极与第二电极之间；沟槽结构，沟槽结构位于N型半导体区与第一电极之间，沟槽结构包括第一子沟槽结构和第二子沟槽结构，第一子沟槽结构沿第一方向延伸，第二子沟槽结构沿第二方向延伸，第一方向与第二方向之间具有夹角；第一P型半导体区，第一P型半导体区位于第一电极与N型半导体区之间。本申请能够更为有效地阻止高电场穿透肖特基结，从而增强对肖特基结的保护作用。
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公开(公告)号：CN113066775A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110183813.9
申请日：2021-02-10
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L29/739 , H01L25/07
Abstract: 本申请公开了一种绝缘栅双极型场效应管IGBT、组及功率变换器，IGBT包括：半导体芯片、设置在半导体芯片周围的栅极引脚、设置在半导体芯片上的发射极区域和n个栅区域；n为大于等于2的整数；n个栅区域中的a个栅区域连接栅极引脚；a大于等于1小于等于n；连接栅极引脚的栅区域的数量a不同时对应IGBT适用于不同的开关频率及损耗；n个栅区域中的n‑a个栅区域连接发射极区域。连接栅极引脚的所有栅区域的周围会形成导电沟道，导电沟通供发射极的注入电子通过，发射极注入电子对应的导电沟道增加，使得集电极和发射极之间的导通压降减小，降低IGBT的导通损耗，对于导通损耗比较小的IGBT可以应用于开关频率较低的场合。
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公开(公告)号：CN116978937A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310889738.7
申请日：2021-02-07
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明实施例公开了一种半导体器件及相关模块、电路、制备方法，该器件包括：N型漂移层、P型基极层、N型发射极层、栅极、场截止层和P型集电极层等，其中，场截止层包括依次层叠于N型漂移层的表面的第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区的杂质的粒子半径小于第二掺杂区的杂质的粒子半径，第一掺杂区和第二掺杂区的掺杂浓度均高于N型漂移层的掺杂浓度。上述半导体器件，可以有效降低IGBT的集电极与发射极之间的漏电流。
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公开(公告)号：CN114402443A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202080064553.7
申请日：2020-03-17
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L29/78
Abstract: 一种绝缘栅双极晶体管、电机控制器及汽车，绝缘栅双极晶体管包括：层叠设置三个器件结构特征层，其中，IGBT器件结构特征层(10)及RC‑IGBT器件结构特征层(30)分列在SJ器件结构特征层(20)的两侧；其中，RC‑IGBT器件结构特征层(30)包括同层设置的集电极(12)及漏极(13)；绝缘栅双极晶体管还包括与集电极(12)层叠且电连接的第一金属电极(15)、与漏极(13)层叠且电连接的第二金属电极(14)，且第一金属电极(15)与第二金属电极(14)之间电隔离。在上述方案中，第一金属电极(15)及第二金属电极(14)可分别与集电极(12)和漏极(13)连接，集电极(12)和漏极(13)可以分别供电，从而增加了绝缘栅双极晶体管的供电方式，进而改善了绝缘栅双极晶体管的控制方式。
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公开(公告)号：CN113054010A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110170393.0
申请日：2021-02-07
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明实施例公开了一种半导体器件及相关模块、电路、制备方法，该器件包括：N型漂移层、P型基极层、N型发射极层、栅极、场截止层和P型集电极层等，其中，场截止层包括依次层叠于N型漂移层的表面的第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区的杂质的粒子半径小于第二掺杂区的杂质的粒子半径，第一掺杂区和第二掺杂区的掺杂浓度均高于N型漂移层的掺杂浓度。上述半导体器件，可以有效降低IGBT的集电极与发射极之间的漏电流。
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公开(公告)号：CN113644123B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202110721082.9
申请日：2021-06-28
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06
Abstract: 本申请实施例公开了一种半导体器件及相关芯片、制备方法，包括：N型漂移层以及与N型漂移层相邻的N型场截止层。其中，N型场截止层自由电子的浓度高于N型漂移层自由电子的浓度。N型场截止层包括第一杂质粒子和与第一杂质粒子相互掺杂的第二杂质粒子，第二杂质粒子的半径大于第一杂质粒子的半径。在N型场截止层中，邻近N型漂移层的区域的第一杂质粒子的注入浓度高于其他任意区域的第一杂质粒子的注入浓度。上述结构，可以有效改善在大电感负载电路中，半导体器件在关断过程中产生过高尖峰电压的情况。
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公开(公告)号：CN116097451A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202080103920.X
申请日：2020-08-19
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L29/78
Abstract: 一种驱动式金属氧化物半导体场效应晶体管DrMOS(60)、集成电路(101)、电子设备及制备方法，该DrMOS(60)，主要包括第一裸片(61)和第二裸片(62)。其中，第一裸片(61)包括驱动电路(3)和第一开关管(1)，且驱动电路(3)与第一开关管(1)的栅极(G1)连接。第二裸片(62)包括第二开关管(2)，驱动电路(3)通过第一导体与第二开关管(2)的栅极(G2)连接。驱动电路(3)和第一开关管(1)制备在同一个裸片(61)中，有利于降低DrMOS(60)的面积、损耗和成本。第一开关管(1)和第二开关管(2)分别制备于不同的裸片(61,62)中，有利于降低第一开关管(1)和第二开关管(2)的选型限制。
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公开(公告)号：CN114586171A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202080022689.1
申请日：2020-09-30
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/336
Abstract: 本申请实施例提供一种功率器件的终端结构，包括衬底和设于衬底第一表面的多个场限环，衬底包括漂移层和掺杂层，掺杂层从衬底的第一表面向内扩散形成，掺杂层和漂移层为第一导电类型，且掺杂层的杂质浓度大于漂移层的杂质浓度，场限环为第二导电类型。采用本申请所提供的终端结构，通过掺杂层的设计，实现对场限环中杂质的横向扩散限制，一方面减小终端结构的设计尺寸，降低芯片成本；另一方面降低外部电荷对终端结构的影响，提升功率器件的可靠性。同时本申请还提供一种功率器件的终端结构的制作方法和一种功率器件。
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公开(公告)号：CN113644123A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110721082.9
申请日：2021-06-28
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06
Abstract: 本申请实施例公开了一种半导体器件及相关芯片、制备方法，包括：N型漂移层以及与N型漂移层相邻的N型场截止层。其中，N型场截止层自由电子的浓度高于N型漂移层自由电子的浓度。N型场截止层包括第一杂质粒子和与第一杂质粒子相互掺杂的第二杂质粒子，第二杂质粒子的半径大于第一杂质粒子的半径。在N型场截止层中，邻近N型漂移层的区域的第一杂质粒子的注入浓度高于其他任意区域的第一杂质粒子的注入浓度。上述结构，可以有效改善在大电感负载电路中，半导体器件在关断过程中产生过高尖峰电压的情况。
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