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公开(公告)号：CN119545878A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202311076217.6
申请日：2023-08-24
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种场效应晶体管、电子设备以及场效应晶体管的制备方法，涉及半导体技术领域。其中，场效应晶体管包括第二衬底、氧化层和栅极，其中，第二衬底的材料包括碳化硅；第二衬底包括源极区和沟道区，源极区的掺杂浓度大于沟道区的掺杂浓度。氧化层与第二衬底键合设置；氧化层覆盖沟道区的至少部分；氧化层由硅材料氧化而成。栅极设置在氧化层的远离第二衬底的一侧。本申请实施例提供的场效应晶体管中的栅氧化层的氧化程度较高，且碳化硅衬底与栅氧化层之间的界面态密度较小，从而有效提高碳化硅场效应晶体管的沟道迁移率，优化场效应晶体管的电学性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN113707718B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202110852751.6
申请日：2021-07-27
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本申请提供一种功率器件及其制备方法、电子装置。功率器件包括GaN缓冲层、第一势垒层、第二势垒层、阻挡层、第一p‑(Al)GaN部与栅极。GaN缓冲层、第一势垒层层叠设置，第一势垒层设有第一通孔，第二势垒层覆盖于第一势垒层背离GaN缓冲层的一侧，第二势垒层于第一通孔处形成沟槽，阻挡层设于第二势垒层背离GaN缓冲层的一侧，阻挡层设有第二通孔，第一p‑(Al)GaN部设于第二通孔并与第二势垒层接触，栅极设于第一p‑(Al)GaN部背离阻挡层的一侧。阻挡层能够在刻蚀p‑(Al)GaN时保护第二势垒层，减少刻蚀对第二势垒层的损伤，防止反向导通时空穴从第一p‑(Al)GaN部注入到第二势垒层中。
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公开(公告)号：CN113066775A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110183813.9
申请日：2021-02-10
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L29/739 , H01L25/07
Abstract: 本申请公开了一种绝缘栅双极型场效应管IGBT、组及功率变换器，IGBT包括：半导体芯片、设置在半导体芯片周围的栅极引脚、设置在半导体芯片上的发射极区域和n个栅区域；n为大于等于2的整数；n个栅区域中的a个栅区域连接栅极引脚；a大于等于1小于等于n；连接栅极引脚的栅区域的数量a不同时对应IGBT适用于不同的开关频率及损耗；n个栅区域中的n‑a个栅区域连接发射极区域。连接栅极引脚的所有栅区域的周围会形成导电沟道，导电沟通供发射极的注入电子通过，发射极注入电子对应的导电沟道增加，使得集电极和发射极之间的导通压降减小，降低IGBT的导通损耗，对于导通损耗比较小的IGBT可以应用于开关频率较低的场合。
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公开(公告)号：CN104333122B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201410658158.8
申请日：2014-11-18
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H02J9/06
CPC classification number: H02J9/061 , H02J7/0068 , Y02B10/72
Abstract: 本发明适用于高压供电领域，提供了供电总线电路。所述供电总线电路包括高压供电电路；所述高压供电电路包括至少两个第一交流/直流转换模块，还包括至少两条高压直流供电总线；所述第一交流/直流转换模块接入市电，将接入的市电调整为高压直流电，向与其电连接的高压直流供电总线输出所述高压直流电；所述高压供电电路还包括至少一个第一直流/直流转换模块，所述第一直流/直流转换模块在其连接的两条所述高压直流供电总线之间进行高压直流电的电压转换，以在两条所述高压直流供电总线之间进行供电互备，在其中一条高压供电总线未掉电的情况下能够保证互备的两条高压供电总线不间断地对其上的负载供电。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103401466B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201310253209.4
申请日：2013-06-24
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H02M7/54 , H02M3/337 , H02M7/5387
Abstract: 本发明提供一种逆变电源系统，通过第一选择开关在第一母线电容上的直流母线电压不能满足直交流转换电路逆变输出的要求时接通第一母线电容与交直流转换电路，通过交直流转换电路对第一母线电容上的直流母线电压进行二次升压，使得第二母线电容输出的电压范围变宽，满足了直交流转换电路逆变输出要求，同时又保证了电池电压的宽范围输入，即满足了逆变电源系统输入输出的电压宽范围要求，延长了电池的有效使用时间。并且，通过交直流转换电路对第一母线电容上的直流母线电压进行升压，解决了现有技术需要通过改变PWM变换器的占空比或改变谐振变换器的谐振频率来满足逆变电源系统输入输出的电压宽范围要求导致的转换效率低的问题。
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公开(公告)号：CN104333122A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410658158.8
申请日：2014-11-18
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H02J9/06
CPC classification number: H02J9/061 , H02J7/0068 , Y02B10/72
Abstract: 本发明适用于高压供电领域，提供了供电总线电路。所述供电总线电路包括高压供电电路；所述高压供电电路包括至少两个第一交流/直流转换模块，还包括至少两条高压直流供电总线；所述第一交流/直流转换模块接入市电，将接入的市电调整为高压直流电，向与其电连接的高压直流供电总线输出所述高压直流电；所述高压供电电路还包括至少一个第一直流/直流转换模块，所述第一直流/直流转换模块在其连接的两条所述高压直流供电总线之间进行高压直流电的电压转换，以在两条所述高压直流供电总线之间进行供电互备，在其中一条高压供电总线未掉电的情况下能够保证互备的两条高压供电总线不间断地对其上的负载供电。
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公开(公告)号：CN102594179A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210017446.6
申请日：2012-01-19
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H02M7/48
CPC classification number: H02M7/5387 , H02M2001/0058 , H02M2001/346 , H02M2007/4815 , Y02B70/1441 , Y02B70/1491
Abstract: 本发明实施例提供的逆变器电路及其控制方法、逆变器电路控制装置，其控制方法包括：控制第一开关组中的第一开关和第四开关组中的第四开关导通，直流源的正极输出的电流经过第一开关和第一电感后分为两路，一路经过并联支路后；另一路通过电容后，两路电流汇合经第四开关回到直流源的负极；控制关断第一开关，第二开关组中的第二二极管导通，再控制导通第二开关组中的第二开关，使得第二开关低电压导通。本发明实施例的技术方案，能够实现开关能够在低电压下导通和/或在低电流下关断，使得开关为软开关，从而降低开关损耗，有效地提高逆变器电路的效率。
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公开(公告)号：CN102545579A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110445094.X
申请日：2011-12-27
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H02M1/42
CPC classification number: Y02B70/126 , Y02P80/112
Abstract: 本发明适用于功率因数校正电路设计技术领域，提供了一种功率因数校正预调整电路及开关电源。其中的电路包括：分压电路；反馈电路，用于提供第一分压电压向电压控制电路供电的第一通路；升压/降压调节电路，用于当第二分压电压升高时，提供第二分压电压向电压控制电路供电的第二通路，和/或当第三分压电压降低时，提供第三分压电压向电压控制电路供电的三通路。升压/降压调节电路跟随功率因数校正变换电路输出电压的波动而实时通过第一通路和第二通路抽取电流，或向第一通路和第三通路注入电流，从而提高了功率因数校正变换电路的动态响应能力，而无须功率因数校正变换电路输出电压满足一定范围时才动作。
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公开(公告)号：CN101969271A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN201010516343.5
申请日：2010-10-22
Applicant: 华为技术有限公司
CPC classification number: H02M1/4233 , Y02B70/126 , Y02P80/112
Abstract: 本发明实施例公开了一种功率因数矫正变换器和电源及其控制方法，能够降低成本，且提高电源转换效率。本发明实施例功率因数矫正变换器包括：交错控制管组、交流电源、第一电感、第二电感、第三电感、电容、第一桥臂以及第二桥臂；第一桥臂包括串联的第一开关管以及第二开关管；第二桥臂包括串联的第三开关管以及第四开关管；交错控制管组、第一桥臂、第二桥臂以及电容之间相互并联；交流电源与第一电感串联，第二电感和第三电感并联后与第一电感串联；第二电感与第一桥臂连接，第二电感与第二桥臂连接；交流电源与第一电感串联后与交错控制管组连接。本发明实施例还提供一种控制方法。本发明实施例能够有效降低成本，且提高电源转换效率。
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