半导体器件及相关芯片和制备方法

    公开(公告)号:CN113644123B

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN202110721082.9

    申请日:2021-06-28

    Abstract: 本申请实施例公开了一种半导体器件及相关芯片、制备方法,包括:N型漂移层以及与N型漂移层相邻的N型场截止层。其中,N型场截止层自由电子的浓度高于N型漂移层自由电子的浓度。N型场截止层包括第一杂质粒子和与第一杂质粒子相互掺杂的第二杂质粒子,第二杂质粒子的半径大于第一杂质粒子的半径。在N型场截止层中,邻近N型漂移层的区域的第一杂质粒子的注入浓度高于其他任意区域的第一杂质粒子的注入浓度。上述结构,可以有效改善在大电感负载电路中,半导体器件在关断过程中产生过高尖峰电压的情况。

    半导体器件及相关芯片和制备方法

    公开(公告)号:CN113644123A

    公开(公告)日:2021-11-12

    申请号:CN202110721082.9

    申请日:2021-06-28

    Abstract: 本申请实施例公开了一种半导体器件及相关芯片、制备方法,包括:N型漂移层以及与N型漂移层相邻的N型场截止层。其中,N型场截止层自由电子的浓度高于N型漂移层自由电子的浓度。N型场截止层包括第一杂质粒子和与第一杂质粒子相互掺杂的第二杂质粒子,第二杂质粒子的半径大于第一杂质粒子的半径。在N型场截止层中,邻近N型漂移层的区域的第一杂质粒子的注入浓度高于其他任意区域的第一杂质粒子的注入浓度。上述结构,可以有效改善在大电感负载电路中,半导体器件在关断过程中产生过高尖峰电压的情况。

    同步整流控制电路、变换器和同步整流控制方法

    公开(公告)号:CN102790542B

    公开(公告)日:2014-08-20

    申请号:CN201210265345.0

    申请日:2012-07-30

    Abstract: 本发明提供了一种同步整流控制电路、变换器和同步整流控制方法,该同步整流控制电路包括:检测模块,检测同步整流开关管的漏极和源极之间的电压,将该电压与至少一个电平阈值进行比较得到至少一个比较结果,分别根据至少一个比较结果生成与至少一个电平阈值相对应的至少一个脉冲序列;微处理器,提供与至少一个脉冲序列相对应的至少一个前沿消隐阈值;控制模块,接收至少一个脉冲序列和至少一个前沿消隐阈值,分别对至少一个脉冲序列的脉冲数目进行计数得到至少一个计数值,在至少一个计数值达到至少一个前沿消隐阈值时,生成驱动控制信号;驱动器,接收该驱动控制信号,并且根据该驱动控制信号驱动该同步整流开关管。本发明能够灵活地调整死区时间。

    直流转换电源装置及改进直流转换电源装置的方法

    公开(公告)号:CN101399498A

    公开(公告)日:2009-04-01

    申请号:CN200710151684.5

    申请日:2007-09-26

    Inventor: 刘志华

    CPC classification number: H02M3/33592 Y02B70/1475

    Abstract: 本发明公开了一种直流转换电源装置,包括:变压器;变压器初级侧电路;变压器次级侧电路,所述次级侧电路包含具有整形变换功能的整流电路,用于将变压器输出的方波电压进行变换,形成直流输出电压;控制单元,根据所述直流输出电压,控制所述变压器次级侧电路,调整所述直流输出电压,使所述直流输出电压为稳定的目标值。本发明还公开了一种改进直流转换电源装置的方法,包括:在次级绕组上耦合具有整形变换功能的整流电路,将变压器输出的方波电压进行变换,形成直流输出电压;监测所述直流输出电压,根据所述直流输出电压,调整所述直流输出电压,使所述直流输出电压为稳定的目标值。通过应用本发明可以提升直流转换电源的动态性能。

    可靠性测试系统和方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119438837A

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202310955138.6

    申请日:2023-07-28

    Abstract: 本申请提供了一种可靠性测试系统和方法,涉及功率器件领域,该可靠性测试系统能够进行高温栅偏测试和高温反偏测试,在一个可靠性测试系统中实现了多个测试模式,提高了测试效率。并且,可靠性测试系统可以对待测器件施加交变信号,从而真实地还原实际应用场景,使得本申请提供的可靠性测试系统能够准确地测试功率器件的可靠性。在应力施加之后,可以马上进行检测,避免功率器件的弛豫效应影响测试结果。另外,在高温栅偏测试中,可以通过半桥电路控制电应力脉冲信号的脉冲频率或占空比,针对不同的功率器件,可靠性测试系统能够灵活地改变脉冲信号的参数,提高了测试的适用性。

    半导体器件及电子设备
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118899329A

    公开(公告)日:2024-11-05

    申请号:CN202310490381.5

    申请日:2023-05-04

    Abstract: 本申请提供了一种半导体器件及电子设备。其中,半导体器件包括多个元胞区,至少一个元胞区包括:第一电极;第二电极,第二电极与第一电极层叠且间隔设置;N型半导体区,N型半导体区位于第一电极与第二电极之间;沟槽结构,沟槽结构位于N型半导体区与第一电极之间,沟槽结构包括第一子沟槽结构和第二子沟槽结构,第一子沟槽结构沿第一方向延伸,第二子沟槽结构沿第二方向延伸,第一方向与第二方向之间具有夹角;第一P型半导体区,第一P型半导体区位于第一电极与N型半导体区之间。本申请能够更为有效地阻止高电场穿透肖特基结,从而增强对肖特基结的保护作用。

    具有循环电流补偿的电源和供电方法

    公开(公告)号:CN110168882A

    公开(公告)日:2019-08-23

    申请号:CN201780080272.9

    申请日:2017-01-24

    Inventor: 方晓厅 刘志华

    Abstract: 提供一种用于生成输出信号(OUT)的电源(1)。所述电源(1)包括第一逆变器支路(11)和第二逆变器支路(12),该第一逆变器支路和第二逆变器支路分别用于通过调制输入直流电压(IN)生成第一脉冲宽度调制信号(PWM1)和第二脉冲宽度调制信号(PWM2)。此外,所述电源(1)包括移相器(120),所述移相器用于通过对信号(PWM1CTRL)进行移相生成临时第二脉冲宽度调制信号(PWM2’),所述第一脉冲宽度调制信号(PWM1)是从该信号中获得的。此外,所述电源(1)包括补偿器(121),所述补偿器用于从所述临时第二脉冲宽度调制信号(PWM2’)中确定第二脉冲宽度调制信号(PWM2)。特别地,所述补偿器(121)在生成所述第二脉冲宽度调制信号(PWM2)期间添加补偿信号。最后,所述电源(1)包括耦合电感器(13),所述电感器用于合并所述第一脉冲宽度调制信号(PWM1)和所述第二脉冲宽度调制信号(PWM2)以形成所述输出信号。

    控制电路及方法、电源装置

    公开(公告)号:CN104348365B

    公开(公告)日:2017-10-17

    申请号:CN201410614004.9

    申请日:2010-06-28

    CPC classification number: Y02B70/1475

    Abstract: 本发明提供一种控制电路及方法、电源装置。该控制电路包括:获取模块,用于当同步整流电路的开关电源电路的原边出现反向浪涌电流时,获取所述反向浪涌电流产生的电压信号;保持模块,用于当所述电压信号大于预设的第一电压阈值时,在预设的第一时间段内持续输出第一控制信号;控制模块,用于根据所述第一控制信号控制关断所述同步整流电路的开关电源电路的副边开关管。采用本发明实施例的技术方案,能够有效地抑制同步整流电路的开关电源电路中的电流反向浪涌,能够有效地保护同步整流电路的开关电源的安全性。采用此控制电路的电源装置,能够有效地提高电源的安全性及可靠性。

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